2023 年八月第三期（雙周刊）

行 業(yè) 觀 察

一、企業(yè)風(fēng)向標(biāo)

1.上海新昇半導(dǎo)體集成電路硅材料工程研發(fā)配套項(xiàng)目封頂，

計(jì)劃明年投用

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-13）

8 月 10 日，上海新昇半導(dǎo)體集成電路硅材料工程研發(fā)配套項(xiàng)目封頂儀式在

臨港新片區(qū)東方芯港舉行。

（圖片來源：上海臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)）

據(jù)悉，該項(xiàng)目將聯(lián)合上海集成電路材料研究院共同承擔(dān)國家集成電路材料創(chuàng)

新中心項(xiàng)目，擬建設(shè)一座硅材料工程技術(shù)研發(fā)實(shí)驗(yàn)基地，計(jì)劃將于 2024 年投用。

上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司是上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司的全資控股

子公司，是商業(yè)化提供 300mm（12 英寸）半導(dǎo)體硅片的企業(yè)。該公司生產(chǎn)的 300mm

硅片廣泛用于存儲器芯片、邏輯芯片、圖像傳感器、IGBT 功率器件及通信芯片

等集成電路產(chǎn)業(yè)。

2. 瑞聯(lián)新材擬 4.91 億元投建光刻膠及高端新材料產(chǎn)業(yè)

化項(xiàng)目

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-28 ）

近日，瑞聯(lián)新材發(fā)布公告稱，公司擬投建光刻膠及高端新材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

計(jì)劃總投資金額為 4.91 億元，首期項(xiàng)目投資為 8310.96 萬元。項(xiàng)目擬分期建設(shè)完

成，用于光刻膠、醫(yī)藥中間體及其它電子精細(xì)化學(xué)品等產(chǎn)品的生產(chǎn)。

瑞聯(lián)新材表示，光刻膠作為半導(dǎo)體、平板顯示及 PCB 行業(yè)制造環(huán)節(jié)的關(guān)鍵材

料，近年來，伴隨國內(nèi)外晶圓廠商產(chǎn)能擴(kuò)張逐步落地，半導(dǎo)體相關(guān)材料需求旺盛，

呈穩(wěn)步上升趨勢。在 PCB、顯示面板和集成電路產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進(jìn)程加速、產(chǎn)業(yè)鏈自

主可控需求迫切的背景下，作為上游關(guān)鍵材料的光刻膠呈現(xiàn)明顯的進(jìn)口替代趨勢，

國產(chǎn)半導(dǎo)體用光刻膠將迎來快速發(fā)展的機(jī)遇。

瑞聯(lián)新材稱，通過本項(xiàng)目的建設(shè)，公司將有效擴(kuò)大電子化學(xué)品產(chǎn)能規(guī)模，匹

配下游日益增長的市場需求，加快國產(chǎn)替代市場占有步伐，培育新的利潤增長點(diǎn)。

3.7 月初宣布完成首輪融資，濱州裕能下一步將關(guān)注光刻膠

溶劑等電子化學(xué)品需求

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-12 ）

今年 7 月初，濱州裕能化工有限公司（以下簡稱“濱州裕能”）對外宣布公

司已于近日完成首輪股權(quán)融資，融資所得資金將用于公司 NMP 產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展及電

子化學(xué)品產(chǎn)品布局等方面。

據(jù)悉，濱州裕能成立于 2011 年，是行業(yè)領(lǐng)先的鋰電池材料生產(chǎn)商和微電子

化學(xué)品集成供應(yīng)商。在微電子領(lǐng)域，引入國際領(lǐng)先的濕電子化學(xué)品生產(chǎn)技術(shù)及品

控體系，生產(chǎn)新型顯示、半導(dǎo)體集成電路等行業(yè)工藝制程專用濕電子化學(xué)品及光

刻膠配套試劑。

公司建有超凈高純千、百、十級潔凈實(shí)驗(yàn)室和濱州思達(dá)材料科學(xué)研究院，與

國內(nèi)頭部科研院所組建聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)，與產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)密切合作，協(xié)同開展產(chǎn)品開

發(fā)及國產(chǎn)化替代。

將重點(diǎn)布局有機(jī)電子化學(xué)品，光刻膠溶劑是關(guān)注點(diǎn)之一

作為光刻膠溶劑供應(yīng)商，濱州裕能/載元裕能可穩(wěn)定生產(chǎn) G3,G4 級別的 NMP、

GBL、IPA、PM、PMA、EBR-7030、TMAH 等濕電子化學(xué)品，產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋

新能源（鋰電池），新材料（聚酰亞胺，氨綸），光刻膠，面板及半導(dǎo)體領(lǐng)域等。

濱州裕能向有關(guān)媒體透露，公司未來將重點(diǎn)布局有機(jī)類電子化學(xué)品領(lǐng)域，關(guān)注

光刻膠溶劑，半導(dǎo)體清洗材料等需求，努力成長成為濕電子化學(xué)品專業(yè)服務(wù)提供

商。

濱州裕能發(fā)表了對光刻膠行業(yè)的美好祝頌：光刻膠產(chǎn)業(yè)未來在中國會朝向高端

應(yīng)用 ArF、EUV 等方向發(fā)展，雖然過程艱難，但我們希望能盡快看到本土產(chǎn)品充

分、全面地替代進(jìn)口產(chǎn)品的那一天?！?/p>

4. 8.05 億！天岳先進(jìn)新簽碳化硅襯底大單

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-27）

近日，天岳先進(jìn)發(fā)布公告，公司與客戶 F 簽訂了一份框架采購協(xié)議，

約定 2024 年至 2026 年公司向合同對方銷售碳化硅產(chǎn)品，按照合同《產(chǎn)品

供 貨 清 單 》 ， 預(yù) 計(jì) 含 稅 銷 售 三 年 合 計(jì) 金 額 為 人 民 幣 80,480.00 萬 元

訂單方面，去年 7 月，天岳先進(jìn)表示與某客戶簽訂了一份長期協(xié)議，

約定 2023 年至 2025 年公司及上海天岳向合同對方銷售價(jià)值 13.93 億元的 6

英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品；今年 4 月，天岳先進(jìn)又在財(cái)報(bào)中披露，已經(jīng)

與博世集團(tuán)簽署長期協(xié)議。

今年 5 月，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂全新襯底和晶棒供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)

議，天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競爭

力的 150 毫米碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于 150 毫米碳化硅材料，

但天岳先進(jìn)也將助力英飛凌向 200 毫米直徑碳化硅晶圓過渡。

英飛凌表示，該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份

額，這不僅有助于保證英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，讓其碳化硅材料供應(yīng)商體系

多元化，還能夠確保英飛凌獲得更多具有競爭力的碳化硅材料供應(yīng)。

產(chǎn)品方面，目前天岳先進(jìn)以 6 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底為主，滿足全球

客戶的需求。產(chǎn)能上，天岳先進(jìn)上海臨港工廠已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)品交付階段，持

續(xù)發(fā)力提升 6 英寸襯底的產(chǎn)量；晶體質(zhì)量和厚度持續(xù)提升，規(guī)?；a(chǎn)襯

底質(zhì)量穩(wěn)定可靠。通過自主擴(kuò)徑技術(shù)制備的高品質(zhì) 8 英寸產(chǎn)品，目前也已

經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力。

今年 5 月消息，上海臨港新片區(qū)管理委員會對外公示了《關(guān)于“天岳半

導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目（調(diào)整）”》的環(huán)評審批意見。

根據(jù)環(huán)評審批意見公示，天岳半導(dǎo)體將通過優(yōu)化生產(chǎn)工藝、調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備、

原輔材料和公輔環(huán)保設(shè)施等方式，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量。調(diào)整后，6 英寸

SiC 襯底的生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大至每年 96 萬片。

據(jù)了解，上海臨港項(xiàng)目于 2021 年確立，總投資 25 億元。彼時(shí)，天岳先

進(jìn)正在推進(jìn)上市進(jìn)程，其計(jì)劃募資 20 億元投向臨港項(xiàng)目的建設(shè)，擴(kuò)充 SiC

半導(dǎo)體材料產(chǎn)能。該項(xiàng)目已于 2022 年 3 月成功封頂，并在最近開始交付。

值得注意的是，按照之前的規(guī)劃，臨港項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，SiC 襯底的產(chǎn)能約

為 30 萬片/年，而通過此次的產(chǎn)能調(diào)整，臨港項(xiàng)目產(chǎn)能將擴(kuò)大 220%，達(dá) 96

萬片/年。

此外，在技術(shù)及研發(fā)方面，天岳先進(jìn)持續(xù)保持較高的技術(shù)研發(fā)投入，積極

布局前瞻性技術(shù)。天岳先進(jìn)采用液相法制備出了低缺陷的 8 英寸晶體，通

過熱場、溶液設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺

陷控制難題，尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。

除了產(chǎn)品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，采用天岳先進(jìn)最新技術(shù)

制備的晶體厚度已突破 60mm，而這對提升產(chǎn)能具有重要意義，該技術(shù)也是

天岳先進(jìn)重點(diǎn)布局的技術(shù)方向之一。

5.又一家光刻膠廠商開啟上市輔導(dǎo)！

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-26）

據(jù)披露，江蘇博硯電子科技股份有限公司(以下簡稱“博硯電子”)于

2023 年 8 月 23 日與國金證券簽署了《江蘇博硯電子科技股份有限公司與國

金證券股份有限公司關(guān)于首次公開發(fā)行股票并上市之輔導(dǎo)協(xié)議》。

資料顯示，江蘇博硯電子科技股份有限公司成立于 2014 年 7 月，是一

家集研發(fā)，生產(chǎn) TFT-LCD 彩色濾光片用光刻膠的專業(yè)廠家。公司主營產(chǎn)品

為光刻膠（Photo Resist）,光刻膠廣泛適用于 TFT-LCD 液晶顯示屏、印刷

電路和集成電路以及印刷制版等過程。

公司持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略，憑借自身雄厚的科研實(shí)力，突破本土制造的

長期技術(shù)瓶頸，已經(jīng)成功開發(fā)出系列光刻膠產(chǎn)品。

6.鑫華半導(dǎo)體 1500 噸硅基電子特氣項(xiàng)目開工！

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-25）

8 月 22 日，鑫華半導(dǎo)體 1500 噸硅基電子特氣項(xiàng)目開工儀式舉行。鑫華

半導(dǎo)體消息顯示，該項(xiàng)目占地面積約 500 平方米，將于 11 月進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)試

安裝，12 月底完成試生產(chǎn)。未來將專注于高端氣體的開發(fā)研究，打造規(guī)模

化產(chǎn)業(yè)集群，致力于成為高純硅基電子特氣業(yè)務(wù)領(lǐng)軍企業(yè)。

背景介紹:

電子特氣是半導(dǎo)體、微電子、集成電路等電子信息產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵原材料。

鑫華半導(dǎo)體依托自身閉環(huán)成套化的電子級多晶硅工藝生產(chǎn)技術(shù)，在生產(chǎn)電

子級多晶硅的同時(shí)得到三氯氫硅，經(jīng)過特氣充裝站過濾得到高純電子級三

氯氫硅，大幅降低生產(chǎn)制造成本。項(xiàng)目建成后將進(jìn)一步提高原料利用率。

鑫華半導(dǎo)體是國內(nèi)率先系統(tǒng)掌握高純電子級多晶硅制備技術(shù)的企業(yè)，該

公司產(chǎn)品已通過國內(nèi)大部分領(lǐng)先的半導(dǎo)體硅片廠商認(rèn)證，并形成規(guī)?；N

售，實(shí)現(xiàn)硅部件從特制尺寸到 12 寸硅片生產(chǎn)的全覆蓋。

7.天岳先進(jìn)、天科合達(dá)正加快 8 英寸 SiC 產(chǎn)能建設(shè)！

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-23）

據(jù)電子時(shí)報(bào)消息，天岳先進(jìn)、天科合達(dá)這兩家中國企業(yè)正在加緊進(jìn)行 8

英寸 SiC 碳化硅晶圓產(chǎn)能建設(shè)，兩家企業(yè)都是英飛凌的供應(yīng)商。隨著風(fēng)力

發(fā)電、太陽能和儲能領(lǐng)域需求的激增，加大了碳化硅的需求，因此主要供

應(yīng)商不斷擴(kuò)大產(chǎn)能。

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)正在幫助英飛凌提高碳化硅產(chǎn)能，以實(shí)現(xiàn)后者到

2030 年占據(jù) 30%全球市場份額的目標(biāo)。

8 月，天科合達(dá)位于徐州的碳化硅二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工建設(shè)，總投資達(dá)

8.3 億元人民幣。該項(xiàng)目投產(chǎn)后，年產(chǎn)能可達(dá) 16 萬片碳化硅晶圓該公司已

開發(fā)出第五代晶體生長爐，可滿足 6 英寸、8 英寸碳化硅制造需求，預(yù)計(jì)

2024 年底前可交付小批量 8 英寸碳化硅基板，2025 年第三季度交付量將會

穩(wěn)定。

天岳先進(jìn)已開始交付 6 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底，并增加其上海臨港工

廠的 6 英寸產(chǎn)能，預(yù)計(jì)到 2026 年產(chǎn)能可達(dá)到每年 30 萬片晶圓。該公司與

英飛凌合作的第一階段，將為其提供 6 英寸碳化硅晶圓，隨后會過渡到 8

英寸晶圓，這會有助于降低成品成本。

目前，只有美國廠商 Wolfspeed 有能力大規(guī)模量產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底，行

業(yè)預(yù)測到 2026 年，8 英寸占比將達(dá)到 14%。

8.投資超 28 億！鑫華半導(dǎo)體萬噸電子級多晶硅項(xiàng)目預(yù)計(jì)

9 月底竣工

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-22 ）

近日，內(nèi)蒙古鑫華半導(dǎo)體科技有限公司一萬噸半導(dǎo)體級多晶硅項(xiàng)目傳

來新進(jìn)展。內(nèi)蒙古鑫華半導(dǎo)體科技有限公司的控股股東為江蘇鑫華半導(dǎo)體

科技股份有限公司，江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司于 2015 年在江蘇徐

州成立，是國內(nèi)率先系統(tǒng)掌握高純電子級多晶硅制備技術(shù)的企業(yè)。今年 7

月，該公司成功入選國家專精特新“小巨人”企業(yè)。

該公司官網(wǎng)消息顯示，該項(xiàng)目目前已進(jìn)入設(shè)備安裝階段，工程總體進(jìn)

度已完成 85%，預(yù)計(jì)今年 9 月底竣工，10 月調(diào)試并運(yùn)行，本年度可生產(chǎn)多

晶硅 1000 噸。

項(xiàng)目介紹：

鑫華一萬噸半導(dǎo)體級多晶硅項(xiàng)目總投資 28.3 億元，于 2022 年 9 月開

工建設(shè)，可年產(chǎn)高純電子級多晶硅 10000 噸、二氯二氫硅 500 噸、三氯氫

硅 3000 噸、四氯化硅 3000 噸，該項(xiàng)目計(jì)劃將于 2024 年底全部達(dá)產(chǎn)。

9.新增 120 萬片年產(chǎn)能！山東有研硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-21）

8 月 18 日，山東有研刻蝕設(shè)備用硅材料及硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工儀式在天

衢新區(qū)舉行。

本次開工的刻蝕設(shè)備用硅材料及硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目是有研半導(dǎo)體硅材料股

份公司的上市募投項(xiàng)目。其中，刻蝕設(shè)備用硅材料項(xiàng)目總投資 3.57 億元，

主要生產(chǎn)大尺寸單晶硅部件加工品，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后年新增硅材料 204 噸；8 英

寸硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目總投資 3.84 億元，全部達(dá)產(chǎn)后新增 8 英寸硅片產(chǎn)品 120 萬

片/年的生產(chǎn)能力。

10.重磅！計(jì)劃 130 億投資的晶圓廠申請破產(chǎn)！

（來源：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 2023-08-26）

最新消息，資不抵債的江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司（下稱：時(shí)代芯

存）尋求新一輪投資無果后，這家總計(jì)劃投資 130 億人民幣、立志打造年

產(chǎn) 10 萬片相變存儲器的 12 英寸晶圓廠如今已正式進(jìn)入破產(chǎn)清算程序。

11.34 億！6 寸砷化鎵晶圓廠項(xiàng)目開工！

（來源：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 2023-08-22）

8 月 1 7 日 ， 珠 海 高 新 區(qū) 2 0 2 3 年第三季度重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工

活動(dòng)在高新區(qū)北沙三生產(chǎn)業(yè)園舉行，儀式上，珠海高新區(qū) 2 5 個(gè)

重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工建設(shè)，總投資 4 5 1 . 6 億 元 ，其 中 包 括 由 格 力 集

團(tuán) 投 資 打 造 的 全 市 產(chǎn) 業(yè) 立 柱 項(xiàng) 目 — — 華 芯 （ 珠 海 ） 半 導(dǎo) 體 砷 化 鎵 總

部 研 產(chǎn) 基 地 ， 以 及 格 創(chuàng) ·芯 谷 5.0 產(chǎn) 業(yè) 新 空 間 二 期 項(xiàng) 目 。

（高新區(qū) 2023 年第三季度重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工活動(dòng)）

華芯（珠海）半導(dǎo)體

打造國際領(lǐng)先的一站式“芯”平臺

華芯半導(dǎo)體為全球第四家、國內(nèi)唯一以 I D M 模式實(shí)現(xiàn) 2 5 G & 5 6 G

P a m 4 V c s e l 芯片大規(guī)模出貨的廠商，在集成電路產(chǎn)業(yè)具有領(lǐng)先

地 位 。今 年 3 月 ，格 力 金 投 與 中 芯 聚 源 聯(lián) 合 領(lǐng) 投 華 芯 半 導(dǎo) 體 ，助

力華芯珠海核心團(tuán)隊(duì)完成數(shù)億元融資， “ 以 投 促 引 ” 推 動(dòng) 華 芯

（ 珠 海 ）半 導(dǎo) 體 砷 化 鎵 總 部 研 產(chǎn) 基 地 項(xiàng) 目 落 戶 珠 海 ，并 在 珠 海 投

資 建 設(shè) 總 投 資 約 3 4 億 元 、產(chǎn) 能 達(dá) 1 . 5 萬 片 /月 的 6 寸 砷 化 鎵 晶 圓

代 工 廠 。

與 此 同 時(shí) ，格 力 集 團(tuán) 通 過 旗 下 建 設(shè) 投 資 板 塊 出 資 約 6 . 2 1 億元，

為華芯半導(dǎo)體分兩期建設(shè)總計(jì)容建面約 8 . 2 6 萬平方米的 定制化

5.0 產(chǎn)業(yè)新空間。該 項(xiàng) 目 預(yù) 計(jì) 2024 年 7 月 具 備 入 駐 條 件 、9 月 試

投 產(chǎn) ，滿 產(chǎn) 后 年 產(chǎn) 值 可 達(dá) 3 2 億 元 、年 稅 收 貢 獻(xiàn) 3.75 億 元 ，助 力

珠海進(jìn)一步鞏固在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的地位。

（華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地效果圖）

格創(chuàng)·芯谷二期

為珠海產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈新空間

二期項(xiàng)目重點(diǎn)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，同時(shí)依托長園科技集團(tuán)等已入

駐一期項(xiàng)目的鏈主企業(yè)和多個(gè)補(bǔ)鏈強(qiáng)鏈 項(xiàng) 目 ，輔 以 發(fā) 展 高 端 裝 備

制 造 等 產(chǎn) 業(yè) ，建 成 后 將 進(jìn) 一 步 增 強(qiáng) 高 新 區(qū) 5 . 0 產(chǎn)業(yè)新空間的規(guī)模

體 量 ， 加 速 打 造 珠 海 東 部 片 區(qū) “ 超 級 孵 化 器 ” 。 項(xiàng) 目 預(yù) 計(jì) 2024

年 下 半 年 竣 工 驗(yàn) 收 ， 目 前 已 儲 備 意 向 入 駐 企 業(yè) 1 2 家 ， 意 向 租 賃

面積達(dá) 1 5 萬 平 方 米 。

目前，格創(chuàng)·芯谷一期已建成交付，園區(qū)內(nèi)的長園澤暉、云充科技、

洛侖茲等多家企業(yè)已投產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年底產(chǎn)值將超 10 億元；全市產(chǎn)業(yè)立

柱項(xiàng)目 12 英寸晶圓級 TSV 立體集成、華芯半導(dǎo)體均正式開工；入駐格

創(chuàng)·園谷的長園智造（廣東基地）于本月初實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)；格創(chuàng)·數(shù)谷作為

高新區(qū) 5.0 產(chǎn)業(yè)新空間的“產(chǎn)業(yè)會客廳”，已有世寧達(dá)、珦盛新材料、

軍衛(wèi)科技等 11 家企業(yè)簽約入駐。

（格創(chuàng)·芯谷二期項(xiàng)目效果圖）

二、業(yè)界要聞

1.德國領(lǐng)跑歐洲半導(dǎo)體競賽

（來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察 2023-08-17）

隨著《歐洲芯片法案》注入新的資金，德國正在努力穩(wěn)定其境內(nèi)的歐洲半導(dǎo)

體行業(yè)。

德國通常被認(rèn)為是歐洲的工業(yè)強(qiáng)國，現(xiàn)在它也計(jì)劃成為硅強(qiáng)國。歐盟最近通

過了《歐洲芯片法案》，旨在到 2030 年將半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能翻一番。德國正在努

力利用 43B 歐元芯片法案補(bǔ)貼計(jì)劃和本土補(bǔ)貼來吸引大部分產(chǎn)能進(jìn)入其境內(nèi)。

德國支持歐洲供應(yīng)鏈計(jì)劃

科技界仍在遭受最近一系列供應(yīng)鏈中斷的影響，并因 COVID-19 大流行而加

劇。美國和歐洲越來越擔(dān)心亞洲電子供應(yīng)鏈的脆弱性和不穩(wěn)定性，導(dǎo)致許多國家

推動(dòng)地域多元化。

德國已經(jīng)是歐洲半導(dǎo)體行業(yè)的重要參與者，最近至少宣布了五個(gè)主要的新設(shè)

施、計(jì)劃或擴(kuò)建。

（下圖為進(jìn)入或擴(kuò)張德國的芯片公司）

2.千億產(chǎn)值背后，無錫打造集成電路“金字招牌”

（來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察 2023-08-17）

8 月 9 日-11 日，以“芯聯(lián)世界 錫創(chuàng)未來”為主題的 2023 集成電路（無錫）

創(chuàng)新發(fā)展大會在無錫隆重召開。

此次大會由無錫市人民政府、江蘇省工業(yè)和信息化廳共同舉辦，集聚國內(nèi)外

集成電路領(lǐng)域?qū)＜抑菐?、產(chǎn)業(yè)龍頭和配套生態(tài)企業(yè)，突出“專業(yè)化、市場化、品

牌化”特色，為企業(yè)搭建對接交流、開放鏈接、合作共贏的平臺。

此外，無錫國家“芯火”雙創(chuàng)基地汽車芯片可靠性檢測平臺、總規(guī)模 50 億

元的無錫市集成電路產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)基金、江蘇?。o錫）集成電路產(chǎn)業(yè)融合集群等一

批國家級平臺、專項(xiàng)基金、集群試點(diǎn)在開幕式現(xiàn)場正式揭牌。與此同時(shí)，30 多

個(gè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目進(jìn)行了集中簽約，簽約總金額超 200 億元，全面支撐集成電路產(chǎn)

業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

綜合來看，作為首屆集成電路（無錫）創(chuàng)新發(fā)展大會，本屆大會充分發(fā)揮了

無錫市全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)底蘊(yùn)深厚的獨(dú)特優(yōu)勢，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游緊密協(xié)同、

創(chuàng)新合作，有助于全面促進(jìn)全市乃至全省、全國集成電路產(chǎn)業(yè)核心競爭力和整體

發(fā)展水平提升，有力助推集成電路產(chǎn)業(yè)更好強(qiáng)鏈-補(bǔ)鏈-延鏈。

（代表企業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約儀式）

在市場化驅(qū)動(dòng)、政策引導(dǎo)和資本力量加持下，無錫“攻芯戰(zhàn)”版圖日漸生動(dòng)，

引領(lǐng)著一批新晉科技創(chuàng)新企業(yè)快速成長與壯大。

*無錫集成電路產(chǎn)業(yè)的實(shí)力與努力*

無錫作為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)主要發(fā)源地之一，半個(gè)多世紀(jì)以來專注強(qiáng)“芯”，

除了一批新晉企業(yè)之外，早已涌現(xiàn)出華潤微電子、中科芯、長電科技、SK 海力

士、華虹無錫、海太半導(dǎo)體、中環(huán)領(lǐng)先、卓勝微等一大批在業(yè)界有影響力的龍頭

企業(yè)和單打冠軍企業(yè)。

從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)來看，無錫是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)少有的涵蓋研發(fā)設(shè)計(jì)、制造、

封裝測試、裝備材料、支撐服務(wù)等環(huán)節(jié)的完整產(chǎn)業(yè)鏈的城市。具體來看，無錫在

設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展十分迅速，擁有一批掌握核心技術(shù)的上市企業(yè)，其中卓勝微是全省首

家上市的設(shè)計(jì)企業(yè)，為國內(nèi)射頻芯片龍頭企業(yè)；芯朋微、力芯微已在科創(chuàng)板上市；

新潔能則在上證所主板上市。

制造業(yè)規(guī)模龐大，無錫晶圓制造業(yè)開創(chuàng)了國內(nèi)代工先河，全省規(guī)模最大的

10 家晶圓制造企業(yè)有 7 家在無錫，分別為 SK 海力士、華潤微、無錫華虹、海辰

半導(dǎo)體、江陰新順、中微晶圓、東晨電子。

無錫在封裝測試業(yè)的規(guī)模、技術(shù)水平均處于全國領(lǐng)先，江蘇長電、全訊射頻、

海太半導(dǎo)體、盛合晶微等 4 家企業(yè)位居全省前十，其中江蘇長電位居全國第一、

全球第三。在核心技術(shù)攻關(guān)方面，無錫建有國家集成電路特色工藝及封裝測試創(chuàng)

新中心。

支撐業(yè)方面，無錫支撐配套業(yè)涵蓋了集成電路專用裝備、核心零部件以及原

材料的眾多門類，并在多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域取得領(lǐng)先地位，如江陰地區(qū)的化學(xué)試劑業(yè)為

全國第一；微導(dǎo)納米、邑文科技等自主研發(fā)的薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備等達(dá)到國

內(nèi)領(lǐng)先水平。

據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022 年，無錫市集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到 2091 億元，同比增長

15.2%。今年 1-6 月份，無錫市集成電路列統(tǒng)規(guī)上企業(yè) 219 家，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值 1065.48

億元，同比增長 9.5%。目前，無錫集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全省 1/2、全國 1/8，龍

頭企業(yè)集聚發(fā)展，14 家上市企業(yè)、34 家國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，超 300

家高新技術(shù)企業(yè)，預(yù)計(jì) 2025 年全市集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將超 2800 億元。

在產(chǎn)業(yè)生態(tài)方面，無錫先后獲批國家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地（全國共 8

家）、國家微電子高技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地（全國共 2 家）、國家“芯火”雙創(chuàng)基地（地級

市唯一），致力于以高水平支撐體系為產(chǎn)業(yè)發(fā)展賦能。

政策方面，無錫在 2016 年首次出臺集成電路專項(xiàng)政策，后續(xù)不斷迭代升級，

陸續(xù)制定出臺了《關(guān)于加快建設(shè)具有國際影響力的集成電路地標(biāo)產(chǎn)業(yè)的若干政

策》、《無錫市集成電路產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展三年行動(dòng)計(jì)劃（2023—2025 年）》等系列政

策，從支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大、企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展、項(xiàng)目加快建設(shè)、人才引進(jìn)培育、產(chǎn)業(yè)

協(xié)同發(fā)展、產(chǎn)業(yè)環(huán)境提優(yōu)等多方面制定了政策意見，著力注重集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展

的系統(tǒng)性、針對性和創(chuàng)新性。

同時(shí)，無錫也更加注重拿出“真金白銀”，加大補(bǔ)貼力度。今年 6 月推出的

新政將專項(xiàng)資金提高 3 倍，增至 3 億元，將有力支撐無錫建設(shè)具有國際影響力和

核心競爭力的集成電路地標(biāo)產(chǎn)業(yè)集群，引領(lǐng)全產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量發(fā)展。

在政策鼓勵(lì)和營商環(huán)境的有力加持下，一系列重點(diǎn)項(xiàng)目也正在持續(xù)助推無錫

集成電路攀升產(chǎn)業(yè)鏈高端。2023 年，無錫握有華虹制造、中環(huán)領(lǐng)先二期、長電

微電子微系統(tǒng)制造、盛合晶微三維多芯片封裝等一批新建在建項(xiàng)目，全年總投資

超 1700 億元。重大項(xiàng)目、龍頭企業(yè)頻頻“加碼”投資無錫，其背后邏輯不難分

析，一方面與產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向高度契合。近年來無錫市把集成電路產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略性新興

產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)發(fā)展，全方位提供產(chǎn)業(yè)“生態(tài)土壤”，為集成電路企業(yè)提供了發(fā)展的沃

土。

*結(jié)語*

“到 2025 年，力爭建成具有國際影響力的集成電路地標(biāo)產(chǎn)業(yè)集群”，這是

無錫為自己定下的遠(yuǎn)景目標(biāo)，更是無錫大力發(fā)展集成電路的決心和姿態(tài)。而這背

后亦是無錫立足產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢的自信自強(qiáng)。

未來，無錫將推進(jìn)“雙中心”建設(shè)，支持國家集成電路特色工藝及封裝測試

創(chuàng)新中心做大做強(qiáng)的同時(shí)，加快在信創(chuàng)芯片生態(tài)圈、車規(guī)級芯片創(chuàng)新圈、高端功

率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈“兩圈兩鏈”領(lǐng)域的快速布局，精準(zhǔn)發(fā)

力。同時(shí)，將持續(xù)深化設(shè)計(jì)企業(yè)與制造企業(yè)、材料裝備與制造企業(yè)、本地零部件

中小企業(yè)與裝備企業(yè)、資本與產(chǎn)業(yè)“四個(gè)對接”，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。

3.半導(dǎo)體材料，將強(qiáng)勢復(fù)蘇

（來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察 2023-08-13 ）

提供半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)務(wù)和技術(shù)信息的電子材料咨詢公司 TECHCET 宣布，鑒

于全行業(yè)經(jīng)濟(jì)放緩，材料供應(yīng)鏈庫存水平較高，2023 年半導(dǎo)體材料市場將至少

萎縮 3% 。今年的下降將導(dǎo)致半導(dǎo)體材料的收入總額降至 696 億美元，低于 2022

年報(bào)告的 71.7 美元。

TECHCET 預(yù)測 2024 年市場將強(qiáng)勁復(fù)蘇，材料總收入將增長 8%，達(dá)到近 750

億美元。預(yù)計(jì)未來 5 年復(fù)合年增長率為 4%，到 2027 年市場規(guī)模將達(dá)到 880 億

美元。

2023 年的經(jīng)濟(jì)放緩糾正了整個(gè)供應(yīng)鏈的材料供應(yīng)限制。隨著行業(yè)復(fù)蘇和全

球新晶圓廠的增加，對材料的需求將會增強(qiáng)。300 毫米晶圓、外延晶圓、一些特

種氣體以及可能的銅合金靶材的供應(yīng)預(yù)計(jì)將恢復(fù)緊張。

EUV 相關(guān)加工（復(fù)合年增長率 20%）和 3D NAND 制造（復(fù)合年增長率>5%）

的先進(jìn)光刻膠和輔助化學(xué)品將推動(dòng) 2024 年及以后的強(qiáng)勁市場需求。TECHCET 預(yù)

計(jì)，到 2027 年預(yù)測期內(nèi)，特種氣體市場的復(fù)合年增長率將超過 7%。

光刻膠市場預(yù)計(jì)將增長

正如 TECHCET 的新光刻材料關(guān)鍵材料報(bào)告中所提到，展望未來，市場預(yù)計(jì)

將保持強(qiáng)勁，2022-2027 年的 5 年復(fù)合年增長率為 4.1% ?！霸鲩L最快的光刻膠

產(chǎn)品是 EUV 和 KrF”。

用于“傳統(tǒng)”節(jié)點(diǎn)（如 I、G 和 KrF/248nm）的光刻膠材料也將支持市場的

持續(xù)增長。隨著三星、臺積電和英特爾等公司將一些工藝從 ArF 和 ArFi（193nm

和 193nm 沉浸式 193i）轉(zhuǎn)向 EUV 和 193i 的組合，EUV 產(chǎn)量正在不斷增加。

美光和 SK 海力士預(yù)計(jì)也會效仿。

由于晶圓廠擴(kuò)建和其他國際供應(yīng)商的出口限制，為臺灣臺積電和韓國三星提

供支持的小型光刻膠公司正在當(dāng)?shù)厥袌稣痉€(wěn)腳跟。盡管日本政府（2023 年 3 月

之前）限制向韓國和中國出口某些光刻膠供應(yīng)，但總部位于日本的光刻膠公司目

前占據(jù)光刻膠市場 75-90% 的份額。雖然其中一些限制已經(jīng)取消，但地緣政治貿(mào)

易中斷推動(dòng)了中國大陸、臺灣地區(qū)和韓國當(dāng)?shù)夭牧瞎?yīng)商的本土化。

4.2023 年將有 13 座新的 12 英寸晶圓廠投產(chǎn)！

（來源：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 2023-08-14 ）

2023 年將有 13 座新的 12 英寸晶圓廠投產(chǎn)。據(jù) Knometa Research 稱，這些

新晶圓廠將主要生產(chǎn)功率晶體管、先進(jìn)邏輯芯片和代工服務(wù)。

根據(jù)截至2022年底的建設(shè)計(jì)劃，15座12英寸晶圓廠將于2024年投入運(yùn)營。

到 2025 年，計(jì)劃新建的晶圓廠數(shù)量將創(chuàng)歷史新高，其中 17 座將開始生產(chǎn)。根據(jù)

Knometa2023 年全球晶圓產(chǎn)能研究估計(jì)，到 2027 年，預(yù)計(jì)將有超過 230 座 12 英

寸晶圓廠投入運(yùn)營。

（2023 年新投產(chǎn)的 12 英寸廠）

Knometa 指出，在 2023 年開業(yè)的 13 座 12 英寸晶圓廠中，有 5 座專注于非

IC 產(chǎn)品的生產(chǎn)。今年首次亮相的新 12 英寸晶圓廠中有三分之二用于代工服務(wù)，

其中四個(gè)完全致力于為其他公司代工制造半導(dǎo)體。

5.目標(biāo)規(guī)模 50 億元，浙江省擬設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)基金

（來源：全球半導(dǎo)體觀察 2023-08-14）

為服務(wù)《浙江省“415X”先進(jìn)制造業(yè)集群建設(shè)行動(dòng)方案（2023—2027 年）》

和組建浙江省“415X”產(chǎn)業(yè)集群專項(xiàng)基金的戰(zhàn)略部署，日前浙江省產(chǎn)業(yè)基金（以

下簡稱“省產(chǎn)業(yè)基金”）擬聯(lián)合紹興國有出資主體和社會資本組建設(shè)立浙江省集

成電路產(chǎn)業(yè)基金，目標(biāo)規(guī)模 50 億元人民幣。

浙江省集成電路產(chǎn)業(yè)基金將重點(diǎn)支持集成電路設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)

鏈為主的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，高水平助力建設(shè)浙江特色現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系。

(圖片來源：浙江省財(cái)政廳公告截圖)

6.日本或更可能實(shí)施對光刻機(jī)/薄膜沉積設(shè)備的出口管制

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-28）

日本對華半導(dǎo)體設(shè)備出口禁令于 7 月 23 日正式生效，此次出口管制共

計(jì) 23 品類半導(dǎo)體設(shè)備，涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗(yàn)

等。相關(guān)咨詢公司對此指出，未來對光刻和薄膜沉積設(shè)備的限制更有可能

實(shí)施，從而影響中國先進(jìn)的半導(dǎo)體制造。

在光刻設(shè)備方面，荷蘭 ASML 和日本尼康、佳能公司是主要供應(yīng)商，占

據(jù)全球 95%以上的市場份額；在刻蝕設(shè)備方面，美國泛林集團(tuán)、應(yīng)用材料和

日本東京電子（TEL）是主要參與者，全球市場份額合計(jì)超過 90%；在薄膜

沉積設(shè)備方面，主要廠商有美國 KLA、應(yīng)用材料及日本日立、東京電子和

Ulvac（真空技術(shù)株式會社），此外還有瑞士 Evatec 和荷蘭 ASM。總的來說，

這些公司約占全球市場份額的 80-90%。

海關(guān)數(shù)據(jù)研究顯示，2022 年中國半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口的 60%以上仍來自美

國、日本和荷蘭，其中日本仍是中國最大的半導(dǎo)體設(shè)備來源國，約占進(jìn)口

額的 30%。

日本近一半的出口管制與薄膜加工設(shè)備有關(guān)。然而，此類設(shè)備涉及多

種工藝。在此背景下，出口管制將主要針對諸如采用鈷和釕等材料進(jìn)行先

進(jìn)工藝的金屬互連沉積設(shè)備、用于 40nm 以下工藝的原子層沉積（ALD）設(shè)

備，以及多圖案化工藝所需的硬掩膜沉積設(shè)備。

對于光刻設(shè)備，日本浸潤式深紫外（DUV）光刻設(shè)備的出口可能會受到

影響。盡管日本不生產(chǎn)極紫外（EUV）光刻設(shè)備，但分析指出，管制措施仍

將針對 EUV 掩膜沉積設(shè)備、與 EUV 工藝涂層和開發(fā)相關(guān)的設(shè)備，以及用于

EUV 設(shè)備的空白或預(yù)曝光掩膜的檢查設(shè)備。

值得注意的是，在刻蝕設(shè)備方面，日本對硅鍺（SiGe）的濕法刻蝕和

干法刻蝕設(shè)備都有限制。相比之下，對于硅等其他材料，管制措施僅涉及

干法刻蝕設(shè)備。分析人士認(rèn)為，日本對硅鍺刻蝕設(shè)備出口管制更加嚴(yán)格，

主要是由于硅鍺器件會廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事等行業(yè)。

7.電子新材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目封頂，將新建 20 余條第三代半

導(dǎo)體材料應(yīng)用等生產(chǎn)線

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-19）

近日，姜譚經(jīng)開區(qū)電子新材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目研發(fā)大樓主體結(jié)構(gòu)封頂，電

子新材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目是市、區(qū)重點(diǎn)項(xiàng)目，總占地面積 88 畝，計(jì)劃建設(shè) 10

萬平方米生產(chǎn)廠房及技術(shù)研發(fā)大樓等輔助設(shè)施，新建 20 余條第三代半導(dǎo)體

材料應(yīng)用、封裝測試等生產(chǎn)線。

主要生產(chǎn)半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅、砷化鎵等晶圓、芯片以及相關(guān)半導(dǎo)

體智能科技應(yīng)用產(chǎn)品，在 5G 通信、航空航天、物聯(lián)網(wǎng)等諸多重要領(lǐng)域有廣

泛的應(yīng)用前景。

項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值達(dá) 30 億元，未來 5 年總體拉動(dòng)產(chǎn)值規(guī)模

將突破 100 億元。同時(shí)將進(jìn)一步完善全區(qū)電子信息上下游產(chǎn)業(yè)鏈條，帶動(dòng)

傳感器、微電子等相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

8.臺積電美國廠導(dǎo)入首臺 EUV 光刻機(jī)

（來源：半導(dǎo)體前沿 2023-08-20 ）

8 月 19 日，據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，臺積電美國亞利桑那州廠導(dǎo)入當(dāng)?shù)氐谝?/p>

臺極紫外光（EUV）設(shè)備。

臺積電在亞利桑那州投資設(shè)立 2 座先進(jìn)晶圓廠，第 1 座晶圓廠目前已

完成硬體建筑，正進(jìn)行數(shù)千臺先進(jìn)及精密設(shè)備安裝作業(yè)，包含亞利桑那州

第一臺 EUV 設(shè)備; 第 2 座晶圓廠建設(shè)也順利進(jìn)展。

美國亞利桑那州鳳凰城市長日前赴臺積電亞利桑那州廠參訪，并表示，

臺積電投資鳳凰城，將使鳳凰城成為世界最先進(jìn)半導(dǎo)體的中心，最先進(jìn)的

微晶片很快就會在鳳凰城制造。

臺積電表示，將致力與供應(yīng)商合作創(chuàng)造當(dāng)?shù)鼐蜆I(yè)機(jī)會，同時(shí)提供具包

容性的工作環(huán)境，努力建立可持續(xù)的供應(yīng)鏈。臺積電亞利桑那州第 1 座晶

圓廠預(yù)計(jì) 2025 年量產(chǎn) 4 納米制程芯片。

綜合日經(jīng)亞洲和路透社報(bào)道，臺積電在美國亞利桑那州設(shè)立的新廠計(jì)

劃在 2024 年投入使用，而在第一廠附近設(shè)立的第二座工廠則將于 2026 年

運(yùn)行。

臺積電于 2020 年 5 月宣布在亞利桑那州建廠，最初承諾投入 120 億美

元。去年 12 月，該公司將投資增加到 400 億美元，并計(jì)劃用更先進(jìn)的——

雖然不是最先進(jìn)的——芯片制造技術(shù)升級工廠。臺積電最初設(shè)定該工廠將

于 2024 年開始量產(chǎn)，但近期又將量產(chǎn)時(shí)間推遲至 2024 年底，以便增加更

多緩沖時(shí)間來處理不確定性因素。

9.中芯國際“晶圓清洗方法”專利獲授權(quán)!

（來源：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 2023-08-24）

近 日 ，據(jù) 國 家 知 識 產(chǎn) 權(quán) 局 官 網(wǎng) 消 息 ，中 芯 國 際 專 利 名 稱 為“ 晶

圓 的 清 洗 方 法 ”的 法 律 狀 態(tài) 為 已 獲 授 權(quán) ，公 開 號 為 C N 1 1 1 5 8 4 3 4 0 B。

（ 圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)截圖 ）

中芯國際 專 利 指 出 ，目 前 在 半 導(dǎo) 體 器 件 的 制 造 工 藝 中 ，經(jīng) 常

會 在 具 有 疊 層 結(jié) 構(gòu) 的 半 導(dǎo) 體 器 件 表 面 上 形 成 凸 凹 不 平 的 結(jié) 構(gòu) ，通

常使用化學(xué)機(jī)械研磨 ( C M P )工藝平整凸凹不平的表面?；瘜W(xué)機(jī)械

研 磨 亦 稱 為 化 學(xué) 機(jī) 械 拋 光 ，是 目 前 機(jī) 械 加 工 中 唯 一 可 以 實(shí) 現(xiàn) 表 面

全 局 平 坦 化 的 技 術(shù) 。在 化 學(xué) 機(jī) 械 研 磨 工 藝 之 后 ，研 磨 液 中 的 顆 粒

成 為 缺 陷 微 粒 存 在 于 晶 圓 表 面 ，因 此 必 須 從 晶 圓 表 面 完 全 除 去 才

能 保 持 半 導(dǎo) 體 器 件 的 可 靠 性 和 生 產(chǎn) 線 的 清 潔 度 。鑒 于 此 ，實(shí) 有 必

要 提 出 一 種 晶 圓 的 清 洗 方 法 ，以 提 升 清 洗 效 果 ，從 而 提 高 產(chǎn) 品 的

良率。

專 利 摘 要 顯 示 ，一 種 晶 圓 的 清 洗 方 法 ，包 括 以 下 步 驟 ：提 供

晶圓；清洗所述晶圓表面，清洗后的所述晶圓表面呈正電性，晶

圓 表 面 殘 留 物 具 有 負(fù) 電 性 ；調(diào) 節(jié) 所 述 晶 圓 表 面 電 性 或 所 述 殘 留 物

的 電 性 ，使 所 述 晶 圓 表 面 和 所 述 殘 留 物 的 呈 相 同 電 性 ；對 所 述 晶

圓表面進(jìn)行干燥，去除所述殘留物。根據(jù)同性相斥的原理，經(jīng)過

調(diào) 節(jié) 后 所 述 殘 留 物 與 所 述 晶 圓 表 面 電 性 相 同 ，因 此 所 述 殘 留 物 不

會 粘 附 在 所 述 晶 圓 的 表 面 ，而 是 懸 浮 在 晶 圓 表 面 的 液 膜 內(nèi) 。在 后

續(xù) 的 干 燥 過 程 中 ，懸 浮 在 液 膜 內(nèi) 的 殘 留 物 會 隨 著 液 膜 一 起 被 去 除 ，

提高了產(chǎn)品良率。

10.全球首個(gè)碳化硅半導(dǎo)體外延晶片 SEMI 國際標(biāo)準(zhǔn)正式

發(fā)布

（來源：半導(dǎo)體在線 2023-08-24）

今年第二季度，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）正式發(fā)布了碳化硅半導(dǎo)

體外延晶片全球首個(gè) SEMI 國際標(biāo)準(zhǔn) — — 《 4H-Si 同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》

（Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer）。

此標(biāo)準(zhǔn)由瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司主導(dǎo)編寫，由中國

科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司、Wolfspeed 等十二

家單位參與編寫，歷時(shí)近三年時(shí)間。

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）是全球性的產(chǎn)業(yè)協(xié)會，致力于國際標(biāo)準(zhǔn)

的制定，積極促進(jìn)微電子、平面顯示器及太陽能光電等產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的整體

發(fā)展，代表著全球各地產(chǎn)業(yè)的呼聲和需求，是行業(yè)發(fā)展趨勢的風(fēng)向標(biāo)。

《4H-SiC 同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》這一國際標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布實(shí)施，將在規(guī)范國際碳化

硅半導(dǎo)體外延行業(yè)有序發(fā)展，降低國際貿(mào)易協(xié)作成本，加速新技術(shù)在全球

的推廣等方面具有深遠(yuǎn)的意義。

11.國內(nèi)兩個(gè)集成電路學(xué)院迎新動(dòng)態(tài)

（來源：全球半導(dǎo)體觀察 2023-08-21）

“CEC 中國電子”消息，8 月 18 日中國電子與南京航空航天大學(xué)圍繞共建集

成電路學(xué)院和大數(shù)據(jù)研究院進(jìn)行深入交流并簽署合作備忘錄。

中國電子表示，中國電子與南航簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，就人才聯(lián)合培養(yǎng)、科研

協(xié)同攻關(guān)、科技成果轉(zhuǎn)化、創(chuàng)新平臺共建等方面開展深入合作，并取得階段性成

效。希望雙方在現(xiàn)有合作框架下，圍繞“解難題、夯基礎(chǔ)、育人才”三個(gè)方面，

進(jìn)一步厘清、量化具體目標(biāo)，聚合優(yōu)勢資源，通過共建集成電路學(xué)院、大數(shù)據(jù)研

究院，聚焦破解制約企業(yè)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”問題，夯實(shí)基礎(chǔ)科學(xué)根基，培

育符合未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求的高端人才，推動(dòng)合作取得務(wù)實(shí)成果，攜手打造具有全

球競爭力的世界一流企業(yè)和中國特色世界一流大學(xué)。

另據(jù)泉州信息工程學(xué)院消息，近日，福建省教育廳公布福建省第二批現(xiàn)代產(chǎn)

業(yè)學(xué)院項(xiàng)目立項(xiàng)名單，共有 13 個(gè)項(xiàng)目獲得立項(xiàng)，泉州信息工程學(xué)院申報(bào)的集成

電路現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院成功入選。泉州信息工程學(xué)院集成電路現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院由福建省

集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)籌備工作組、勝科納米（福建）有限公司、渠梁電子有限

公司、晉江三伍微電子有限公司等聯(lián)合組建，以新一代信息技術(shù)人才培養(yǎng)為核心，

以集成電路設(shè)計(jì)、封裝測試、芯片診斷技術(shù)創(chuàng)新為突破，實(shí)現(xiàn)“教育鏈-創(chuàng)新鏈產(chǎn)業(yè)鏈-人才鏈”有機(jī)銜接，打造政產(chǎn)學(xué)研用價(jià)值共同體，培養(yǎng)高素質(zhì)應(yīng)用型人

才，服務(wù)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

12.簽約、開工、投產(chǎn)…國內(nèi)又一批半導(dǎo)體項(xiàng)目有新進(jìn)展

（來源：全球半導(dǎo)體觀察 2023-08-21）

近期，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)動(dòng)態(tài)頻頻，簽約、開工、投產(chǎn)等消息不斷傳出，

項(xiàng)目涵蓋第三代半導(dǎo)體、封裝測試、半導(dǎo)體材料、車規(guī)級芯片等領(lǐng)域，涉

及企業(yè)包括有研硅、朗科科技、長電科技、艾為電子等。

·韶關(guān)首家芯片半導(dǎo)體封測企業(yè)投產(chǎn)

據(jù)“Netac 朗科科技”消息，8 月 18 日，韶關(guān)朗正數(shù)據(jù)半導(dǎo)體有限公

司（以下簡稱“韶關(guān)朗正”）在韶關(guān)舉行開業(yè)儀式。

據(jù)悉，目前，該公司的生產(chǎn)設(shè)備正在安裝調(diào)試中，預(yù)計(jì) 9 月初將具備

生產(chǎn)能力。首期預(yù)期月產(chǎn)能達(dá)到 3KK 顆 BGA、1KK 的 UDP 和 2KK 的 TF 卡。

韶關(guān)朗正提供 Flash BGA、TF 卡、U 盤、eMMC、eMCP 等多種存儲類封

裝產(chǎn)品，并具有完善的封測制造工廠。其產(chǎn)品應(yīng)用廣泛，涉及手機(jī)、平板、

游戲機(jī)、車載存儲、可穿戴設(shè)備等，還提供存儲類產(chǎn)品的解決方案。

·山東有研刻蝕設(shè)備用硅材料及硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工

8 月 18 日，山東有研刻蝕設(shè)備用硅材料及硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工儀式在天

衢新區(qū)舉行，計(jì)劃打造國內(nèi)領(lǐng)先集成電路關(guān)鍵材料基地。項(xiàng)目總投資 7.4

億元，預(yù)計(jì) 2025 年投產(chǎn)。

其中，刻蝕設(shè)備用硅材料項(xiàng)目總投資 3.57 億元，主要生產(chǎn)大尺寸單晶

硅部件加工品，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后年新增硅材料 204 噸；8 英寸硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目總投

資 3.84 億元，全部達(dá)產(chǎn)后新增 8 英寸硅片產(chǎn)品 120 萬片/年的生產(chǎn)能力。

·華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地開工

8 月 17 日，珠海高新區(qū) 2023 年第三季度重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工活動(dòng)在高新

區(qū)北沙三生產(chǎn)業(yè)園舉行。本次集中開工重點(diǎn)項(xiàng)目 25 個(gè)，總投資 451.6 億元，

當(dāng)年計(jì)劃投資 16.29 億元。

其中，包括由格力集團(tuán)投資打造的全市產(chǎn)業(yè)立柱項(xiàng)目——華芯（珠海）

半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地，以及格創(chuàng)·芯谷 5.0 產(chǎn)業(yè)新空間二期項(xiàng)目。

據(jù)了解，今年 3 月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，助力

華芯珠海核心團(tuán)隊(duì)完成數(shù)億元融資，“以投促引”推動(dòng)華芯 (珠海) 半導(dǎo)

體砷化緣總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶珠海，并在珠海投資建設(shè)總投資約 34 億元.

產(chǎn)能達(dá) 1.5 萬片/月的 6 寸砷化晶圓代工廠。

·沈陽賀利氏信越石英半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項(xiàng)目主廠房已封頂

8 月 17 日，沈陽賀利氏信越石英半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項(xiàng)目主廠房已成功封

頂，進(jìn)入機(jī)電安裝施工階段。據(jù)了解，該生產(chǎn)基地主要生產(chǎn)高精密度半導(dǎo)

體石英系列產(chǎn)品，計(jì)劃于 2024 年投產(chǎn)運(yùn)行。該項(xiàng)目主要生產(chǎn)高精密度半導(dǎo)

體石英系列產(chǎn)品，包括硅片承載器、石英管、石英舟、集成電路產(chǎn)業(yè)裝備

配件等，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值 5.6 億元。

·領(lǐng)存技術(shù)集成電路封裝生產(chǎn)測試項(xiàng)目簽約

8 月 15 日，許昌市魏都區(qū)人民政府與深圳市領(lǐng)存技術(shù)有限公司簽約集

成電路封裝生產(chǎn)測試項(xiàng)目。此次簽約的集成電路封裝生產(chǎn)測試基地項(xiàng)目總

投資約 10 億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可達(dá)每年 540 萬顆，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超 20 億

元。

·電子新材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目封頂

近日，陜西寶雞市姜譚經(jīng)開區(qū)電子新材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目研發(fā)大樓主體結(jié)

構(gòu)封頂，新建 20 余條第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用、封裝測試等生產(chǎn)線。主要生

產(chǎn)半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅、砷化鎵等晶圓、芯片以及相關(guān)半導(dǎo)體智能科技

應(yīng)用產(chǎn)品，在 5G 通信、航空航天、物聯(lián)網(wǎng)等諸多重要領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前

景。

項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值達(dá) 30 億元，未來 5 年總體拉動(dòng)產(chǎn)值規(guī)模將突

破 100 億元。同時(shí)將進(jìn)一步完善全區(qū)電子信息上下游產(chǎn)業(yè)鏈條，帶動(dòng)傳感

器、微電子等相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

·長電、艾為等項(xiàng)目集中開工

8 月 15 日，上海臨港新片區(qū)舉行四周年重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目集中開工儀式。

本次集中開工的重點(diǎn)項(xiàng)目共 12 個(gè)，總投資 288 億元，包括長電汽車芯片成

品制造封測一期項(xiàng)目、艾為電子車規(guī)級可靠性測試中心建設(shè)項(xiàng)目等。

·立琻半導(dǎo)體首條半導(dǎo)體紫外光源芯片產(chǎn)線量產(chǎn)

近日，蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“立琻半導(dǎo)體”）基于第

三代半導(dǎo)體的首條紫外光源芯片產(chǎn)線正式量產(chǎn)。

目前量產(chǎn)的半導(dǎo)體紫外光源芯片，其外延材料質(zhì)量、芯片性能均達(dá)到

國內(nèi)一流水平，功率大、效率高、可靠性好，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)固化、醫(yī)

療機(jī)械、空氣水消殺等。量產(chǎn)后，該產(chǎn)線年產(chǎn)芯片可達(dá) 1.2 萬片，年產(chǎn)值

超億元。

三、時(shí)政分析及影響

1.南京浦口擬推“芯”政

(來源：全球半導(dǎo)體觀察 2023-08-15 )

近期，南京浦口擬發(fā)布促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干措施；8 月 14 日，

南京市浦口區(qū)人民政府發(fā)布關(guān)于《浦口區(qū)促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干措施》

（以下簡稱《若干措施》）公開征求意見的公告。以下是《若干措施》具體內(nèi)容：

（內(nèi)容摘要）

(圖片來源：南京市浦口區(qū)人民政府公告截圖)

鼓勵(lì)企業(yè)做大做強(qiáng)，按年度營業(yè)收入不同給予企業(yè)資金獎(jiǎng)勵(lì)。

鼓勵(lì)加大核心設(shè)備投入，對集成電路企業(yè)購買核心設(shè)備給予資金補(bǔ)貼。集成

電路企業(yè)購買核心設(shè)備（單一設(shè)備原值 20 萬元及以上）1000 萬元及以上的，按

其年度實(shí)際支付費(fèi)用給予 10%的補(bǔ)貼，每家企業(yè)補(bǔ)貼總額最高 2000 萬元。

支持企業(yè)科技創(chuàng)新，對集成電路設(shè)計(jì)類企業(yè)、制造類企業(yè)、公共服務(wù)類企業(yè)

購買 EDA license 授權(quán)、升級或工具套件，進(jìn)行高端芯片、先進(jìn)或特色工藝研發(fā)

生產(chǎn)，按照實(shí)際支付費(fèi)用給予補(bǔ)貼。加強(qiáng)對集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)流片支持，對于進(jìn)

行多項(xiàng)目晶圓（MPW）流片、首輪全掩膜（Full Mask）工程產(chǎn)品流片的企業(yè)給予

補(bǔ)貼。

鼓勵(lì)創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化，鼓勵(lì)集成電路企業(yè)申報(bào)創(chuàng)新產(chǎn)品、專精特新產(chǎn)品、首

臺（套）重大裝備等資質(zhì)，并推動(dòng)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，按照年度內(nèi)銷售產(chǎn)品及金額給

予補(bǔ)貼等。

鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)資源聯(lián)動(dòng)，鼓勵(lì)集成電路平臺類企業(yè)提供 EDA 租用、IP 復(fù)用、仿

真加速器等服務(wù)，鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)鏈廠商、系統(tǒng)方案集成商采購集成電路產(chǎn)品、設(shè)備、

材料、耗材等，鼓勵(lì)設(shè)計(jì)公司開展晶圓功能性、可靠性、兼容性測試（含中測、

成測）、失效分析、封裝等業(yè)務(wù)，按照不同類型給予資金補(bǔ)貼。

加大重大項(xiàng)目招引，對新落戶“芯片設(shè)計(jì)類、晶圓制造類、封裝測試及系統(tǒng)

集成類”項(xiàng)目的研發(fā)和固定資產(chǎn)投入給予不同程度補(bǔ)貼。

四、觀察與思考

日本的晶圓代工，為何沒發(fā)展起來?

（內(nèi)容來源： 全球半導(dǎo)體行業(yè)觀察、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究院等）

日本現(xiàn)在正在大力發(fā)展晶圓廠，這也從側(cè)面體現(xiàn)了他們在這個(gè)領(lǐng)域的失敗。

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)興起于 20 世紀(jì) 50 年代，20 世紀(jì) 90 年代發(fā)展成為除美國之

外的半導(dǎo)體出口大國。目前，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擁有 30 多家大型企業(yè)，其中包括

東京電子、愛德萬測試等世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，以及瑞薩、日立、電裝、

富士通、三菱電子等擁有眾多晶圓廠的 IDM 企業(yè)。

自 2000 年以來，日本在國際 IC 出口中的份額從 14% 下降到 2014 年的

不到 5%，而中國、臺灣和韓國則不斷上升（圖 1，來源 SIA 2018）。盡管如此，

一些日本 IDM 仍然在電力電子、光學(xué) CMOS 傳感器、MEMS 和 3D NAND 等專用行業(yè)

領(lǐng)域保持世界領(lǐng)先地位。

在 2015 到 2020 年間，日本 300 毫米晶圓廠最大的投資主要集中在東芝

（NAND 閃存）、索尼（圖像傳感器）和日本美光內(nèi)存（DRAM）。邏輯和功率 IDM 的

新投資主要集中在升級和擴(kuò)大現(xiàn)有產(chǎn)能上，而不是建設(shè)新晶圓廠。

日本的硅代工廠主要是從富士通和松下等領(lǐng)先的 IDM 中剝離出來的，這些

IDM 的雄心是通過獨(dú)立組織向國際客戶群提供半導(dǎo)體制造服務(wù)。截至 2015 年，

日本僅占全球代工產(chǎn)能的 2%，大部分晶圓廠專注于 200mm 晶圓，而將先進(jìn)節(jié)點(diǎn)

制造留給了中國臺灣、中國大陸和美國的競爭對手（圖 2，SIA 2018）。

隨著新唐收購松下的代工業(yè)務(wù)，剩下的主要日本企業(yè)之一消失了。此前，松

下已經(jīng)剝離了代工部門，并將其大部分股權(quán)投入與塔半導(dǎo)體的合資企業(yè)。剩下的

日本代工廠商代表了新日本無線電、日本半導(dǎo)體（前東芝）和 Phenetics 等小

型代工廠，主要在 6 英寸和 8 英寸晶圓領(lǐng)域服務(wù)利基技術(shù)。

此外，日立和富士通等一些大型 IDM 也提供代工服務(wù)。富士通曾是日本最

大的晶圓代工企業(yè)，每月產(chǎn)能超過 17 萬片晶圓，但 2020 年又將桑名和福島的

晶圓廠出售給聯(lián)華電子和安森美半導(dǎo)體，幾乎完全擺脫了代工業(yè)務(wù)。那就讓富士

通到了 2020 年左右僅保留一座小型 6 英寸晶圓廠。顯而易見，來自臺灣和美國

的中型國際晶圓代工企業(yè)趁機(jī)收購了一些領(lǐng)先的晶圓廠（見圖 3）。

作為大型國際代工公司的一部分，這為這些晶圓廠創(chuàng)造了必要的規(guī)模經(jīng)濟(jì)和

接觸國際代工客戶群的機(jī)會。另一方面，UMC 和 TowerJazz 能夠進(jìn)入日本客戶

群，并通過收購獲得圖像傳感器等有價(jià)值的 IP 領(lǐng)域。與日本 IDM 的領(lǐng)先地位

相反，日本僅在有限范圍內(nèi)提供功率分立代工服務(wù)。

為什么日本的代工業(yè)務(wù)沒有取得成功？

為了回答這個(gè)問題，我們可以從以下四個(gè)角度來看。

1）制造業(yè)務(wù)市場進(jìn)入時(shí)機(jī)

2)存在自有半導(dǎo)體工廠

3)缺乏成本控制和有限的無晶圓廠轉(zhuǎn)型

4)聚焦狹窄細(xì)分市場

晶圓代工業(yè)務(wù)進(jìn)入市場的時(shí)機(jī)：如上一段所述，日本是半導(dǎo)體領(lǐng)域的早期領(lǐng)導(dǎo)

者之一，專注于集成器件制造商，其垂直整合的業(yè)務(wù)模式將研發(fā)、制造、供應(yīng)鏈

管理和銷售整合為單一實(shí)體。另一方面，臺灣半導(dǎo)體市場從 20 世紀(jì) 80 年代末開

始發(fā)展，由于要素成本差異，重點(diǎn)關(guān)注電子制造。日本 IDM 的深度關(guān)注使得打

造精益代工部門變得困難。

自營半導(dǎo)體工廠：日本工廠作為綜合制造單位的關(guān)注，是價(jià)值數(shù)十億美元的工

業(yè)集團(tuán)的一部分，激勵(lì)了卓越的產(chǎn)品性能和質(zhì)量，但并不一定需要獲得標(biāo)準(zhǔn)化、

實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)、靈活性和銷售方面的能力向國外客戶提供制造能力。結(jié)果，日本

鑄造廠在贏得國際客戶和培養(yǎng)適應(yīng)客戶需求的世界一流服務(wù)提供商心態(tài)方面遇

到了困難。

缺乏成本控制和有限的無晶圓廠轉(zhuǎn)型：日本半導(dǎo)體行業(yè)能夠在 20 世紀(jì) 90

年代成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，很大程度上歸功于兩個(gè)因素。政府補(bǔ)貼支持

IDM 內(nèi)的研發(fā)和設(shè)備支出，以及與美國和西歐相比的要素成本優(yōu)勢。另一方面，

與美國、中國大陸和中國臺灣相反，日本只出現(xiàn)了數(shù)量非常有限的無晶圓廠半導(dǎo)

體公司。這抑制了對本土代工服務(wù)的依賴，以實(shí)現(xiàn) ASIC。隨著幾次經(jīng)濟(jì)危機(jī)、

自然災(zāi)害（福島）和國家對半導(dǎo)體補(bǔ)貼的減弱，效率低下變得顯而易見，日本企

業(yè)集團(tuán)還沒有準(zhǔn)備好進(jìn)一步增加資本投資，以保持領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)的競爭。

專注于狹窄的細(xì)分市場：日本半導(dǎo)體廠商在功率分立器件、模塊、DRAM 和

閃存等狹窄且明確定義的細(xì)分市場中表現(xiàn)出色，這些細(xì)分市場非常適合垂直整合

公司的標(biāo)準(zhǔn)化、以流程為中心的方法。相反，美國、韓國和臺灣的代工廠擅長將

自己定位為多功能服務(wù)提供商。加上前面提到的高利潤業(yè)務(wù)向無晶圓廠行業(yè)的轉(zhuǎn)

變，日本代工廠處于不利地位。

國產(chǎn)光刻機(jī)研發(fā)最新難點(diǎn)在哪？

（內(nèi)容來源：半導(dǎo)體技術(shù)天地、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟等 ）

現(xiàn)代高科技生產(chǎn)，光刻機(jī)是個(gè)繞不過去的坎。不僅芯片生產(chǎn)需要光刻

機(jī)，內(nèi)存條生產(chǎn)、固態(tài)硬盤生產(chǎn)，甚至液晶屏幕的生產(chǎn)等領(lǐng)域都需要高端

的光刻機(jī)。有朋友可能會說：非得用極紫外光刻機(jī)嗎？就沒有其他技術(shù)可

以替代嗎？答案是：有其他技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)，而且還不止一種。比如激光直

寫技術(shù)、X 射線光刻、電子束光刻、原子力顯微鏡打印、納米壓印等技術(shù)都

可以用來制作高端芯片。但是目前沒有任何一項(xiàng)技術(shù)從生產(chǎn)效率上、生產(chǎn)

成本上、產(chǎn)業(yè)鏈成熟度上可以跟現(xiàn)有的光刻機(jī)相媲美。

眼下來說，想快速發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)，還是要在光刻機(jī)上下功夫。但是經(jīng)

過幾十年的發(fā)展，我國在光刻機(jī)領(lǐng)域跟人家的差距似乎越來越大了，到底

光刻機(jī)研發(fā)的難點(diǎn)在哪里？

光刻機(jī)實(shí)際上并不是用激光來雕刻芯片，名字里有個(gè)“刻”字，但實(shí)

際工作流程并不涉及“刻”的過程。芯片生產(chǎn)用光刻機(jī)的工作更像復(fù)印機(jī)

或者照相機(jī)，把掩膜板上的圖案照射到涂在晶圓上的光刻膠上，讓膠片曝

光。曝光后的膠片分成了兩部分，一部分可以溶解于特殊試劑，另一部分

不能。下面的工作交接給蝕刻機(jī)，蝕刻機(jī)才是要完成刻的工作，不溶解的

那部分光刻膠可以保護(hù)下面的晶圓不被蝕刻，用特殊試劑可以在晶圓上有

選擇的蝕刻出電路圖案來，光刻機(jī)只是完成曝光，不進(jìn)行光刻。

很多人說極紫外光刻機(jī)是全世界最頂級的工業(yè)產(chǎn)品的集合，中國短期

內(nèi)沒有可能研發(fā)成功極紫外光刻機(jī)。說實(shí)話，我們想研發(fā)一款可以使用的

極紫外光刻機(jī)，難度是不小的，但也沒有難到天上去，只要肯投入，付出

金錢和時(shí)間遲早是可以攻克的。

光刻機(jī)研發(fā)最大的難點(diǎn)是光學(xué)系統(tǒng)，說白了就是光源，透鏡和反光鏡，

我們身邊隨處都可以見到反光鏡和透鏡，但這些鏡片用來做光刻機(jī)是不符

合要求的，必須用特制的鏡片才行。于是很多人認(rèn)為只有德國蔡司的鏡頭

才是合格的鏡頭，國產(chǎn)的鏡頭差點(diǎn)不是一點(diǎn)半點(diǎn)。其實(shí)并不是這樣的，國

產(chǎn)的光學(xué)器件并不是那樣的不堪，我們的航天事業(yè)蓬勃發(fā)展，大量衛(wèi)星使

用的都是國產(chǎn)光學(xué)器件，已經(jīng)發(fā)射的空間站還會搭配一個(gè)類似哈勃望遠(yuǎn)鏡

的太空望遠(yuǎn)鏡，使用的也是國產(chǎn)光學(xué)器件，這足以說明我國的國產(chǎn)光學(xué)器

件是沒有問題的。

另外我國的長春光機(jī)所早就研制出了 90 納米光刻機(jī)使用的投影光刻物

鏡，充分說明我國光學(xué)器件的研發(fā)水平已經(jīng)比較先進(jìn)了。

光刻機(jī)的光學(xué)器件難點(diǎn)，并不在鏡片生產(chǎn)上，而在于校準(zhǔn)、調(diào)試和成

像質(zhì)量補(bǔ)償上。其實(shí)就算能買到德國蔡司的鏡頭，也不能保證就生產(chǎn)出合

格的光刻機(jī)來出。光刻機(jī)使用的鏡頭經(jīng)常不是一次成型，而是要在調(diào)試的

過程中不斷打磨優(yōu)化，直到符合要求，而且一臺儀器的一組鏡片，并不是

只有一個(gè)透鏡，而是十幾個(gè)甚至二三十個(gè)透鏡的組合。任何一個(gè)透鏡有輕

微誤差，都難以造出合格的光刻機(jī)。

極紫外光刻機(jī)更困難的一個(gè)原因是原有的成熟鏡片完全不能使用。因

為所有的材料都會吸收極紫外光，極紫外光不能再靠透鏡來聚光，只能用

反射鏡。要造極紫外光刻機(jī)，所有的光路和材料都必須重新設(shè)計(jì)。普通的

鏡子即使加工再精良，也不能用到極紫外光的反射上。因?yàn)槠胀ㄧR子的材

料會嚴(yán)重吸收極紫外光，尤其是還有氧元素和碳元素的材料，特別愛吸收

極紫外光。

目前使用的反光鏡必須在表面上鍍上均勻的鉬硅多層高反射率薄膜，

也叫鉬硅多層膜。這個(gè)反射鏡的制作和使用流程非常嚴(yán)格，首先鍍膜得均

勻，不能含有雜質(zhì)，而且必須在真空狀態(tài)下使用。其次加工好以后，其表

面完整度必須非常高，得達(dá)到納米級，嚴(yán)格保證聚光效果，稍有不慎就會

導(dǎo)致成像走形。同時(shí)極紫外光刻機(jī)的光路系統(tǒng)要求考慮的因素非常多，不

是買幾個(gè)鏡子安裝上就好了。因?yàn)闃O紫外光刻機(jī)的光子能量非常高，幾乎

所有的材料都會吸收極紫外光，而吸收了極紫外光必然會發(fā)熱，發(fā)熱就會

帶來材料的變形。

對于需要納米級成像的光刻機(jī)來說，簡直就是災(zāi)難，基本就沒法使用

了，如果不加控制，光路系統(tǒng)還有被燒毀的風(fēng)險(xiǎn)。所以極紫外光刻機(jī)里，

光源和每一面鏡子的背后都有非常高效的冷卻裝置，把極紫外光照射產(chǎn)生

的熱量及時(shí)帶走。說句玩笑話，極紫外光刻機(jī)可不是用電風(fēng)扇來散熱的，

需要非常復(fù)雜的液冷系統(tǒng)。散熱問題都解決了以后，才能進(jìn)行設(shè)備調(diào)試，

調(diào)試完合格的鏡頭才算完成了第一步。

真正困難的是成像質(zhì)量補(bǔ)償。光刻機(jī)對光刻圖形的要求是近乎完美的，

但設(shè)備的生產(chǎn)是不可能做到完美的，鏡頭使用的材料不可能做到完美，鏡

頭打磨不可能做到完美，鏡頭組裝也不可能做到完美。同時(shí)鏡頭材料和支

撐材料都必然存在熱脹冷縮的問題，這些問題都會給最終成像效果帶來誤

差，而且很多成效誤差是不斷變化的，必須通過一系列辦法進(jìn)行校準(zhǔn)和修

正，甚至要求通過軟硬件結(jié)合的自動(dòng)化控制，來實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)成像補(bǔ)償，這才

是真正的難點(diǎn)。

這才是人家阿斯麥敢說：你拆開設(shè)備也仿造不出來的原因。要想實(shí)現(xiàn)

這些需要大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，不斷的經(jīng)驗(yàn)積累，設(shè)計(jì)的軟件得有非常精準(zhǔn)的

校準(zhǔn)算法，還需要大量精密控制裝置的支持專利，不僅實(shí)現(xiàn)起來非常困難，

還要面臨大量的專利陷阱。

國際上，在極紫外光刻機(jī)研發(fā)成功之前，還沒有生產(chǎn)出可靠的極紫外

光源的時(shí)候，生產(chǎn)反光鏡的企業(yè)就已經(jīng)開始進(jìn)行試驗(yàn)調(diào)試了。你能想到的

很多解決辦法別人早就想到了，你想使用，對不起，侵犯了人家的專利權(quán)

還得想辦法規(guī)避專利侵權(quán)或者獲得專利授權(quán)，這就是后來者的難處。

光刻機(jī)常使用的光源如汞燈、KrF 準(zhǔn)分子激光、ArF 準(zhǔn)分子激光等，每

一種光源可以產(chǎn)生一定波長的紫外光，原理都是很清楚的，所差的就是質(zhì)

量控制和專利的問題。不同公司所生產(chǎn)的光源質(zhì)量是不一樣的，極紫外光

刻機(jī)使用的光源研制難度還是很大的，聽起來挺簡單，就是利用錫來發(fā)光，

要么就是利用激光照射激發(fā)錫發(fā)光，要么就是利用電流來激發(fā)錫發(fā)光，但

是實(shí)際研發(fā)還是非常困難的，不僅得能得到極紫外光，還得達(dá)到足夠的強(qiáng)

度，要能有效的照射出來，還得能有效地聚焦。最終要符合光刻機(jī)使用的

技術(shù)要求。

德國公司主要研發(fā)放電等離子體型光源，簡稱 DPP 光源，美國公司研

發(fā)激光等離子體型光源，簡稱 LPP 光源，目前美國公司的 LPP 光源勝出。

阿斯麥的光源使用美國公司的產(chǎn)品，目前尚未見到國內(nèi)有相關(guān)光源生產(chǎn)的

報(bào)道，就算研發(fā)成功能否量產(chǎn)，還得看是否侵犯其他公司的專利權(quán)。

當(dāng)然也有好消息，我國在極紫外光刻機(jī)領(lǐng)域已經(jīng)深入研究了幾十年了，

還是有很深的技術(shù)積累的。目前國際上正在使用的極紫外光源雖然可以正

常使用，但是有一個(gè)缺陷造成了它的改進(jìn)空間比較大，這個(gè)缺陷就是激光

照射錫金屬的時(shí)候，必然產(chǎn)生一些錫的碎屑，這些碎屑一旦沉積到光源內(nèi)

部的收集鏡上，就會影響光的收集效果，從而降低燈的使用壽命。各國都

在研發(fā)減少污染的方法，其中中國的幾項(xiàng)專利特別有分量，比如上海光機(jī)

所提出了利用磁場降低污染的專利，就是一個(gè)非常巧妙的設(shè)計(jì)，其他單位

的幾項(xiàng)專利也都很先進(jìn)。

所以未來我國生產(chǎn)出純國產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)專用光源，一點(diǎn)都不奇怪，

除了光學(xué)系統(tǒng)以外，精密的控制系統(tǒng)也是光刻機(jī)能否正常使用的關(guān)鍵。不

管是前面提到的光學(xué)系統(tǒng)的精密調(diào)控，還是芯片生產(chǎn)中中控臺和各個(gè)部件

的精準(zhǔn)控制，都需要非常精密的控制系統(tǒng)，調(diào)控精度甚至要求達(dá)到納米級，

這個(gè)方面是我國的一大短板，除了芯片以外，幾乎所有的高端數(shù)控機(jī)床，

我國都是需要進(jìn)口的，自給率還不到 10%，這方面的缺失，也意味著 EUV 光

刻機(jī)的生產(chǎn)也會面臨一個(gè)重大的難題，好在這些年也有相關(guān)的研發(fā)布局。

專項(xiàng)的攻關(guān)應(yīng)該會有一些突破。

最后光刻機(jī)的研發(fā)并不只是光刻機(jī)生產(chǎn)企業(yè)自己能夠完成的，必須跟

使用光刻機(jī)的客戶聯(lián)合研發(fā)才行，否則你研發(fā)出來的光刻機(jī)很有可能無法

使用。阿斯麥的光刻機(jī)都是跟臺積電等大客戶聯(lián)合研發(fā)的。臺積電等芯片

生產(chǎn)企業(yè)在光刻機(jī)研發(fā)過程中起到了不可或缺的作用。阿斯麥研發(fā)出來的

光刻機(jī)也需要臺積電等下游企業(yè)進(jìn)行調(diào)試和驗(yàn)證，我國要想研發(fā)成功高端

光刻機(jī)，也必須聯(lián)合芯片生產(chǎn)企業(yè)才能保證研發(fā)成功，即使研發(fā)成功了，

也需要不斷磨合，不斷提升技術(shù)才能最終投入使用。

補(bǔ)充一點(diǎn)，一臺能用的光刻機(jī)除了機(jī)子本身以外，還要有配套的掩膜

版和光刻膠，不同的光刻機(jī)使用的掩膜版和光刻膠也是不一樣的，光刻機(jī)

的研發(fā)與掩膜版和光刻膠的研發(fā)是相配套的，沒有配套的掩膜版和光刻膠，

光刻機(jī)就算生產(chǎn)出來也不能用。