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答案全解精析 第一章 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 激發(fā)態(tài),應(yīng)吸收能量,產(chǎn)生吸收光譜,所以選 A。 4.B 同一個(gè)原子中,M 能層上的電子的能量小于 Q 能層 上 的 第一節(jié) 原子結(jié)構(gòu) 電子的能量,B 正確。 課時(shí)1 能層與能級(jí) 基態(tài)與激發(fā)態(tài) 5.C 不同能量 的 電 子 在 不 同 區(qū) 域 運(yùn) 動(dòng),A 錯(cuò) 誤;能 量 低 的 電 原子光譜 子在 離 核 近 的 區(qū) 域 運(yùn) 動(dòng),B 錯(cuò) 誤;所 有 的 s能 級(jí) 最 多 都 只 能 容納2個(gè)電子,D 錯(cuò)誤。 基礎(chǔ)鞏固練 6.A 3s能級(jí)上失去 1 個(gè) 電 子,失 去 電 子 需 要 吸 收 能 量,A 正 1.C M 能層表示第三電子層,A 錯(cuò) 誤,C 正 確;M 能 層 最 多 能 確;3p能級(jí)上得到1個(gè)電子,得到電子 為 放 出 能 量 的 變 化,B 錯(cuò)誤;2s能級(jí)的能量 高 于 1s能 級(jí) 的 能 量,電 子 由 2s能 級(jí) 躍 容納18個(gè)電子,B 錯(cuò)誤;M 能層可以填充1個(gè)電子,D 錯(cuò)誤。 遷到1s能 級(jí) 放 出 能 量,C 錯(cuò) 誤;2 個(gè) 氫 原 子 結(jié) 合 成 H2 分 子 2.B 能層越高,電子的能量越高,A 錯(cuò)誤;同一能層內(nèi),s、p、d、 的過(guò)程放出能量,D 錯(cuò)誤。 f能級(jí)的能 量 依 次 升 高,B 正 確;3d 能 級(jí) 能 量 高 于 3s,C 錯(cuò) 7.A 若x、y 及 該 原 子 3d能 級(jí) 上 的 電 子 數(shù) 的 組 合 是 18、8、0, 誤;能層 O 為第五能層,共有5個(gè)能級(jí),分別為s、p、d、f及g, 核內(nèi)質(zhì)子數(shù)與核 外 電 子 數(shù) 不 相 等,A 項(xiàng) 不 可 能;若 x、y 及 該 D錯(cuò)誤。 原子3d能級(jí)上的電子數(shù)的組 合 是 20、8、0,符 合 鈣 原 子 的 結(jié) 3.A 每一個(gè)能 層 都 有 s能 級(jí),從 第 二 能 層 開(kāi) 始 出 現(xiàn) p 能 級(jí), 從第三能層開(kāi)始出現(xiàn) d能級(jí),從第四能層開(kāi)始出現(xiàn)f能級(jí)。 構(gòu),B 項(xiàng)可能;若x、y 及該原子3d能級(jí)上的電子數(shù)的組合是 25、13、5,符合錳原子的結(jié)構(gòu),C 項(xiàng)可能;若 x、y 及 該 原 子 3d 4.(1)Be、N、Ne (2)Na、Mg (3)Be、Mg 能級(jí)上的電子數(shù)的組 合 是 30、18、10,符 合 鋅 原 子 的 結(jié) 構(gòu),D 解析:(1)Be、N、Ne都 只 有 兩 個(gè) 能 層,即 K 層 與 L 層。(2) 項(xiàng)可能。 Na、Mg有三個(gè)能層,即 K 層、L 層、M 層。(3)Be、Mg 的 最 8.A 在多電子原子中,不同能 級(jí) 具 有 的 能 量 不 同,A 正 確;各 外層電子數(shù)相同。 能 層的能級(jí)都是從s能級(jí)開(kāi)始,但不都是至f能級(jí)結(jié)束,如 L 5.D 電子從較 高 能 量 的 激 發(fā) 態(tài) 躍 遷 到 較 低 能 量 的 激 發(fā) 態(tài) 乃 能層只有2s、2p兩個(gè)能級(jí),M 能層只有3s、3p、3d三 個(gè) 能 級(jí), 至基態(tài)時(shí),將釋放能 量,光 (輻 射)是 電 子 躍 遷 釋 放 能 量 的 重 B 錯(cuò)誤;各能層含有的能級(jí)數(shù) 與 能 層 序 數(shù) 一 致,C 錯(cuò) 誤;各 能 要形式之一,燃放焰火、霓虹燈廣告、燃燒蠟燭等均與電 子 的 層最多容納電子數(shù)為2n2,D 錯(cuò)誤。 躍遷有關(guān)系,平面鏡 成 像 是 光 線(xiàn) 反 射 的 結(jié) 果,與 電 子 的 躍 遷 9.D 元素 K 的 焰 色 試 驗(yàn) 呈 紫 紅 色,紫 色 光 對(duì) 應(yīng) 的 波 長(zhǎng) 介 于 無(wú)關(guān)。故選 D。 430~400nm,A 錯(cuò) 誤;該 實(shí) 驗(yàn) 裝 置 測(cè) 得 的 是 氫 元 素 的 發(fā) 射 6.B A、C、D 項(xiàng) 表 示 的 均 是 基 態(tài) 原 子;B 項(xiàng),電 子 從 2p能 級(jí) 躍 光譜,B 錯(cuò)誤;原子光譜有吸收光譜和 發(fā) 射 光 譜 兩 種,電 子 由 遷 到 3s能 級(jí) ,該 原 子 是 激 發(fā) 態(tài) 原 子 。 激發(fā)態(tài)躍遷到 基 態(tài) 時(shí) 產(chǎn) 生 的 原 子 光 譜 屬 于 發(fā) 射 光 譜,C 錯(cuò) 7.D 并不是所 有 元 素 的 原 子 光 譜 的 頻 率 都 在 可 見(jiàn) 光 的 范 圍 誤;原子光譜可以用于鑒定元素,D 正確。 內(nèi),D 錯(cuò)誤。 10.(1)2 (2)氧 O 硅 Si (3)C 8.D 原子中的電子在躍遷時(shí) 會(huì) 發(fā) 生 能 量 的 變 化,能 量 的 表 現(xiàn) 解析:X 元素原子的最外層電子數(shù)為a,次外層電子數(shù)為b; 形式之一是光(輻射),電子由基態(tài)向激發(fā)態(tài)躍遷形成吸 收 光 Y 元素原子的 M 層電子數(shù)為a-b,L 層電子數(shù)為a+b,則 譜,電子由較高能量的激發(fā)態(tài)向較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基 態(tài) L 層電子數(shù)為8,所以a+b=8,由 此 推 出 X 元 素 原 子 有 2 躍遷形成發(fā)射光譜,A 正 確;在 日 常 生 活 中 我 們 看 到 的 許 多 個(gè)電子層,故b=2,所以a=8-b=8-2=6,則 X 為 O 元 可見(jiàn)光,如霓虹燈光、激光、焰火等都與原子核外電子發(fā) 生 躍 素;Y 元素原子的 M 層 電 子 數(shù) 為a-b=6-2=4,故 Y 為 遷釋放能量有關(guān),B 正確;原子光譜用 于 測(cè) 定 原 子 種 類(lèi),歷 史 Si元素,X、Y 兩元素形成的化合物為 SiO2。 上很多種元素都是通 過(guò) 原 子 光 譜 發(fā) 現(xiàn) 的,C 正 確;電 子 由 低 課時(shí)2 構(gòu)造原理與電子排布式 能級(jí)躍遷到高能級(jí)時(shí),形成吸收光譜,D 錯(cuò)誤。 電子云與原子軌道 素養(yǎng)提升練 1.B K 能 層 為 第 一 能 層,只 有 一 個(gè) s 能 級(jí),無(wú) p 能 級(jí)。 故 基礎(chǔ)鞏固練 選 B。 歸納總結(jié):能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù):第一能層只有1個(gè)能 級(jí) 1.B 原子 的 電 子 排 布 遵 循 構(gòu) 造 原 理,電 子 按 順 序 填 入 能 級(jí) (1s),第二能層有2 個(gè) 能 級(jí) (2s和 2p),第 三 能 層 有 3 個(gè) 能 中,但有些過(guò)渡金屬元素基態(tài)原子的電子排布不遵循構(gòu) 造 原 級(jí) (3s、3p、3d),依 次 類(lèi) 推 。 理,如 Cu的價(jià)層電子排布為3d104s1,故①錯(cuò)誤;構(gòu) 造 原 理 的 電子填充順序不等于能量順序,即先填的能級(jí)能量不一 定 比 2.B s、p、d、f能級(jí)容納的電子數(shù)分別為1、3、5、7的2倍。 后填的能級(jí)能量低,故 ② 錯(cuò) 誤;同 一 能 層 中 的 不 同 p 軌 道 的 3.A 當(dāng) 碳 原 子 的 核 外 電 子 排 布 由 1s22s22p2 轉(zhuǎn) 變 為 能量相同,故③正確;原 子 的 電 子 排 布 都 遵 循 使 整 個(gè) 原 子 的 能量處于最低狀態(tài),故④正確。故選 B。 1s22s12p3 時(shí),電子由低能級(jí)躍遷到高能級(jí),原子 由 基 態(tài) 變 為 — 83 —

2.A 氫原子的1個(gè) 電 子 吸 收 能 量 后 可 能 躍 遷 到 其 他 能 級(jí),B 但 Na和 Mg都有多種原子,所以 C、D 項(xiàng)均錯(cuò)誤。 錯(cuò)誤;鋰元素基態(tài)原 子 核 外 電 子 排 布 式 為 1s22s1,不 可 寫(xiě) 成 3.C 不同能級(jí)的原 子 軌 道 形 狀 可 以 相 同,如 1s、2s能 級(jí) 的 原 1s12s2,C 錯(cuò) 誤;氫 原 子 的 激 發(fā) 態(tài) 能 級(jí) 不 是 1s,可 能 是 2s或 子軌道都是球形,只是半徑不同,A 錯(cuò)誤;現(xiàn)在的技術(shù)無(wú) 法 測(cè) 2p等,D 錯(cuò)誤。 定電子在核外的運(yùn)動(dòng)軌跡,原子軌道只是體現(xiàn)電子在核 外 運(yùn) 3.C 由構(gòu)造原理可知,A 項(xiàng)中 電 子 填 入 能 級(jí) 的 正 確 順 序 應(yīng) 為 動(dòng)的概率密度,B、D 錯(cuò) 誤;任 何 能 層 的 p能 級(jí) 都 有 3 個(gè) p 軌 1s、2p、4s、3d,錯(cuò) 誤;B 項(xiàng) 中 電 子 填 入 能 級(jí) 的 正 確 順 序 應(yīng) 為 道,C 正確。 1s、2s、2p、3s,錯(cuò) 誤;D 項(xiàng) 中 電 子 填 入 能 級(jí) 的 正 確 順 序 應(yīng) 為 4.B Fe的價(jià)層電子 排 布 式 為 3d64s2,但 失 去 電 子 時(shí),并 不 是 3p、4s、3d、4p,錯(cuò) 誤 。 按構(gòu)造原理上的能 級(jí) 順 序,而 是 先 失 去 外 層 電 子,再 失 去 內(nèi) 4.(1)①13 ②3 5 (2)①1s22s22p63s23p6 ②1s22s22p2 層電子,所 以 Fe2+ 的 價(jià) 層 電 子 排 布 式 應(yīng) 該 為 3d6,B 項(xiàng) 符 合 解析:(1)①某元素的原子序 數(shù) 為 13,則 原 子 核 外 有 13 個(gè) 電 題意。 子 。② 基 態(tài) 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p1,有 3 5.D 元 素 X 的 基 態(tài) 原 子 的 最 外 層 電 子 排 布 式 為nsn-1npn+3, 個(gè)能層和5個(gè)能級(jí)。(2)①Cl元素為17號(hào)元素,原子核外有 s能級(jí)上最多排2個(gè)電子,則n-1=2,即n=3,故 最 外 層 電 17個(gè)電子,則 Cl- 核外有18個(gè)電子,所以基態(tài) Cl- 核外 電 子 子排布式為3s23p6,則 X 為18號(hào)元素,D 正確。 排布式為1s22s22p63s23p6。②C 元素為6號(hào)元素,原子核外 6.B 釩元素的原子 序 數(shù) 為 23,根 據(jù) 電 子 排 布 規(guī) 律,釩 原 子 的 有 6個(gè) 電 子 ,所 以 基 態(tài) C 原 子 核 外 電 子 排 布 式 為 1s22s22p2。 電 子 排 布 為 1s22s22p63s23p63d34s2,其 價(jià) 電 子 排 布 式 為 5.B 電子云只表示電子在原 子 核 外 空 間 出 現(xiàn) 的 概 率 密 度,小 3d34s2,B 正確。 黑點(diǎn)并不表示電子,A 錯(cuò) 誤;電 子 云 輪 廓 圖 是 把 電 子 在 原 子 7.B 3p能級(jí)上最多能排6個(gè)電子,A 錯(cuò) 誤;第 四 周 期 中,未 成 核外空間出現(xiàn) 概 率 為 90% 的 空 間 圈 出 來(lái) 繪 制 而 成 的,電 子 對(duì)電子數(shù)最多的原 子 的 價(jià) 層 電 子 排 布 式 為 3d54s1,為 Cr原 在這一空間出現(xiàn)的概率大,不表示電子不能在這一空間外 出 子,B 正確;氯為17 號(hào) 元 素,基 態(tài) Cl- 的 核 外 電 子 排 布 式 為 現(xiàn),C 錯(cuò) 誤;電 子 云 的 半 徑 隨 能 層 序 數(shù) 的 增 大 而 增 大,D 1s22s22p63s23p6,C 錯(cuò)誤;2p能級(jí)上有2個(gè)未成對(duì)電子,則該 錯(cuò)誤。 原子 2p 能 級(jí) 上 有 2 個(gè) 或 4 個(gè) 電 子,價(jià) 層 電 子 排 布 式 為 6.C 電子云是 處 于 一 定 空 間 運(yùn) 動(dòng) 狀 態(tài) 的 電 子 在 原 子 核 外 空 2s22p2 或2s22p4,D 錯(cuò)誤。 間的概率密度分 布 的 形 象 化 描 述,A 錯(cuò) 誤;s能 級(jí) 的 原 子 軌 8.B 已知s、p、d、f能 級(jí) 中 軌 道 數(shù) 分 別 為 1、3、5、7,即 連 續(xù) 奇 道呈球形,處在該軌 道 上 的 電 子 不 只 在 球 殼 內(nèi) 運(yùn) 動(dòng),還 在 球 數(shù),所以 g能級(jí)的軌道數(shù)應(yīng)為9,B 項(xiàng)符合題意。 殼外運(yùn)動(dòng),只是 在 球 殼 外 運(yùn) 動(dòng) 概 率 較 小,故 B 錯(cuò) 誤;離 原 子 9.(1)球 1 啞鈴 3 核越遠(yuǎn)的電子,其能 量 越 大,所 以 p原 子 軌 道 電 子 的 平 均 半 H 徑隨能 層 的 增 大 而 增 大,C 正 確;2px 、2py 、2pz 軌 道 是 3 個(gè) (2)2p 氮 H ····N···· H S 1s22s22p63s23p4 不同的原子軌 道,空 間 伸 展 方 向 不 同,3 個(gè) 軌 道 上 的 電 子 的 解析:(1)s電子的原子軌 道 呈 球 形,每 個(gè) s能 級(jí) 有 1 個(gè) 原 子 運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同,但同 一 能 級(jí) 上 的 原 子 軌 道 具 有 相 同 的 能 量, 軌道,p 電 子 的 原 子 軌 道 呈 啞 鈴 形,每 個(gè) p 能 級(jí) 有 3 個(gè) 原 子 所以基 態(tài) 原 子 電 子 能 量 的 高 低 順 序 為 E (1s)<E (2s)< 軌道,它們相互垂直,分別 以 Px 、Py 、Pz 表 示。(2)因 為 元 素 E(2px )=E(2py )=E(2pz ),D 錯(cuò)誤。 X 的 基 態(tài) 原 子 的 最 外 層 電 子 排 布 式 為nsnnpn+1,np 軌 道 上 7.A L 能層只包含s、p能級(jí),A 正確;核外電子的運(yùn)動(dòng)無(wú)固定 排有電子,說(shuō)明ns軌道上已排滿(mǎn)電子,即n=2,則元素 X 的 軌跡,B 錯(cuò) 誤;n=2 時(shí),該 能 層 一 定 有 四 個(gè) 原 子 軌 道,C 錯(cuò) 基態(tài)原子的核外電子排布 式 為 1s22s22p3,X 是 氮 元 素;當(dāng) 元 誤;n=3時(shí),該 能 層 有 3s、3p、3d 能 級(jí),共 9 個(gè) 原 子 軌 道,沒(méi) 素 X 的 基 態(tài) 原 子 的 最 外 層 電 子 排 布 式 為 nsn-1npn+1 時(shí) ,有 有3f能級(jí),D 錯(cuò)誤。 n-1=2,則n=3,那么元 素 X 的 基 態(tài) 原 子 的 核 外 電 子 排 布 8.D 某 基 態(tài) 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為 [Ar]3d104s24p4,其 原 式 為 1s22s22p63s23p4,X 是 硫 元 素 。 子序數(shù)為34,為 Se元素。原子 核 外 有 34 個(gè) 電 子,電 子 的 運(yùn) 課時(shí)3 泡利原理、洪特規(guī) 動(dòng)狀態(tài)各不相同,A 正確;核外電子分布于8個(gè)不同的 能 級(jí), 則 、能 量 最 低 原 理 則有 8 種 能 量 不 同 的 電 子,B 正 確;34 個(gè) 電 子 占 據(jù) 18 個(gè) 軌 道,有18種空間運(yùn)動(dòng) 狀 態(tài),C 正 確;Se為 第 四 周 期 為 第 ⅥA 基礎(chǔ)鞏固練 族元素,價(jià)層電子排布式為4s24p4,D 錯(cuò)誤。 1.C 2p能級(jí)的一個(gè)原子軌道中容納的兩個(gè) 電 子 自 旋 相 同,不 符合泡利原理,故 C 錯(cuò)誤。 素養(yǎng)提升練 1.C s能級(jí)最多 可 容 納 2 個(gè) 電 子,p 能 級(jí) 最 多 可 容 納 6 個(gè) 電 2.A 一個(gè)軌道上容納的兩個(gè) 電 子,能 層、能 級(jí)(原 子 軌 道 形 狀 子;根據(jù)構(gòu)造原理,其 中 S2- 是 S 原 子 得 到 兩 個(gè) 電 子 后 形 成 和伸展方向)相同,自 旋 方 向 相 反,因 此,兩 個(gè) 電 子 的 空 間 運(yùn) 的 穩(wěn) 定 結(jié) 構(gòu),所 以 基 態(tài) S2- 的 電 子 排 布 式 應(yīng) 為 動(dòng)狀態(tài)相同,軌道運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同,B、C 錯(cuò)誤,A 正 確;Na元 素 1s22s22p63s23p6,C 錯(cuò) 誤 。 3s能級(jí)只有一個(gè)原子軌道,但 電 子 可 以 采 取 兩 種 自 旋 方 向, 2.A 核外電子填充在1個(gè)軌道上的元素有 H 及 He,A 正確; 故可呈現(xiàn)出雙線(xiàn)原子光譜,D 錯(cuò)誤。 H 元 素 有11H、21H、31H 三 種 原 子,He 元 素 也 可 能 有 多 種 原 3.C ①⑤符合 洪 特 規(guī) 則、泡 利 原 理;③ 同 一 個(gè) 原 子 軌 道 中 不 子,B 錯(cuò)誤;核外電子填充在6個(gè)軌道上的元素為 Na和 Mg, 應(yīng)有自旋相同的電子,違反了泡利原理;基態(tài)原子中,填 入 簡(jiǎn) — 84 —

并軌道的電子總是 先 單 獨(dú) 分 占,且 自 旋 方 向 相 同,② ④ ⑥ 違 別占據(jù)2個(gè)簡(jiǎn)并軌道且自旋方向相同,而不是自旋相反 地 擠 反了洪特規(guī)則。 入其中一個(gè)軌道,該電子排布式違反了洪特規(guī)則,A 正 確;電 4.D 氧的基態(tài)原子的核 外 電 子 排 布 式 為 1s22s22p4,1s、2s都 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p2,符 合 能 量 最 低 原 理 ,B 錯(cuò) 誤 ;電 只有一個(gè)軌道,容納的兩個(gè)電子自旋方向相反;2p有 px 、py 、 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p10,3p 軌 道 最 多 容 納 6 個(gè) 電 子 , pz 三個(gè)軌道,4個(gè)電 子 分 布 在 三 個(gè) 軌 道 上,一 個(gè) 軌 道 上 容 納 不可 能 出 現(xiàn) 3p10 的 情 況,電 子 排 布 式 違 反 泡 利 原 理,C 正 兩個(gè)自旋方向相反 的 電 子,另 兩 個(gè) 軌 道 上 容 納 一 個(gè) 電 子,且 確 ;電 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p23d5,雖 然 3d 軌 道 為 半 充 自旋方向保持相同時(shí)能量最低,D 符合題意。 滿(mǎn)狀態(tài),但3p軌道上只有2個(gè)電子,沒(méi)有充滿(mǎn)電子就填 充 到 5.B A 項(xiàng)中的軌道表示式違 反 了 洪 特 規(guī) 則,正 確 的 軌 道 表 示 下一能級(jí),該電子排布式違反能量最低原理,D 正確。 1s 2s 2p 6.D 基態(tài) Ge原子的核外簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d104s24p2, 式為↑↓ ↑↓ ↑ ↑ ↑ ,A 錯(cuò)誤;同一能級(jí)的電子具 有 相 同 4s 4p 的能量,故該原子核外有3種能量不 同 的 電 子,B 正 確;該 原 所以?xún)r(jià)層電子軌道 表 示 式 為 ↑↓ ↑ ↑ ,有 2 個(gè) 未 成 對(duì) 子核外最外 層 上 有 5 個(gè) 電 子,則 有 5 種 運(yùn) 動(dòng) 狀 態(tài) 不 同 的 電 電子,故 A、B 均正確;鎳元素基態(tài)原子 的 簡(jiǎn) 化 電 子 排 布 式 為 子,C 錯(cuò)誤;該原子 核 外 最 外 層 有 5 個(gè) 電 子,占 據(jù) 2s、2p兩 個(gè) [Ar]3d84s2 ,3d 能 級(jí) 有5 個(gè) 簡(jiǎn) 并 軌 道 ,按 洪 特 規(guī) 則 ,應(yīng) 有3 個(gè) 能級(jí),2s能級(jí)上 有 1 個(gè) 原 子 軌 道,2p 能 級(jí) 上 有 3 個(gè) 原 子 軌 軌道上各填充2個(gè)自旋方向相反的電子,剩下2個(gè)電 子 占 據(jù) 道,共4個(gè)原子軌道,D 錯(cuò)誤。 兩個(gè)軌道,且自旋方向相同,C 正確、D 錯(cuò)誤。 6.C A 項(xiàng)中2s軌 道 上 兩 個(gè) 電 子 自 旋 方 向 相 同,能 量 不 是 最 7.A 按構(gòu)造原 理,5s能 級(jí) 能 量 低 于 4d;依 據(jù) 能 量 最 低 原 理, 低;B 項(xiàng) 中 2p 能 級(jí) 上 三 個(gè) 軌 道 中,兩 個(gè) 單 電 子 占 據(jù) 兩 個(gè) 軌 當(dāng)相鄰的兩個(gè)能級(jí)能量相差不大時(shí),電子排布的方式將 以 使 道,但 自 旋 方 向 相 反,能 量 不 是 最 低;D 項(xiàng) 中 2s能 級(jí) 中 容 納 整個(gè)原子能量最低為最佳選擇,A 項(xiàng)符合題意。 了兩個(gè)自旋方向相 同 的 電 子,且 2p能 級(jí) 中 三 個(gè) 電 子 沒(méi) 有 分 8.(1)H N Mg P 占三個(gè)軌道,能量不是最低,C 項(xiàng)符合題意。 1s 2s 2p 3s 7.D K 層最多容納2個(gè) 電 子,所 以 原 子 結(jié) 構(gòu) 示 意 圖 中 x=2, (2)↑↓ ↑↓ ↑↓↑↓↑↓ ↑↓ 故 A 錯(cuò)誤;該原 子 核 外 有 14 個(gè) 電 子,其 基 態(tài) 原 子 的 電 子 排 1s 2s 2p 3s 3p 布 式 應(yīng) 為 1s22s22p63s23p2,故 B 錯(cuò) 誤 ;根 據(jù) 洪 特 規(guī) 則 ,該 原 ↑↓ ↑↓ ↑↓↑↓↑↓ ↑↓ ↑ ↑ ↑ 1s 2s 2p 3s 點(diǎn)燃 子 的 核 外 電 子 排 布 式 圖 應(yīng) 為 ↑↓ ↑↓ ↑↓↑↓↑↓ ↑↓ (3)N2+3Mg Mg3N2 3p (4)·· N? ?N · H ····N···· H ↑ ↑ ,C 錯(cuò)誤;根 據(jù) 核 外 電 子 排 布 圖,該 原 子 結(jié) 構(gòu) 中 共 · H 有8個(gè)軌道上填充電子,D 正確。 解析:A 是宇宙中最 豐 富 的 元 素,且 原 子 核 外 僅 有 一 個(gè) 非 空 8.A 電 子 式 表 示 核 外 最 外 層 電 子,不 能 體 現(xiàn) 出 核 外 電 子 的 能 原子軌 道,則 A 為 氫;B 元 素 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為 1s22s22p3,則 B 為 氮;C 元 素 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為 量差異。 1s22s22p63s2,則 C 為 鎂;D 元 素 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為 素養(yǎng)提升練 1.C A 的2p軌道,電子排布不符合洪特規(guī)則 要 求;B 的 2s軌 1s22s22p63s23p3,則 D 為磷。 道電子排布不符合泡 利 原 理;D 的 2s軌 道 中 不 符 合 能 量 最 綜合訓(xùn)練1 原子結(jié)構(gòu) 低原理。 2.D 核外電子排布遵循能量 最 低 原 理,電 子 總 是 先 排 布 在 能 基礎(chǔ)鞏固練 量低的能級(jí),然后再排布在能量高的能級(jí),由于3d軌道 能 量 1.D 同一原子中能層序數(shù)越 大,形 狀 相 同 的 原 子 軌 道 中 電 子 比4s軌 道 能 量 高,當(dāng) 排 滿(mǎn) 3p 能 級(jí) 后,電 子 優(yōu) 先 填 充 4s 能 的能量越高,離核越遠(yuǎn),A、B、C 錯(cuò)誤。 級(jí),再填充3d能級(jí),故第三周期元素的基態(tài)原子中不可 能 出 現(xiàn) d電子,D 正確。 2.A K 層有1個(gè) 能 級(jí) 為 1s,L 層 有 2 個(gè) 能 級(jí),分 別 為 2s、2p, 從 M 層開(kāi) 始 有 d 能 級(jí),即 3d,A 正 確;s能 級(jí) 只 能 容 納 2 個(gè) 3.B 洪特規(guī)則實(shí)際上是能量 最 低 原 理 的 一 個(gè) 特 例,電 子 排 布 電子,1s、2s、3s容納電子數(shù)相 同,B 錯(cuò) 誤;沒(méi) 有 2d能 級(jí),C 錯(cuò) 滿(mǎn)足洪特規(guī)則,實(shí)際 上 是 為 了 更 好 地 遵 循 能 量 最 低 原 理,同 誤;N 層開(kāi)始有f能級(jí),即4f,沒(méi)有3f能級(jí),D 錯(cuò)誤。 一能級(jí)的不同原子 軌 道 在 全 滿(mǎn)、半 滿(mǎn) 和 全 空 狀 態(tài) 時(shí),體 系 能 3.C 處于最低能量狀態(tài)的原 子 叫 做 基 態(tài) 原 子,激 發(fā) 態(tài) 時(shí) 的 能 量較低,原子較穩(wěn)定,故只有 B 項(xiàng)正確。 量比基態(tài)時(shí)高,A 錯(cuò)誤;基態(tài)時(shí)的能量低穩(wěn)定,激發(fā)態(tài)時(shí) 能 量 4.A A 項(xiàng) 表 示 的 是 基 態(tài) 原 子;B、D 項(xiàng) 中 2s能 級(jí) 上 的 電 子 躍 高不穩(wěn)定,B 錯(cuò)誤;基 態(tài) 轉(zhuǎn) 化 為 激 發(fā) 態(tài) 是 由 低 能 量 狀 態(tài) 轉(zhuǎn) 變 遷到2p能級(jí)上,表示的 是 激 發(fā) 態(tài) 原 子;C 項(xiàng) 中 2p 能 級(jí) 上 的 成高能量狀態(tài),轉(zhuǎn)化過(guò)程要吸收能量,C 正 確;電 子 在 激 發(fā) 態(tài) 三 個(gè) 電 子 應(yīng) 分 占 不 同 的 軌 道 ,且 自 旋 方 向 相 同 。 躍遷到基態(tài)時(shí)會(huì)放出能量產(chǎn)生發(fā)射光譜,電子由基態(tài)躍 遷 到 5.B 電 子 排 布 式 為1s22s22p2x2py02p0x ,此 處2px 、2py 、2pz 就 是 激發(fā)態(tài)時(shí)會(huì)吸收能量,產(chǎn)生吸收光譜,D 錯(cuò)誤。 2p能級(jí)的3個(gè) 簡(jiǎn) 并 軌 道,兩 個(gè) 電 子 排 入 2p 能 級(jí),它 們 將 分 4.D Li為 鋰 的 元 素 符 號(hào),沒(méi) 有 描 述 核 外 電 子 的 運(yùn) 動(dòng) 狀 態(tài); — 85 —

表示 Li原 子 結(jié) 構(gòu) 示 意 圖,描 述 了 核 外 電 子 是 分 層 排 卻結(jié)晶是由于溫度 降 低,溶 質(zhì) 的 溶 解 度 減 小,溶 質(zhì) 從 溶 液 中 結(jié)晶析出,與電子躍遷無(wú)關(guān)。因此與核外電子躍遷有關(guān) 的 現(xiàn) 布的;1s22s1 為鋰原子的 核 外 電 子 排 布 式,描 述 了 核 外 電 子 象是④,A 正確。 1s 2s 2.D 硫 離 子 核 外 有 18 個(gè) 電 子,其 核 外 電 子 排 布 式 為 的能層、能級(jí);↑↓ ↑ 為 鋰 原 子 的 核 外 電 子 排 布 圖,描 述 了 1s22s22p63s23p6,D 錯(cuò) 誤 。 核外電子的能層、能級(jí)、原子軌道和自旋方向,故描述最 詳 盡 3.C 能 級(jí) 按 能 量 由 低 到 高 的 順 序:1s<2s<2p,C 項(xiàng) 符 合 的是 D。 題意。 5.D 若只有1個(gè)能層,則不存 在 p能 級(jí);若 有 2 個(gè) 能 層,則 有 4.A 原子軌道與宏觀物體的 運(yùn) 動(dòng) 軌 道 完 全 不 同,它 是 指 電 子 1s、2s能級(jí),核外電子排 布 式 為 1s22s22p4,為 氧 元 素;若 有 3 出現(xiàn)的主要區(qū)域,而不是電子運(yùn)動(dòng) 的 實(shí) 際 軌 跡,A 錯(cuò) 誤;第n 個(gè) 能 層,則 有 1s、2s、3s 能 級(jí),核 外 電 子 排 布 式 為 電子層上共有n2 個(gè) 原 子 軌 道,B 項(xiàng) 正 確;任 意 能 層 上 的 p能 1s22s22p63s23p6,為 氬 元 素 ,D 項(xiàng) 正 確 。 級(jí)都有3個(gè)伸展方向 相 互 垂 直 的 原 子 軌 道,C 正 確;處 于 同 6.B 按構(gòu)造原理,電子填入能級(jí)的順序是1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d。 一原子軌道上的電子,自旋方向相反,D 項(xiàng)正確。 N、K、Ca2+ 、Ca 的 核 外 電 子 排 布 式 分 別 為 1s22s22p3、 5.B 3p4p軌道有2個(gè)未成對(duì)電子,其電子數(shù)可能為2或4,不 1s22s22p63s23p64s1、1s22s22p63s23p6、1s22s22p63s23p64s2。 能確定元素的種類(lèi),則 不 一 定 為 同 一 主 族 元 素,A 不 符 合 題 7.A 原子軌道和 電 子 云 都 是 用 來(lái) 描 述 電 子 的 運(yùn) 動(dòng) 狀 態(tài) 而 不 意;3p4p軌道上只 有 1 個(gè) 空 軌 道,應(yīng) 含 有 2 個(gè) 電 子,為 ⅣA 是表示電子的運(yùn)動(dòng)軌跡的,A 正確;電子的運(yùn)動(dòng)是無(wú)規(guī) 則 的, 族元素,B 符合題 意;最 外 層 電 子 排 布 式 為 1s2 和 2s22p6 的 沒(méi)有固定的軌跡,B 錯(cuò) 誤;3px 、3py 、3pz 屬 于 同 一 能 級(jí),其 軌 原子,二者都是稀有氣體元素,但不屬于主 族 元 素,C 不 符 合 道上的電子的能 量 相 同,C 錯(cuò) 誤;p 能 級(jí) 的 原 子 軌 道 半 徑 隨 題意;最 外 層 電 子 排 布 為 1s2 的 是 He,位 于 0 族,而 最 外 層 能層序數(shù)的增大而增大,D 錯(cuò)誤。 電子排 布 為 2s2 的 原 子 為 Be,屬 于 ⅡA 族,二 者 不 為 同 族 8.B 原子中的 電 子 從 能 量 較 高 的 軌 道 躍 遷 到 能 量 較 低 的 軌 元素。 道時(shí),多余的能量以 光 的 形 式 釋 放,形 成 發(fā) 射 光 譜。 電 子 從 6.B 同一能層同一能級(jí)中的 p軌道電子的能量一定比s軌道 3s軌道躍遷到3p軌道吸收 能 量,形 成 吸 收 光 譜,A 錯(cuò) 誤;在 電子能量高,但不同 能 層 時(shí),外 層 s軌 道 電 子 能 量 則 比 內(nèi) 層 1s22s22p33s1→1s22s22p4 中 ,電 子 從 3s 軌 道 躍 遷 到 2p 軌 p軌道電子能量高,故 A 錯(cuò) 誤;3px 與 3pz 為 同 一 能 層 上 的 道,即從激發(fā)態(tài)躍遷 到 基 態(tài),釋 放 能 量,形 成 發(fā) 射 光 譜,B 正 軌道,其能量相同,但在同一原子里,沒(méi)有運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全 相 同 確;電子從2s軌道躍遷到2p軌道吸收能量,形 成 吸 收 光 譜, 的電子存在,則 電 子 在 3px 與 3pz 軌 道 上 的 運(yùn) 動(dòng) 狀 態(tài) 不 相 C 錯(cuò)誤;2px 與2py 軌 道 的 空 間 伸 展 方 向 不 同,軌 道 的 能 量 同,故 B 正 確;N 原 子 核 外 電 子 數(shù) 為 7,處 于 2p 能 級(jí) 上 的 3 相同,電子從2px 軌道到2py 軌道不屬于電子躍遷,D 錯(cuò)誤。 個(gè)電子應(yīng)盡可 能 分 占 3 個(gè) 不 同 的 原 子 軌 道,且 自 旋 方 向 相 9.C 按 構(gòu) 造 原 理,元 素 Ni 基 態(tài) 原 子 電 子 排 布 式 為 同,其 電 子 排 布 應(yīng) 為 ↑↓ ↑↓ ↑ ↑ ↑ ,↑↓ ↑↓ 1s22s22p63s23p63d84s2,其 中 能 量 最 高 的 能 級(jí) 為 3d,C 項(xiàng) 符 ↑↓ ↑ 1s 2s 2p 1s 2s 合題意。 違 背 了 洪 特 規(guī) 則,故 C 錯(cuò) 誤;基 態(tài) B 原 子 電 子 排 3s 2p 10.(1)[Ne]3s1 ↑ 布 式 為1s22s22p1x ,轉(zhuǎn) 化 為1s22s22py1 ,2px 與2py 軌 道 能 量 相 同,均為基態(tài),沒(méi)有能量變化,故 D 錯(cuò)誤。 3s 3p 7.D 按構(gòu)造原理,基態(tài) Fe原子 價(jià) 層 電 子 的 電 子 排 布 圖 (軌 道 (2)[Ne]3s23p4 ↑↓ ↑↓ ↑ ↑ 3d 4s 4s 4p 表達(dá)式)為 ↑↓ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑↓,根 據(jù) 構(gòu) 造 原 理,后 填 入 的 (3)[Ar]3d104s24p4 ↑↓ ↑↓ ↑ ↑ 的能級(jí)為3d;基態(tài) S原子電子占據(jù)的最高能級(jí)為3p,電子云 3d 4s 輪廓圖形狀為啞鈴形。D 項(xiàng)符合題意。 (4)[Ar]3d34s2 ↑ ↑ ↑ ↑↓ 8.(1)Ne、Ar、Kr (2)Cr、Mn 3d 4s (3)Cu (4)Sc (5)F (5)[Ar]3d64s2 ↑↓ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑↓ 解析:(1)1~36號(hào)元素中,基 態(tài) 原 子 的 最 外 層 具 有 6 個(gè) p電 子的元素為除 He外的 0 族 元 素,有 Ne、Ar、Kr。(2)1~36 3d 4s 號(hào)元素中,基態(tài) 原 子 的 3d 軌 道 為 半 充 滿(mǎn) 狀 態(tài) 的 元 素 有 Cr、 (6)[Ar]3d104s2 ↑↓↑↓↑↓↑↓↑↓ ↑↓ Mn。(3)1~36號(hào)元素中,基 態(tài) 原 子 的 次 外 層 d軌 道 為 全 充 滿(mǎn)狀態(tài),最外層有一 個(gè) s電 子 的 元 素 是 Cu。(4)某 元 素 +3 解析:按構(gòu)造原理,將 各 能 級(jí) 按 順 序 排 出 后,再 依 次 填 充 電 子即可。 素養(yǎng)提升練 1.A 日 光 燈 通 電 發(fā) 光 與 電 子 躍 遷 有 關(guān);棱 鏡 分 光 的 原 理 是 不 價(jià)離子和氬原子的電子排布相同,則其原子序 數(shù) 是 21,是 Sc 同波長(zhǎng)的光在玻璃 中 的 折 射 率 不 同,與 電 子 躍 遷 無(wú) 關(guān);石 油 元素。(5)同主族元 素 自 上 而 下 原 子 半 徑 逐 漸 增 大,同 周 期 蒸餾是利用石油中各組分的沸點(diǎn)不同進(jìn)行分離,與電子躍 遷 主族元素自左向右原子半徑逐漸減小,則原子半徑第二 小 的 無(wú)關(guān);凸透鏡聚光是由光的折射形成的,與電子躍遷無(wú) 關(guān);冷 主族元素是 F。 — 86 —

第二節(jié) 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì) 最 外 層 電 子 排 布 式 為 4s24p3 ,乙 元 素 在 元 素 周 期 表 中 位 于 第 四周 期 第 Ⅴ A 族。 (3)甲 為 C,乙 為 As(砷 ),均 屬 于 p 區(qū) 課時(shí)1 原子結(jié)構(gòu)與元素周期表 元素。 素養(yǎng)提升練 基礎(chǔ)鞏固練 1.C Fe的外圍電子排布式為3d64s2,屬于 d區(qū) 元 素,A 錯(cuò) 誤; 1.D 元素周期表多種多樣,元素周期系只有一個(gè),D 錯(cuò)誤。 Mg的外圍電子 排 布 式 為 3s2,屬 于 s區(qū) 元 素,B 錯(cuò) 誤;Br的 2.D 1~18號(hào)元素 可 排 布 在 三 個(gè) 周 期 里,但 并 不 是 擁 有 三 個(gè) 價(jià)電子排布式 為 4s24p5,屬 于 p 區(qū) 元 素,C 正 確;Cu 的 外 圍 元素周期系,A 錯(cuò)誤;原 子 序 數(shù) 經(jīng) 歷 了 從 相 對(duì) 原 子 質(zhì) 量 到 核 電子排布式為3d104s1,屬于 ds區(qū)元素,D 錯(cuò)誤。 電荷數(shù)的變化,B 錯(cuò)誤;同主族元素性質(zhì)相似,但并不 相 同,C 2.D 價(jià)層電子排布式為3d54s2 的原子,其核外電子 排 布 式 為 錯(cuò)誤;D 項(xiàng)符合題意。 [Ar]3d54s2,其核外電子數(shù)為25,為 Mn元素,位于元素周期 3.C A 項(xiàng) 表 示 第 二 周 期 元 素 原 子;B 項(xiàng) 表 示 第 二 周 期 元 素 原 表中第四周期ⅦB 族,故 D 正確。 子;C 項(xiàng) 表 示 第 三 周 期 元 素 原 子;D 項(xiàng) 表 示 第 四 周 期 元 素 3.B A 項(xiàng),最 外 層 電 子 排 布 式 為 1s2 的 微 粒 可 能 為 He、H- 、 原子。 Li+ 等,不能 確 定 形 成 該 微 粒 的 元 素 在 周 期 表 中 的 位 置;B 4.A 基態(tài)原子最外層電子排 布 為ns2 的 也 可 能 是 氦,不 一 定 項(xiàng),最外 層 電 子 排 布 式 為 3s23p4 的 微 粒 為 S,位 于 第 三 周 期 位于第ⅡA 族,A 錯(cuò)誤;第三、四周期同主族元素的原子 序 數(shù) ⅥA 族;C 項(xiàng),最 外 層 電 子 排 布 式 為 2s22p6 的 微 粒 可 能 為 之差,如 第 ⅡA 族 的 鎂 和 鈣 原 子 序 數(shù) 之 差 為 8,第 ⅢA 族 的 Ne、Na+ 、F- 等,不能確 定 形 成 該 微 粒 的 元 素 在 周 期 表 中 的 鋁和鎵原子序數(shù)之差為18,所 以 第 三、四 周 期 同 主 族 元 素 的 位置;D 項(xiàng),最外層 電 子 排 布 式 為ns2np3 的 微 粒,因n 不 確 原子序數(shù)相差8或18,B 正 確;第 四 周 期 第 ⅡA 族 與 第 ⅢA 定,故不能確定形成該微粒的元素在周期表中的位置。 族元素相隔10個(gè)過(guò) 渡 金 屬 元 素,所 以 它 們 的 原 子 序 數(shù) 相 差 4.D 非金屬元素主要位于 p區(qū),但 H 位于s區(qū)。 11,C 正確;基態(tài)原子3d軌道上有5個(gè)電 子 的 元 素 為 位 于 第 5.B 元素分為 金 屬 元 素、非 金 屬 元 素 和 稀 有 氣 體 元 素,過(guò) 渡 ⅥB 族的鉻或第ⅦB 族的錳,D 正確。 5.D 由 題 意 推 知,該 元 素 的 價(jià) 層 電 子 排 布 為 4s2,故 該 元 素 位 元素屬于金屬元素的一部分,A 錯(cuò)誤、B 正 確;鈾 為 放 射 性 元 素,但不是人造元素(未注*),C 錯(cuò)誤;根 據(jù) 鈾 元 素 的 價(jià) 層 電 于第四周期第ⅡA 族。 子排 布,最 后 填 入 電 子 的 能 級(jí) 為 f,所 以 屬 于 f區(qū) 元 素,D 6.A 原子核外 L 層 上 僅 有 2 個(gè) 電 子 的 原 子 為 Be,原 子 核 外 錯(cuò)誤。 M 層上僅有2個(gè)電子的原子為 Mg,Be與 Mg均為第ⅡA 族 6.D 由原子核 外 最 外 層 電 子 排 布 式 可 知 該 元 素 位 于 周 期 表 元素,A 項(xiàng)符合題 意;核 外 電 子 排 布 式 為 1s2 的 原 子 為 He, 中第五周期第ⅢA 族,是 較 活 潑 的 金 屬 元 素,具 有 金 屬 的 一 核外電子排布式 為 1s22s2 的 原 子 為 Be,He與 Be不 是 同 一 般性質(zhì),其最高化合價(jià)為+3價(jià),D 錯(cuò)誤。 主族元素,B 項(xiàng)不符合題意;2p 軌 道 上 只 有 1 個(gè) 未 成 對(duì) 電 子 7.D 0族元素屬于 p區(qū) 元 素,所 以 p區(qū) 元 素 不 一 定 是 主 族 元 的原子為 B 或 F,3p 軌 道 上 只 有 1 個(gè) 未 成 對(duì) 電 子 的 原 子 為 素,故 A 錯(cuò)誤;He是 p區(qū) 元 素,He最 外 層 電 子 數(shù) 是 2,故 B Al或 Cl,不 能 判 斷 是 否 為 同 一 主 族 元 素,C 項(xiàng) 不 符 合 題 意; 錯(cuò)誤;金 屬 元 素 鋁 是 p 區(qū) 元 素,p 區(qū) 元 素 不 一 定 是 非 金 屬 元 最外層只有1個(gè)電子的原子有 K、Cu等,不 能 判 斷 是 否 為 同 素,故 C 錯(cuò)誤;價(jià)層電子排布式符合ns2np3 的基態(tài)原子屬于 一主族元素,D 項(xiàng)不符合題意。 第ⅤA 族,一定位于 p區(qū),故 D 正確。 7.B A 項(xiàng)中原子序數(shù) 為 1、6、7 的 元 素 分 別 為 氫、碳、氮,所 在 8.(1)⑨ (2)苯 (3)5 區(qū)分別是 s區(qū)、p 區(qū)、p 區(qū);C 項(xiàng) 中 Fe在 d 區(qū),Ar、Cl均 在 p 解析:(1)⑨屬于 d區(qū) 元 素。(2)元 素 ① 是 氫 元 素,元 素 ③ 是 區(qū);D 項(xiàng)中元素均在s區(qū)。 碳元素,依題意,形成的 環(huán) 狀 物 是 苯。(3)從nsnnpn+1 可 知, 8.B 最后一個(gè)電子 填 充 到 p能 級(jí) 上 (He除 外)的 元 素 位 于 p n=2,該元素為 N 元素,最外層電子數(shù)為5。 區(qū),不 包 含 副 族 元 素,A 正 確;f區(qū) 指 的 是 鑭 系 和 錒 系,鑭 系 1s 2s 2p 和錒系在第六、七 周 期 的 第 ⅢB 族,第 五 周 期 不 含 有f區(qū) 元 9.C 或(碳) ↑↓ ↑↓ ↑ ↑ Al或 Cl 4s24p3 第 四 周 素,B 錯(cuò)誤;d區(qū)和 ds區(qū)包括過(guò)渡元素,過(guò)渡元素都是金屬 元 期第ⅤA 族 p 素,C 正確;s區(qū)元素原子的價(jià) 層 電 子 排 布 式 為ns1-2,s區(qū) 所 解析:基態(tài) X 原子的第二能層 上 只 有 一 個(gè) 空 軌 道,其 電 子 排 有元素原子的 p能級(jí)電子均為全充滿(mǎn)或全空狀態(tài),D 正確。 1s 2s 1s 2s 2p 布 式 為 1s22s22p2,則 X 是 碳,電 子 排 布 圖 為 ↑↓ ↑↓ 9.(1)C ↓↑ ↓↑ ↑ ↑ 2p (2)4s24p3 第四周期第ⅤA 族 ↑ ↑ ?；?態(tài) R 原 子 的 3p 軌 道 上 只 有 一 個(gè) 未 成 對(duì) 電 (3)p p 子 ,其 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p1 或 解析:(1)甲元 素 原 子 的 L 能 層 上 只 有 一 個(gè) 空 原 子 軌 道,則 1s22s22p63s23p5,則 R 可 能 為 Al或 Cl。Y 原 子 的 核 電 荷 數(shù) 其電子排布式為1s22s22p2,甲元素是碳元 素,碳 原 子 的 軌 道 為33,根據(jù)構(gòu)造原理可知,基態(tài) Y 原子的核外電子 排 布 式 為 1s 2s 2p 1s22s22p63s23p63d104s24p3,電 子 層 數(shù) 為 4,且 最 外 層 有 5 個(gè) 表示式為↓↑ ↓↑ ↑ ↑ 。(2)乙 元 素 原 子 的 核 電 荷 數(shù) 電子,則在元素周期 表 中 位 于 第 四 周 期 第 ⅤA 族,最 后 一 個(gè) 為 33,則 其 核 外 電 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p63d104s24p3, 電 子 填 充 在 4p軌 道 上 ,故 屬 于 p區(qū) 元 素 。 — 87 —

課時(shí)2 元素周期律 鍵的類(lèi)別(兩元素電 負(fù) 性 差 值 小 于 1.7 時(shí) 一 般 形 成 共 價(jià) 鍵, 大于1.7時(shí)一般形 成 離 子 鍵)、元 素 的 活 潑 性 (電 負(fù) 性 越 小, 基礎(chǔ)鞏固練 金屬元素越活潑;電 負(fù) 性 越 大,非 金 屬 元 素 越 活 潑 )、元 素 在 1.A Li、K、Rb屬于 同 一 主 族,原 子 序 數(shù) 逐 漸 增 大,原 子 半 徑 化合物中化合價(jià)的 正 負(fù) (電 負(fù) 性 大 的 元 素 顯 負(fù) 價(jià),電 負(fù) 性 小 依次增 大,A 正 確;I、Br、Cl原 子 半 徑 依 次 減 小,B 錯(cuò) 誤;O、 的元素顯正價(jià)),但不能判斷元素穩(wěn)定化合價(jià)的數(shù)值。 Na、S三種 元 素 中 O 原 子 半 徑 最 小,Na原 子 半 徑 最 大,C 錯(cuò) 9.D A 項(xiàng) 原 子 電 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p2,則 為 Si原 子; 誤;Al、Si、P 原子半徑依次減小,D 錯(cuò)誤。 B 項(xiàng) 原 子 電 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p3,則 為 P 原 子 ;C 項(xiàng) 2.A 根據(jù)原子 核 外 電 子 排 布 式 知,A、D 的 電 子 層 數(shù) 都 是 3, 原子電子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p64s2,則 為 Ca原 子;D 項(xiàng) B、C 的電子層數(shù)都是2,A 和 B 同主族,C 和 D 同 主 族,所 以 原子電 子 排 布 式 為 1s22s22p4,則 為 O 原 子。 同 周 期 主 族 元 A、D 的原子半徑分別大于 B、C 的 原 子 半 徑;A、D 屬 于 同 一 素從左到右,元素的電負(fù)性逐漸增大,同主族元素從上 到 下, 周期元素,對(duì)于同一 周 期 主 族 元 素,原 子 半 徑 隨 著 原 子 序 數(shù) 元素的電負(fù)性逐漸減小,Ca元素的 電 負(fù) 性 最 小,O 元 素 的 電 的增大而減小,原子序數(shù):A<D,所以 原 子 半 徑:A>D,則 原 負(fù)性最大,故選 D。 子半徑最大的是 A。 10.A 根 據(jù) 同 主 族 元 素 從 上 到 下 電 負(fù) 性 逐 漸 減 小,同 周 期 主 3.C 同一周期 主 族 元 素 的 原 子 半 徑 隨 著 原 子 序 數(shù) 的 增 大 而 族元素從左到右電負(fù)性逐漸增大,則 Be的電負(fù)性的最小 范 減小,由此可推知 磷 原 子 的 半 徑 在 硅 原 子 和 硫 原 子 之 間,C 圍為1.2~2.0,A 錯(cuò) 誤;Ge的 電 負(fù) 性 為 1.8,既 具 有 金 屬 正確。 性,又具有非金屬性,B 正 確;根 據(jù) C 和 Cl的 電 負(fù) 性,兩 元 4.(1)①> ②> > 素電負(fù)性之差為0.5,可形成極性鍵,C 正確;F 的 電 負(fù) 性 大 (2)> > > 于 O,O 和 F 形成的化合物中 O 顯正價(jià),D 正確。 (3)①< < ②< < 素養(yǎng)提升練 (4)> > 1.C 氫元素是 非 金 屬 元 素,屬 于 s區(qū),A、B 錯(cuò) 誤。 第 六 周 期 解析:(1)同種元素 的 離 子 半 徑:陰 離 子 大 于 原 子,原 子 大 于 有32種元素,D 錯(cuò)誤。 陽(yáng)離子,低價(jià)陽(yáng)離子大于高價(jià)陽(yáng)離子,故微粒 半 徑r(Cl- )> 2.A r(Cl),r(Fe)>r(Fe2+ )>r(Fe3+ )。(2)能 層 結(jié) 構(gòu) 相 同 的 離 3.D 具有相同 核 外 電 子 層 結(jié) 構(gòu) 的 離 子,核 電 荷 數(shù) 越 大,離 子 子:核電荷數(shù)越大,半徑 越 小,故 微 粒 半 徑r(O2- )>r(F- ) 半徑越小,由題 意 知,X 元 素 的 核 電 荷 數(shù) 大 于 Y,則 離 子 半 >r(Na+ )>r(Mg2+ )。(3)同 主 族 的 離 子,能 層 數(shù) 越 多,半 徑:X<Y,原子序數(shù):X>Y,A、C 錯(cuò) 誤;一 般 電 子 層 數(shù) 越 多, 徑越 大 ,故r(Li+ )<r(Na+ )<r(K+ ),r(O2- )<r(S2- )< 原子半徑越大,X 位于 Y 的下一個(gè)周期,則原子半徑:X>Y, r(Se2- )。(4)K 和 Na同主族 能 層 數(shù) 鉀 離 子 比 鈉 離 子 多,故 B 錯(cuò)誤;同 周 期 元 素 從 左 到 右,最 外 層 電 子 數(shù) 依 次 增 大,X 形 r(K+ )>r(Na+ ),Na+ 與 Mg2+ 能 層 結(jié) 構(gòu) 相 同 ,r(Na+ )> 成陽(yáng)離子,Y 形成陰離子,則 X 最外層電 子 數(shù) 小 于 4,Y 最 外 r(Mg2+ ),故r(K+ )>r(Na+ )>r(Mg2+ )。 層電子數(shù)大于4,所以原子最外層電子數(shù):X<Y,D 正確。 5.B S和 P 的 價(jià) 層 電 子 排 布 式 分 別 為 3s23p4 和 3s23p3,由 于 4.D Li、Be、B 最 外 層 電 子 數(shù) 分 別 為 1、2、3,最 外 層 電 子 數(shù) 依 P 原子的3p 能 級(jí) 處 于 半 充 滿(mǎn) 狀 態(tài),較 穩(wěn) 定,所 以 I1 (S)< 次增多,A 正確;P、S、Cl最高化 合 價(jià) 分 別 為 +5、+6、+7,最 I1(P);Na、Mg、Al 的 價(jià) 層 電 子 排 布 式 分 別 為 3s1、3s2、 高化合價(jià)依次升高,B 正 確;N、O、F 位 于 同 一 周 期,電 負(fù) 性 3s23p1,由于 Mg原 子 的 3s能 級(jí) 處 于 全 充 滿(mǎn) 狀 態(tài),故 其 第 一 依次增大,C 正 確;Na、K、Rb 位 于 同 一 主 族,第 一 電 離 能 依 電離能最大;He與 Ne同族,I1(He)>I1(Ne)。 次減小,D 錯(cuò)誤。 6.C 第三周 期 中 Ar的 第 一 電 離 能 最 大,A 錯(cuò) 誤;氮 原 子 核 外 5.B 電負(fù)性差值越小的 兩 種 元 素 越 可 能 形 成 共 價(jià) 鍵。A 項(xiàng), 最外層電子2p能級(jí) 為 半 充 滿(mǎn) 結(jié) 構(gòu),第 一 電 離 能 大 于 氧 的 第 X 與 Y 電負(fù)性之差為4.0-2.5=1.5;B 項(xiàng),X 與 W 電 負(fù) 性 一電離能,B 錯(cuò)誤;根 據(jù) 元 素 性 質(zhì) 的 遞 變 規(guī) 律 可 知,He的 第 之差為2.5-2.4=0.1;C 項(xiàng),Y 與 Z 電 負(fù) 性 之 差 為 4.0- 一電離能最大,C 正確;鈉的第一電離能比鈹小,D 錯(cuò)誤。 1.2=2.8;D 項(xiàng),Y 與 W 電 負(fù) 性 之 差 為 4.0-2.4=1.6。 則 7.C ①3p軌道上只有一對(duì)成 對(duì) 電 子 的 原 子 為 S;② 外 圍 電 子 X 與 W 電 負(fù) 性 之 差 最 小,所 以 最 容 易 形 成 共 價(jià) 鍵,故 B 排布式為3s23p6 的原子為 Ar;③3p軌道為半充 滿(mǎn) 狀 態(tài) 的 原 正確。 子 為 P;④正三價(jià)陽(yáng)離子結(jié)構(gòu)與氖相同的原子為 Al。已知同 6.B 由 各 基 態(tài) 原 子 的 電 子 排 布 式 可 知 ① 是 S,② 是 P,③ 是 周期從左到右,元素 的 第 一 電 離 能 呈 增 大 趨 勢(shì),第 ⅤA 和 第 N,④是 F。同周期元素從左到右,第一電離能總體上呈增大 ⅡA 族反常,第一電 離 能 大 于 同 周 期 相 鄰 元 素,同 周 期 稀 有 趨勢(shì),由于 P 元 素 的 3p 軌 道 處 于 半 充 滿(mǎn) 狀 態(tài),故 第 一 電 離 氣體元素的第一電離能最大,所以第一電離能由大到小排 列 能:P>S,所以第一電離能:F>N>P>S,故 A 錯(cuò) 誤;一 般 來(lái) 為 Ar>P>S>Al,即第一電離能由大到小排列為②③①④。 說(shuō),電子層數(shù)越多,粒 子 半 徑 越 大,電 子 層 數(shù) 相 同 時(shí),質(zhì) 子 數(shù) 故選 C。 越大,粒子半徑越小,故原子半徑:P>S>N>F,故 B 正 確; 8.D 元素的電 負(fù) 性 用 來(lái) 描 述 不 同 元 素 的 原 子 對(duì) 鍵 合 電 子 吸 元素非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越大,電負(fù)性:F>N>S>P,故 C 引力的大小,所以利用元素電負(fù)性的大小能判斷元素原子 的 錯(cuò)誤;F 無(wú)正價(jià),N、P 的 最 高 正 化 合 價(jià) 都 是 +5,S 的 最 高 正 得電子能力(電負(fù) 性 越 大,元 素 原 子 得 電 子 能 力 越 強(qiáng))、化 學(xué) 化合價(jià)是+6,故 D 錯(cuò)誤。 — 88 —

7.(1)O (2)大 于 Zn 核 外 電 子 排 布 為 全 滿(mǎn) 穩(wěn) 定 結(jié) 構(gòu),較 難 7.(1)O>N>C>K 失電子 (2)C>H>Si (3)H<C<O (3)D (4)1s22s22p1 N +3價(jià) (4)同周期元素隨核電荷數(shù)依次增大,原子半徑逐漸減 小,故 解析:(1)同主族元素從上到下電負(fù)性逐漸減小,同周 期 主 族 結(jié)合一個(gè)電子釋放出的能量依次增大 N 的2p能級(jí)處于 半 元素從左到右電負(fù)性逐漸增大,則其電負(fù)性從大到小排 序 為 充 滿(mǎn) 狀 態(tài) ,具 有 穩(wěn) 定 性 ,故 不 易 結(jié) 合 一 個(gè) 電 子 O>N>C>K。(2)CH4 中 共 用 電 子 對(duì) 偏 向 C,說(shuō) 明 C 對(duì) 鍵 解析:(1)O 的電 負(fù) 性 在 H、N、P、O 中 最 大。(2)基 態(tài) Zn 和 合電子的吸引力大于 H;SiH4 中共用電子對(duì)偏向 H,則說(shuō) 明 Cu的 價(jià) 層 電 子 排 布 分 別 為 3d104s2、3d104s1,4s1 中 的 一 個(gè) 電 H 對(duì)鍵合電子 的 吸 引 力 大 于 Si。 由 于 元 素 的 電 負(fù) 性 越 大, 子更易失去,故I1(Zn)大于I1(Cu)。(3)H、C、O 中 O 的 電 吸引鍵合電子能力越強(qiáng),所以這三種元素的電負(fù)性由大 到 小 負(fù)性最大,H 的電負(fù)性最小。 的順序?yàn)?C>H>Si。(3)A 的 單 質(zhì) 是 空 氣 中 含 量 最 多 的 物 綜合訓(xùn)練2 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì) 質(zhì),則 A 為 N,位 于 第 二 周 期 第 ⅤA 族,根 據(jù) 元 素 在 周 期 表 中的相對(duì)位置可以推出 B 為 O,C 為 P,D 為 S。因 為 第 ⅤA 基礎(chǔ)鞏固練 族元素的第 一 電 離 能 比 同 周 期 第 ⅥA 族 的 高,且 同 一 主 族 1.C 非金屬元素不一定都分布在 p區(qū),元素周期表中 H 元 素 中,從 上 到 下 元 素 的 第 一 電 離 能 逐 漸 減 小,故 S 的 第 一 電 離 在s區(qū),A 錯(cuò)誤;s區(qū)元素原子的最后一個(gè)電子進(jìn)入s能級(jí),B 能最小,答案為 D。(4)B 是5 號(hào) 元 素,則 其 基 態(tài) 原 子 的 核 外 錯(cuò)誤;元素周期 表 中 第 ⅢB 族 到 第 ⅡB 族 10 個(gè) 縱 行 的 元 素 電子排布式為1s22s22p1;N 的非金屬性比 B 強(qiáng),則其 對(duì) 鍵 合 都是金屬元 素,C 正 確;金 屬 元 素 不 一 定 是 過(guò) 渡 元 素,例 如 電子的吸引力更大,所以 N 的電負(fù)性較大;B 位于第ⅢA 族, Na等主族元素,D 錯(cuò)誤。 所 以 其 化 合 價(jià) 為 +3 價(jià) 。 2.D 同 周 期 元 素 從 左 到 右 電 負(fù) 性 逐 漸 增 大,故 Ba的 電 負(fù) 性 素養(yǎng)提升練 比 Cs大,A 正確;Ba位 于 第 六 周 期 第 ⅡA 族,B 正 確;同 主 1.C Na、S位于同一周期,O、S位于同一主族,原子半徑 Na> 族元素從上到下金屬性逐漸增強(qiáng),已知與鋇同主族的鈣能 與 S>O,A 正確;P、S位于同一 周 期,O、S位 于 同 一 主 族,其 氫 冷水反應(yīng)生成氫氣,故鋇也能與冷水反應(yīng) 放 出 氫 氣,C 正 確; 同周期元素的第一電離 能 從 左 到 右 呈 增 大 趨 勢(shì),故 Ba的 第 化 物 穩(wěn) 定 性 ,PH3<H2S<H2O,B 正 確 ;Na+ 、Mg2+ 、Al3+ 核 一電離能比 Cs大,D 不正確。 外電 子 排 布 相 同 ,其 半 徑 Na+ > Mg2+ >Al3+ ,C 錯(cuò) 誤 ;O、F、 3.B B、Al、O、S的第一電離能比 元 素 周 期 表 中 位 于 它 們 左 側(cè) Ne位于同一周期,第一電離能 O<F<Ne,D 正確。 的元素的第一電離能小,而使曲線(xiàn)呈現(xiàn)出“鋸齒狀”,A 錯(cuò) 誤; 2.C X、Y、Z、W 四 種 主 族 元 素 原 子 序 數(shù) 依 次 增 大,Z 是 非 金 屬性最強(qiáng)的元素,則 Z為 F,Y 的主族序數(shù)是其周期序數(shù)的3 原子半徑隨原子序數(shù)遞增逐 漸 減 小,C 錯(cuò) 誤;F 無(wú) 正 價(jià),D 錯(cuò) 倍,則 Y 為 O。 由 位 置 關(guān) 系 知,W 為 S、X 為 N,據(jù) 此 回 答。 誤;B 正確。 同周期主族元素,從 左 到 右 原 子 半 徑 逐 漸 減 小,同 主 族 元 素 4.D Na、Mg、Al為 同 周 期 元 素,從 左 到 右,原 子 半 徑 逐 漸 減 電子層數(shù)越多。原子半徑越大,原 子 半 徑:W>X>Y>Z,A 小,電負(fù)性逐漸增大,Mg的第一電離能大于 Al,A 不 符 合 題 錯(cuò)誤;同周期主族元 素 從 左 向 右 電 負(fù) 性 逐 漸 增 大,F 的 電 負(fù) 意;C、O、N 為同周期元素,原 子 半 徑 C>N>O,B 不 符 合 題 性大于 O,O 的電負(fù)性大于 N,即電負(fù) 性:Z>Y>X,B 錯(cuò) 誤; 意;Li、Na、K 為同主族元素,原子半徑逐漸增大,C 不 符 合 題 元素 W 最高價(jià)氧 化 物 對(duì) 應(yīng) 的 水 化 物 硫 酸 是 一 種 強(qiáng) 酸,C 正 意;I、Cl、F 是同 主 族 元 素,從 上 到 下 原 子 半 徑 逐 漸 增 大,第 確;同主族從 上 到 下 元 素 非 金 屬 性 遞 減,則 非 金 屬 性:O>S, 一電離能逐漸降低,電負(fù)性逐漸減小,D 符合題意。 非金屬性越強(qiáng),簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化 物 越 穩(wěn) 定,元 素 Y 的 簡(jiǎn) 單 氣 態(tài) 5.C 基 態(tài) Zn原 子 的 價(jià) 層 電 子 排 布 式 為 3d104s2,所 以 其 處 于 氫化物的熱穩(wěn)定性比 W 的強(qiáng),D 錯(cuò)誤。 ds區(qū),A 正確;Ge是32號(hào)元素,在元素周期表中的位置為第 四 周 期 第 Ⅳ A 族,基 態(tài) 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為 3.B 第三周期元素基態(tài)原子 Na和 Mg最 后 填 入 電 子 的 能 級(jí) 為3s,Al~Ar最后填入電子的能級(jí)為3p,B 項(xiàng)符合題意。 1s22s22p63s23p63d104s24p2,B 正 確 ;基 態(tài) O 原 子 核 外 電 子 排 布式 為 1s22s22p4,根 據(jù) 洪 特 規(guī) 則 ,3條 紡 錘 形 p軌 道 中 ,1 條 4.A 寫(xiě) 出 相 應(yīng) 的 電 子 排 布 式 :5B(1s22s22p1 )、4Be(1s22s2)、 含成對(duì)電子,2條含單電子,C 錯(cuò) 誤;根 據(jù) 元 素 電 負(fù) 性 的 變 化 15P(1s22s22p63s23p3)、16S(1s22s22p63s23p4)、 規(guī)律及三種元素在元素周期表中的位置可推測(cè)電負(fù)性的大 26Fe3+ (1s22s22p63s23p63d5 )、26Fe2+ (1s22s22p63s23p63d6), 小順序?yàn)?O>Ge>Zn,D 正確。 基態(tài) B 失去的一個(gè)電子來(lái)自2p能級(jí),而基態(tài) Be失去的一個(gè) 6.D 價(jià)層電子排布為3s23p4 的原子是 S原子,同主族元 素 自 電子來(lái)自2s能級(jí),2s能 級(jí) 處 于 全 滿(mǎn) 狀 態(tài),導(dǎo) 致 B 的 第 一 電 上而下電負(fù)性逐漸 減 小,故 電 負(fù) 性:S<O,A 錯(cuò) 誤;基 態(tài) 原 子 離能小于 Be,與 p、d能級(jí)無(wú)關(guān),A 項(xiàng)符合題意。 填入簡(jiǎn)并軌道的電 子 總 是 先 單 獨(dú) 分 占,且 自 旋 相 同,該 電 子 5.D 由題給核外電子排布式可知,①為 Si、②為 N、③為 C、④ 排布圖3p能級(jí)上電子排布 違 反 洪 特 規(guī) 則,B 錯(cuò) 誤;S 元 素 位 為 S,同 周 期 主 族 元 素 從 左 到 右 原 子 半 徑 逐 漸 減 小,同 主 族 于第三周期,該 周 期 中 第 一 電 離 能 最 大 的 元 素 為 Ar,C 錯(cuò) 電子層數(shù)越多,原 子 半 徑 越 大,故 原 子 半 徑:Si>S>C>N, 誤;S 元 素 可 以 形 成 SO2 和 SO3 兩 種 常 見(jiàn) 的 氧 化 物,D 即①的原子半徑最大,A 正確;由題給價(jià)層電子排布式 可 知, 正確。 ①、②、③、④分別為 Al、Si、P、S 元 素,同 周 期 元 素 隨 原 子 序 — 89 —

數(shù)增大第一電離能呈 增 大 趨 勢(shì),P 原 子 的 3p 軌 道 為 半 充 滿(mǎn) 鍵,D 錯(cuò)誤。 狀態(tài),能量較低,第一電離能大于同周期相鄰元素,故第一 電 3.D 根據(jù)元素在周期表中的相對(duì)位置可 知,X 是 F,Y 是 S,Z 離能:③>④>②>①,B 正確;同周期主 族 元 素 從 左 到 右 電 是 Br,W 是 P,R 是 Ar。P 原子的3p軌道處于 半 充 滿(mǎn) 狀 態(tài), 負(fù)性逐漸增大,同主族元素從上到下電負(fù)性逐漸減小,故 ①、 更穩(wěn)定,其元素 第 一 電 離 能 大 于 S 元 素,A 錯(cuò) 誤;Br的 陰 離 ②、③中元素的電負(fù) 性 依 次 減 小,④ 中 元 素 的 電 負(fù) 性 依 次 增 子比 Ar原子多 一 個(gè) 電 子 層,結(jié) 構(gòu) 不 同,B 錯(cuò) 誤;p 能 級(jí) 未 成 大,C 正確;該元素的第三電離能劇增,原子 核 外 最 外 層 應(yīng) 有 對(duì)電子數(shù)最多的是 P 原子,C 錯(cuò)誤;F 的 非 金 屬 性 最 強(qiáng),電 負(fù) 2個(gè)電子,當(dāng)它 與 氯 氣 反 應(yīng) 時(shí) 最 可 能 失 去 2 個(gè) 電 子,生 成 的 性最大,D 正確。 陽(yáng) 離 子 是 X2+ ,D 錯(cuò) 誤 。 4.A W、X、Y、Z均為短周期主族元素,原子序 數(shù) 依 次 增 大,且 6.(1)s (2)1s22s22p63s23p64s1 原子核外 L 層的電子數(shù)分別為0、5、8、8,則 W 為 H 元 素,X (3)S2- >K+ >Al3+ (4)O>N>S (5)大 于 是 N 元素,Y、Z 為 第 三 周 期 元 素,它 們 的 最 外 層 電 子 數(shù) 之 和 解析:硫酸 鋁 鉀 和 硫 酸 鋁 銨 的 化 學(xué) 式 分 別 為 KAl(SO4)2、 為18,分析 可 知 Y 為 P 元 素,Z 為 Cl元 素。Y、Z 為 同 周 期 NH4Al(SO4)2,二者的組成元 素 有 H、O、N、S、Al、K。A 原 元素,電負(fù)性 P<Cl,A 正 確;X、Y 為 同 主 族 元 素,第 一 電 離 子核 外 只 有 1 種 運(yùn) 動(dòng) 狀 態(tài) 的 電 子,說(shuō) 明 A 原 子 核 外 只 有 1 能 P<N,B 錯(cuò) 誤;化 合 物 WZ 為 HCl,極 易 溶 于 水,C 錯(cuò) 誤; 個(gè)電子,A 為 H。H、O、N、S、Al、K 六 種 元 素 中,只 有 O、N Y、Z形成的化合物 PCl3 滿(mǎn) 足 8 電 子 穩(wěn) 定,PCl5 不 滿(mǎn) 足 8 電 處于第二周期,且 N 的原子半 徑 大 于 O,故 B 為 N,C 為 O。 子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),D 錯(cuò)誤。 與 O 同主族的應(yīng)該是 S,故 D 為 S。根據(jù) E、F 元素電離能數(shù) 5.A m、n、p、q、w 五種元 素,其 核 電 荷 數(shù) 依 次 增 大,m 元 素 基 據(jù)可知,E 元素的第一 電 離 能 和 第 二 電 離 能 相 差 大,第 二 電 態(tài)原子核外只有三 個(gè) 能 級(jí),且 各 能 級(jí) 電 子 數(shù) 相 等,則 其 原 子 離能與第三、四電離能相 差 不 大,說(shuō) 明 E 原 子 最 外 層 只 有 1 核外電子排布為1s22s22p2,則 m 為 C 元 素。w 元 素 原 子 核 個(gè)電子,故 E 為 K,F 為 Al。(1)H 的 原 子 結(jié) 構(gòu) 中 只 有 1s軌 外有4個(gè)能層,最外層只有1個(gè)電子,其余各層均排 滿(mǎn) 電 子, 道 上有1個(gè)電子,所以 H 屬于s區(qū)元素。(2)E 為 K,其原子 其原子核外電子 總 數(shù) 為 2+8+18+1=29,w 為 Cu 元 素。 核 外 有 19 個(gè) 電 子,基 態(tài) K 原 子 的 電 子 排 布 式 為 p、q元素位于 同 一 族,它 們 的 原 子 序 數(shù) 大 于 碳 小 于 銅,只 能 1s22s22p63s23p64s1。(3)S2- 、Al3+ 、K+ 半 徑 比 較 時(shí) ,由 于 處于第二、三周期,或 處 于 三、四 周 期,且 兩 者 核 電 荷 數(shù) 之 和 K+ 、S2- 具有3個(gè) 電 子 層,Al3+ 只 有 2 個(gè) 電 子 層,所 以 K+ 、 為24,可推知 p為 O 元 素,q為 S 元 素。n的 原 子 序 數(shù) 介 于 S2- 的半徑都大于 Al3+ 的半徑,K+ 和 S2- 具有相同的電子層 C、O 之間,為 N 元 素。 第 一 電 離 能 C<O<N,A 錯(cuò) 誤;n 為 結(jié)構(gòu),原子序數(shù)越小,離 子 半 徑 越 大,故 S2- 的 半 徑 大 于 K+ N,核外 電 子 數(shù) 為 7,B 正 確;w(Cu)的 價(jià) 電 子 排 布 式 為 的半徑。(4)元素 非 金 屬 性 越 強(qiáng),其 電 負(fù) 性 越 大,故 電 負(fù) 性: 3d104s1,C 正確;w(Cu)分 別 與 p(O)、q(S)單 質(zhì) 反 應(yīng),生 成 O>N>S。(5)Mg 原 子 的 價(jià) 電 子 排 布 式 為 3s2,3P 處 于 全 CuO、Cu2S,Cu元素化合價(jià)分別為+2價(jià)、+1價(jià),D 正確。 空狀態(tài),較 穩(wěn) 定,能 量 較 低,失 去 3s2 上 的 1 個(gè) 電 子 比 Al原 6.(1)F 其原子的 最 外 層 電 子 數(shù) 為 7,且 原 子 半 徑 小,容 易 得 子失去3p1 上的1個(gè)電子更難,故 Mg原 子 的 第 一 電 離 能 大 到電子,不容易失去電子 于 577.5 kJ·mol-1。 (2)Mg<Al<P<S<O<F 綜合訓(xùn)練3 元素推斷與元素周期律的應(yīng)用 (3)MgO P2O5、SO3 解析:A、B 形成的簡(jiǎn) 單 陰 離 子 與 C、D 形 成 的 簡(jiǎn) 單 陽(yáng) 離 子 的 基礎(chǔ)鞏固練 電子排布 式 均 為 1s22s22p6,A 原 子 核 外 有 2 個(gè) 電 子 層,有 2 1.D 短周期主族 元 素 W、X、Y、Z 的 原 子 序 數(shù) 依 次 增 大,W 的 個(gè)未成對(duì)電子,且 無(wú) 空 軌 道,則 A 為 氧 元 素,B 是 氟 元 素;C 核外電子數(shù)等 于 其 主 族 序 數(shù),則 W 為 H 元 素;X 的 單 質(zhì) 在 單質(zhì)可與熱水反應(yīng)但很 難 與 冷 水 反 應(yīng),則 C 是 鎂 元 素,D 是 空氣中含量最多,則 X 為 N 元素;Y 的最高價(jià) 氧 化 物 的 水 化 鋁 元素?；鶓B(tài) E、F 原子填充電子的軌道數(shù)均為9,且 E 原子 物是兩性化合物,則 Y 為 Al元素;Z的最高正價(jià)與最低負(fù)價(jià) 核外 有 3 個(gè) 未 成 對(duì) 電 子,則 E 元 素 原 子 的 電 子 排 布 式 為 的代數(shù)和為4,因?yàn)橹髯逶氐?最 高 正 價(jià) 與 最 低 負(fù) 價(jià) 的 絕 對(duì) 1s22s22p63s23p3,則 E 為 磷 元 素 ,F 能 與 A 形 成 相 同 價(jià) 態(tài) 的 值之和為8,則 Z的最高正價(jià)為+6,最低 負(fù) 價(jià) 為 -2,則 Z 為 陰離子,且 A 形成的 簡(jiǎn) 單 離 子 的 半 徑 小 于 F 形 成 的 簡(jiǎn) 單 離 S元素。H 與 N 形 成 的 最 簡(jiǎn) 單 化 合 物 氨 氣 極 易 溶 于 水,A 子的半徑,則 F 為硫元素。(1)六種元素中,氟元素的第一電 正確;Al和 S可形成化合物 Al2S3,B 正 確;H、N、Al、S 的 最 離能最大,因其最外層電子數(shù) 為 7,且 原 子 半 徑 小,容 易 得 到 外層電子數(shù)分別為1、5、3、6,故 最 外 層 電 子 數(shù):S>N>Al> 電子,不容易失 去 電 子。 (2)電 負(fù) 性 由 小 到 大 的 順 序 為 Mg H,C 正確;Al和 S的簡(jiǎn)單離子 的 核 外 電 子 數(shù) 分 別 為 10、18, <Al<P<S<O<F。 (3)MgO 是 離 子 化 合 物,P2O5、SO3 二者的電子層結(jié)構(gòu)不相同,D 錯(cuò)誤。 是共價(jià)化合物。 2.B 若原子半徑:X>Y,原子 序 數(shù) 不 一 定 為 X<Y,如 原 子 半 素養(yǎng)提升練 徑:Na>O,原子序數(shù):Na>O,A 錯(cuò)誤;電負(fù)性 大 的 元 素 原 子 1.B 短周期元素中,a為-2價(jià),e為+6價(jià),均為 第 ⅥA 族,可 吸引電子能力強(qiáng),化合物中電負(fù)性大 的 元 素 顯 負(fù) 價(jià),B 正 確; 推知a為 O 元素,e為 S元素;b有+1價(jià),原 子 序 數(shù) 大 于 O, F 的價(jià)電子數(shù)大于 N 的價(jià)電子數(shù),但 F 沒(méi)有正價(jià),C 錯(cuò)誤;由 則 b為 Na元素;由 原 子 序 數(shù) 可 知 d 為 第 三 周 期,化 合 價(jià) 為 H、Cl元素組 成 的 HCl是 共 價(jià) 化 合 物,二 者 形 成 的 是 共 價(jià) +5價(jià),則 d 為 P 元 素。31p 和33p 中 子 數(shù) 不 同,是 不 同 的 核 — 90 —

素,A 錯(cuò)誤;第一電離能 P>S,電 負(fù) 性 P<S,B 正 確;元 素 的 誤;C、N、O 與 H 可 分 別 形 成 多 種 化 合 物,電 子 數(shù) 不 一 定 相 非金屬性越強(qiáng),其氫化物 穩(wěn) 定 性 越 強(qiáng),則 穩(wěn) 定 性 H2O>H2S 同,D 錯(cuò)誤。 >PH3,C 錯(cuò)誤;O 和 Na形 成 的 化 合 物 Na2O2 中 含 有 共 價(jià) 6.(1)3s23p1 ↑↓ ↑ ↑ ↑ ↑ 鍵,D 錯(cuò)誤。 2.A D 和 E 位于第二周期,X 和 Y 位 于 第 三 周 期,設(shè) D 原 子 3d (2)O N>O>C 核 外電子數(shù)為x,則 X 原子核外電子數(shù)為x+6,又因 X 原子 (3)N3- >O2- >Al3+ 核外電子數(shù)是 D 的2倍,故2x=x+6,解得x=6,則 D 為 C 元素,X 為 Mg元素,根據(jù)元素在周期 表 中 的 相 對(duì) 位 置 可 知, (4)H ····O······O·· · H Y 是 Al元素,E 為 N 元素。元素的第 一 電 離 能:Mg>Al,A · 錯(cuò)誤;Mg為第三周 期 ⅡA 族 元 素,鎂 單 質(zhì) 可 通 過(guò) 電 解 熔 融 MgCl2 制備,B 正確;元素的非金屬性 越 強(qiáng),其 最 高 價(jià) 氧 化 物 解析:基態(tài) A 原子的價(jià)層電 子 排 布 為nsnnpn ,則n=2,A 是 對(duì)應(yīng)水化物 的 酸 性 越 強(qiáng),四 種 元 素 中 非 金 屬 性 最 強(qiáng) 的 是 N 元素,所以酸性最強(qiáng)的是 HNO3,C 正確;氣體分 子(DE)2 為 碳元素;基態(tài) B 原 子 中 的 未 成 對(duì) 電 子 數(shù) 是 同 周 期 元 素 原 子 (CN)2,其電子式為︰N??C︰C??N︰,D 正確。 3.B 已知 X、Y、Z、M 為 原 子 序 數(shù) 依 次 增 大 的 短 周 期 元 素,Z 中最多的,且原子序數(shù)介于 碳 元 素 和 氧 元 素 之 間,則 B 是 氮 的基態(tài)原子2p軌道 半 充 滿(mǎn),則 Z 為 N 元 素,M 的 最 高 正 價(jià) 與最低負(fù)價(jià)的絕對(duì)值之差為 4,則 M 為 S 元 素,根 據(jù) 題 給 分 元素;基態(tài) C 原子的 最 外 層 電 子 數(shù) 是 電 子 層 數(shù) 的 3 倍,則 C 子結(jié)構(gòu)中的共價(jià)鍵數(shù)目 可 推 知,X 為 H 元 素,Y 為 C 元 素。 一般來(lái)說(shuō),同周期主族元素從左向右,電負(fù)性逐漸增大,同 主 是氧元素;D 的 簡(jiǎn) 單 離 子 是 第 三 周 期 元 素 中 離 子 半 徑 最 小 族元素從上到下,電 負(fù) 性 逐 漸 減 小,則 電 負(fù) 性:N>C>H,A 的,則 D 是鋁元素;基態(tài) E 原子價(jià) 電 子 層 中 的 未 成 對(duì) 電 子 數(shù) 錯(cuò)誤;H 原子核外有1個(gè)電子層,而 C、N 原子核外 均 有 2 個(gè) 電子層,一般來(lái)說(shuō),電 子 層 數(shù) 越 多,半 徑 越 大,電 子 層 數(shù) 相 同 為4,且 位 于 前 四 周 期,則 E 基 態(tài) 原 子 的 價(jià) 層 電 子 排 布 是 時(shí),核電 荷 數(shù) 越 大,半 徑 越 小,則 原 子 半 徑:C>N> H,B 正 3d64s2,E 為鐵元 素。 (1)Al元 素 的 原 子 序 數(shù) 是 13,其 基 態(tài) 確 ;非 金 屬 性 :N>C,則 氣 態(tài) 氫 化 物 的 穩(wěn) 定 性 :NH3 >CH4 ,C 錯(cuò)誤 ;C 元 素 的 最 高 價(jià) 氧 化 物 的 水 化 物 為 H2CO3,H2CO3 原子 的價(jià)層電 子 排 布 式 為 3s23p1,基 態(tài) Fe2+ 的 價(jià) 層 電 子 排 為弱酸,D 錯(cuò)誤。 4.C 由 最 低 負(fù) 化 合 價(jià) 知,B 和 D 為 第 ⅥA 族 元 素,C 和 E 為 布圖為↑↓ ↑ ↑ ↑ ↑ 。(2)元素的非金屬性越強(qiáng),電 負(fù) 性 第ⅦA 族元素,同主 族 元 素,由 上 到 下,電 負(fù) 性 逐 漸 減 小,故 3d 越大,故這5種元素中電負(fù)性 最 大 的 是 O 元 素;同 周 期 元 素 從左到右第一電離能呈增大 趨 勢(shì),但 由 于 N 原 子 的 2p軌 道 處于半充滿(mǎn)狀態(tài),穩(wěn)定性強(qiáng),使 得 N 元 素 的 第 一 電 離 能 大 于 相鄰的 O 元素,則 A、B、C 三種 元 素 的 第 一 電 離 能 由 大 到 小 的順序?yàn)?N>O>C。(3)核外電子排布 相 同 的 離 子,離 子 半 徑隨原子序數(shù)的增 大 而 減 小,則 B、C、D 的 簡(jiǎn) 單 離 子 的 半 徑 由 大 到 小 的 順 序 為 N3- >O2- >Al3+ 。(4)O 元 素 形 成 的 核 外共有18個(gè)電子的氫化物 是 H2O2,屬 于 共 價(jià) 化 合 物,電 子 式 為 H ····O······O···· H。 B 是硫 元 素,D 是 氧 元 素,C 是 氯 元 素,E 是 氟 元 素;A 為 第 綜合訓(xùn)練4 第一章復(fù)習(xí)提升 ⅣA 族元素,同周期 主 族 元 素,從 左 到 右,電 負(fù) 性 逐 漸 增 大, 易錯(cuò)易混練 故 A 是碳元素。非金屬性:Cl<O<F,所以三者簡(jiǎn)單氣態(tài) 氫 化物的穩(wěn)定性:HCl< H2O< HF,A 錯(cuò) 誤;碳 原 子 最 高 能 級(jí) 1.D A 項(xiàng)不符合洪特規(guī)則,2p軌道上的3個(gè)電子 應(yīng) 分 別 占 據(jù) 軌道即2p軌道中有2個(gè)自旋狀態(tài)相 同 的 電 子,B 錯(cuò) 誤;與 元 三個(gè)軌道;B 項(xiàng)為 F- 的電子排布圖,不是 F 原子的電子排 布 素 S同周期且在該周期 中 第 一 電 離 能 最 小 的 元 素 的 單 質(zhì) 為 圖;C 項(xiàng)中 Fe是26號(hào) 元 素,基 態(tài) 原 子 核 外 電 子 排 布 式 應(yīng) 表 Na,它能 與 H2O 發(fā) 生 置 換 反 應(yīng),C 正 確;元 素 C、Cl之 間 可 示為 [Ar]3d64s2;D 項(xiàng) 屬 于 洪 特 規(guī) 則 的 特 例,原 子 處 于 能 量 以形成化合物,如 CCl4 等,D 錯(cuò)誤。 最低狀態(tài)。 5.A X、Z 原 子 中 分 別 有 1、7 個(gè) 運(yùn) 動(dòng) 狀 態(tài) 完 全 不 同 的 電 子,則 易錯(cuò)警示:書(shū) 寫(xiě) 基 態(tài) 原 子 的 軌 道 表 示 式 時(shí),防 止 出 現(xiàn) 以 下 X、Z原子序 數(shù) 分 別 為 1、7,則 X 是 H 元 素、Z 是 N 元 素;基 錯(cuò)誤: 態(tài) Y 原子中有3個(gè)能級(jí),且各 能 級(jí) 電 子 數(shù) 相 等,則 電 子 排 布 (1)違反泡利原理:↑↑。 式為1s22s22p2,核 外 電 子 數(shù) 為 6,Y 為 C 元 素;W 的 基 態(tài) 原 (2)違 反 洪 特 規(guī) 則 :↑↓ 或↑ ↓ ↓。 子的最外層電子數(shù) 是 內(nèi) 層 電 子 數(shù) 的 3 倍,W 只 能 含 有 2 個(gè) 能層,最外層含有6個(gè) 電 子,W 為 O 元 素;R 在 同 周 期 元 素 2.C 同一軌道中只能容納兩個(gè)自旋方向相反的電子,所以基態(tài) 中原子半徑最大,則 R 是 Na元素。分析知:X 是 H、Y 為 C、 1s 2s 2p 3s Z是 N、W 為 O、R 是 Na。Z是 N 元素,為7號(hào) 元 素,基 態(tài) 原 Mg原子 的 核 外 電 子 排 布 圖 應(yīng) 為 ↑↓ ↑↓ ↑↓ ↑↓ ↑↓ ↑↓,A 子 核 外 電 子 排 布 式 為 1s22s22p3,A 正 確 ;O2- 和 Na+ 的 電 子 錯(cuò)誤;過(guò)氧 化 氫 為 共 價(jià) 化 合 物,電 子 式 為 H ····O···· ··O····H,B 錯(cuò) 層數(shù)相 同,核 電 荷 數(shù) 越 大,離 子 半 徑 越 小,則 r(Na+ )< 誤;Fe為26號(hào)元素,失去外圍3個(gè)電子形成 Fe3+ ,最 外 電 子 r(O2- ),B 錯(cuò) 誤;同 周 期 主 族 元 素 從 左 到 右,第 一 電 離 能 呈 層為 M 層,電 子 排 布 為 3s23p63d5,C 正 確;As的 原 子 序 數(shù) 增大趨勢(shì),但 第 ⅡA 族、第 ⅤA 族 元 素 的 第 一 電 離 能 大 于 同 為33,屬于主族元素,由構(gòu)造原 理 可 知 其 基 態(tài) 原 子 電 子 排 布 周期相鄰元素,則第一電離能:I1(N)>I2(O)>I1(C),C 錯(cuò) 為 1s22s22p63s23p63d104s24p3,所 以 基 態(tài) As 原 子 的 簡(jiǎn) 化 電 — 91 —

子 排 布 式 為[Ar]3d104s24p3,D 錯(cuò) 誤 。 穩(wěn)定 易錯(cuò)警示:(1)對(duì)于 1~36 號(hào) 元 素 原 子 的 電 子 排 布 式 書(shū) 寫(xiě), (2)A 需掌握電子 填 入 能 級(jí) 順 序:1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d (3)3d5 由 Mn2+ 轉(zhuǎn) 化 為 Mn3+ 時(shí) ,3d 能 級(jí) 由 較 穩(wěn) 定 的 3d5 →4p,同時(shí)滿(mǎn) 足 能 量 最 低 原 理、泡 利 原 理 和 洪 特 規(guī) 則 及 其 半充滿(mǎn)狀態(tài)轉(zhuǎn) 變 為 不 穩(wěn) 定 的 3d4 狀 態(tài) 需 要 的 能 量 較 多;而 特例。 Fe2+ 轉(zhuǎn) 化 為 Fe3+ 時(shí) ,3d能 級(jí) 由 不 穩(wěn) 定 的 3d6 狀 態(tài) 轉(zhuǎn) 變 為 較 (2)區(qū)分價(jià)層電子 排 布 式、電 子 排 布 圖 與 電 子 排 布 式,書(shū) 寫(xiě) 穩(wěn)定的3d5 半充滿(mǎn)狀態(tài)需要的能量相對(duì)較少 電子排布式時(shí)仍然 要 按 能 層 順 序 進(jìn) 行 書(shū) 寫(xiě),即 3d 在 前,4s (4)I<Br<Cl<F 在后。 解析:(1)O 原 子 和 N 原 子 的 價(jià) 層 電 子 排 布 式 分 別 為 3.A Cl- 核 外 有 18 個(gè) 電 子 ,電 子 排 布 式 為 1s22s22p63s23p6, 2s22p4、2s22p3,N 原子的2p軌 道 半 充 滿(mǎn),結(jié) 構(gòu) 比 較 穩(wěn) 定,所 A 正確;氟原子最外層有7個(gè)電子,B 錯(cuò)誤;H2S屬 于 共 價(jià) 化 以 N 元素的第一電離能較大。(2)甲的I2?I1,所 以 甲 元 素 合 物 ,不 含 離 子 鍵 ,電 子 式 應(yīng) 為 H ····S···· H,C 錯(cuò) 誤 ;基 態(tài) S原 原子最外層有1個(gè)電子,乙的I3?I2,所 以 乙 元 素 原 子 最 外 層有2個(gè) 電 子,故 甲 為 Na元 素,乙 為 Mg元 素,第 三 周 期 共 1s 2s 2p 3s 3p 有3種金屬元素 Na、Mg、Al,且 Al的 第 一 電 離 能 應(yīng) 介 于 Na 子的軌 道 表 示 式 為 ↑↓ ↑↓ ↑↓↑↓↑↓ ↑↓ ↑↓ ↑ ↑ ,D 和 Mg 的 第 一 電 離 能 之 間,故 丙、丁 應(yīng) 為 非 金 屬 元 素。 (3)ⅦB 族 元 素 的 族 序 數(shù) = 價(jià) 層 電 子 數(shù),周 期 序 數(shù) = 電 子 層 錯(cuò)誤。 數(shù),所以 Mn原子的價(jià)層電子排 布 式 為 3d54s2,Mn2+ 的 價(jià) 層 4.B 由表中數(shù) 據(jù) 可 知,Q 元 素 各 級(jí) 電 離 能 都 比 較 大,尤 其 第 電子排 布式為 3d5。Mn2+ 的3d5 為半充滿(mǎn) 狀態(tài),較難失 去 電 子,而 Fe2+ 的3d6 失去 一個(gè) 電 子 變 為 半 充 滿(mǎn) 的 3d5 狀 態(tài),所 Ⅰ的其它元素大許多,可能為零族元素,A 正確;根據(jù)表 中 數(shù) 以 氣 態(tài) Mn2+ 再 失 去 一 個(gè) 電 子 比 氣 態(tài) Fe2+ 再 失 去 一 個(gè) 電 子 據(jù)可知,R 元素 原 子 的 最 外 層 應(yīng) 該 有 1 個(gè) 電 子,S 元 素 原 子 難 。 (4)一 般 來(lái) 說(shuō) ,同 主 族 元 素 從 上 到 下 電 負(fù) 性 逐 漸 減 小 。 的最外層應(yīng)該有2個(gè) 電 子,二 者 不 屬 于 同 一 族 的 元 素,B 錯(cuò) 易 錯(cuò) 警 示 :電 離 能 和 電 負(fù) 性 的 關(guān) 系 和 應(yīng) 用 誤;U 元素原子的最外層有 1 個(gè) 電 子,可 能 屬 于 s區(qū) 元 素,C 正確;T 元素原子的 最 外 層 有 3 個(gè) 電 子,價(jià) 層 電 子 排 布 式 是 ns2np1,D 正 確 。 (1)同一主族元素:金 屬 元 素 第 一 電 離 能 大 則 其 電 負(fù) 性 也 題后歸納:(1)根據(jù)電離能數(shù)據(jù),確定原子核外電子的 排 布。 大,金屬性、金屬活動(dòng) 性 也 弱;非 金 屬 元 素 第 一 電 離 能 大 則 如 Li:I1?I2<I3,表 明 Li原 子 核 外 的 三 個(gè) 電 子 排 布 在 兩 其 電 負(fù) 性 也 大 ,非 金 屬 性 、非 金 屬 活 潑 性 也 強(qiáng) 。 個(gè)能層(K、L 能層)上,且最外層上只有一個(gè)電子。 (2)同一周期元素:一般可以認(rèn)為第一電離能大的元素其 電 (2)根據(jù) 電 離 能 數(shù) 據(jù),確 定 元 素 在 化 合 物 中 的 化 合 價(jià)。 如 負(fù)性也大,第一電離能小的元素其電負(fù)性也小;但不能絕 對(duì) K:I1?I2<I3,表明 K 原子易 失 去 一 個(gè) 電 子 形 成 +1 價(jià) 陽(yáng) 化———例如第一電離能:N>O,而 電 負(fù) 性:N<O。 因 為 電 離 子 。 如 果In+1 ?IInn-1 ,即 電 離 能 在 In 與In+1 之間發(fā)生 負(fù)性與原子的核電 荷 數(shù) 和 能 層 有 關(guān),而 第 一 電 離 能 不 僅 與 In 核 電 荷 數(shù) 和 能 層 有 關(guān) ,還 與 電 子 層 結(jié) 構(gòu) 有 關(guān) 。 突變,則元素的原子 易 形 成 +n 價(jià) 離 子,如 果 是 主 族 元 素, (3)同周期部分元素第一電 離 能 的“反 常”情 況 主 要 為:ⅡA 則最高化合 價(jià) 為 +n 價(jià) (O、F 除 外 )。 某 元 素 的 逐 級(jí) 電 離 族>ⅢA 族,ⅤA 族>ⅥA 族。 能,若I2?I1,則該 元 素 通 常 顯 +1 價(jià);若I3 ?I2,則 該 元 專(zhuān)項(xiàng)突破練 素 通 常 顯 +2 價(jià) ;若I4 ?I3 ,則 該 元 素 通 常 顯 +3 價(jià) 。 1.C 由四種元素基態(tài)原子的電子排布式可知:①1s22s22p5 是 (3)判斷元 素 的 金 屬 性、非 金 屬 性 強(qiáng) 弱:I1 越 大,元 素 的 非 F 元 素 ;②1s22s22p4 是 O 元 素 ;③1s22s22p63s23p5 是 Cl元 金屬性越強(qiáng)(稀 有 氣 體 元 素 除 外);I1 越 小,元 素 的 金 屬 性 素;④1s22s22p63s1 是 Na元素。同周期主 族 元 素 從 左 向 右, 越強(qiáng)。 第一電離能呈增大 趨 勢(shì),即 Cl>Na,同 主 族 元 素 從 上 往 下, 5.C X、Y 元素同周期,且電 負(fù) 性:X>Y,則 非 金 屬 性:X>Y。 第一電離能逐漸減小,即 F>Cl,故第一電離能:F>Cl>Na, 電負(fù)性大的元素在 化 合 物 中 顯 負(fù) 價(jià),所 以 X 和 Y 形 成 化 合 即①>③>④,A 錯(cuò)誤;F- 、O2- 、Na+ 核外電子排布相同,核 物時(shí),X 顯負(fù)價(jià),Y 顯正價(jià),A 正確;一般非 金 屬 性 強(qiáng) 的 元 素, 電荷數(shù)越大,離子 半 徑 越 小,離 子 半 徑:O2- >F- >Na+ ,即 其第一電離能大,但第ⅡA 族元素和第ⅤA 族元素的第 一 電 ②>①>④,B 錯(cuò)誤;同周期從左向右 元 素 電 負(fù) 性 增 大,同 主 離能分別大于 同 周 期 相 鄰 元 素,則 Y 的 第 一 電 離 能 可 能 小 族從上往下,元素電負(fù) 性 減 小,故 電 負(fù) 性:① > ② > ④,C 正 于 X,B 正 確;非 金 屬 性 越 強(qiáng),其 最 高 價(jià) 氧 化 物 對(duì) 應(yīng) 的 水 化 物 確;①是 F 元素,無(wú) 正 價(jià),③ 是 Cl元 素,最 高 正 價(jià) 為 +7 價(jià), 的酸性越強(qiáng),非金屬性:X>Y,則 最 高 價(jià) 含 氧 酸 的 酸 性:X> ④是 Na元素,最高正價(jià)為+1價(jià),D 錯(cuò)誤。 Y,C 錯(cuò)誤;非金 屬 性 越 強(qiáng),其 簡(jiǎn) 單 氣 態(tài) 氫 化 物 越 穩(wěn) 定,則 簡(jiǎn) 2.C 同周期元 素 的 原 子 電 子 層 數(shù) 相 同,核 電 荷 數(shù) 增 大,原 子 單氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:Y<X,D 正確。 核對(duì)外層電子吸引力增大,半徑減小,A 錯(cuò)誤;同主族元 素 電 易錯(cuò)警示:本題主要考查元素“位—構(gòu)—性”的關(guān)系,根據(jù) 同 子層數(shù)隨核電荷數(shù) 增 大 而 增 加,半 徑 也 隨 之 增 大,原 子 核 對(duì) 周期元素電負(fù)性大小判斷元素的非金屬性強(qiáng)弱是解答本題 成鍵電子對(duì)的吸引力減小,即電負(fù)性 減 小,B 錯(cuò) 誤;同 周 期 元 的 關(guān) 鍵 ,注 意 第 一 電 離 能 變 化 規(guī) 律 中 的 特 例 。 素隨核電荷數(shù)增大,最外層電子數(shù)增多,得電子能力增 強(qiáng),電 6.(1)1s22s22p2 N 原 子 的 2p 軌 道 達(dá) 到 半 充 滿(mǎn) 狀 態(tài),比 較 負(fù)性增大,C 正確;同主族元素隨核電荷 數(shù) 增 加,電 子 層 數(shù) 增 — 92 —

多,原子核對(duì)外層電子吸引力減小,易失去第一個(gè)電子,第 一 C 為第二周期元素 時(shí),B2+ 、C- 分 別 表 示 B 原 子 失 去 2 個(gè) 電 電離能減小,D 錯(cuò)誤。 子、C 原子得到1個(gè)電子達(dá)到 8 電 子 穩(wěn) 定 結(jié) 構(gòu),則 B 為 鎂、C 3.A 由最高價(jià)氧化物對(duì) 應(yīng) 水 化 物 的 酸 性:HXO4>H2YO4> 為 氟 ,由于 A、B 在同 一周期,A 的 最低價(jià)陰 離子為 A2- ,A2- H3ZO4 可知,非金屬性 X>Y>Z,D 正 確;同 周 期 元 素 從 左 表示 A 原子得到2個(gè) 電 子 達(dá) 到 8 電 子 穩(wěn) 定 結(jié) 構(gòu),則 A 為 硫 到右非金屬性增強(qiáng),原子半徑 逐 漸 減 小,所 以 原 子 半 徑:X< 元素,即 A、B、C 分 別 為 S、Mg、F;同 理 當(dāng) B 為 第 二 周 期 元 Y<Z,A 錯(cuò)誤;元素非金屬性越強(qiáng),其 簡(jiǎn) 單 氫 化 物 越 穩(wěn) 定,由 素、C 為 第 一 周 期 元 素 時(shí),A 為 氧、B 為 鈹、C 為 氫。 原 子 序 于非金 屬 性 X>Y>Z,所 以 氣 態(tài) 氫 化 物 的 穩(wěn) 定 性:HX> 數(shù) A>B>C,A 錯(cuò) 誤;原 子 半 徑:B>A>C,B 錯(cuò) 誤;離 子 半 H2Y>ZH3,B 正確;非金屬性 X>Y>Z,一般元素 的 非 金 屬 徑 :A2- >C- >B2+ ,C 正 確 ;原 子 核 外 最 外 層 電 子 數(shù) :C>A 性越強(qiáng),其電負(fù)性越大,則電負(fù)性:X>Y>Z,C 正確。 >B 或 A>B>C,D 錯(cuò)誤。 題 后 歸 納 :微 粒 半 徑 的 大 小 比 較 6.C X 與 R 位于同族,且 X 與 R 形成的一種化合物能使品紅 (1)同周期元素的 原 子 半 徑、最 高 價(jià) 陽(yáng) 離 子 半 徑、最 低 價(jià) 陰 溶液褪色,該化合物為 SO2,則 R 為 S,X 為 O,根 據(jù) 元 素 周 離子半徑:隨著核電 荷 數(shù) 增 多,都 依 次 減 小 (稀 有 氣 體 元 素 期表的結(jié)構(gòu)推知 W 為 Si,Z為 Al,Y 為 Na。Na2O 中只含有 原 子 除 外 )。 離子鍵,Na2O2 中含有離子 鍵 和 共 價(jià) 鍵,A 錯(cuò) 誤;Si、Al都 能 (2)同主族元素的原子半徑、相同價(jià)態(tài)陽(yáng)離子半徑和陰離 子 與 NaOH 溶液反應(yīng),可選用 鹽 酸 除 去 單 質(zhì) Si中 混 有 的 單 質(zhì) 半 徑 ;隨 著 電 子 層 數(shù) 增 多 ,都 依 次 增 大 。 Al,B 錯(cuò)誤;O、S、Si的非金屬性:O>S>Si,故 簡(jiǎn) 單 氫 化 物 的 (3)核外電子排布(即電子層結(jié)構(gòu))相同的離子半徑:隨 著 核 熱穩(wěn)定性:H2O>H2S>SiH4,C 正 確;在 化 合 物 硫 化 鈉 中, 電 荷 數(shù) 增 多 ,半 徑 依 次 減 小 。 Na+ 的 半 徑 小 于 S2- 的 半 徑 ,在 化 合 物 氧 化 鈉 中 ,Na+ 的 半 (4)同 種 元 素 形 成 的 粒 子 半 徑:陽(yáng) 離 子 < 原 子,原 子 < 陰 離 徑 小 于 O2- 的 半 徑 ,D 錯(cuò) 誤 。 子,且陽(yáng)離子價(jià)態(tài)越高,半徑 越 小。 如:r(Fe3+ )<r(Fe2+ ) 7.(1)H O Al S K <r(Fe),r(Br)<r(Br- )。 (2)K O (5)比較核電荷數(shù)和電子層結(jié)構(gòu)都不同的粒子半徑,一般 要 (3)負(fù) 正 找參 考 物 。如 比 較 Al3+ 和 S2- 的 半 徑 大 小 ,可 找 與 Al3+ 電 (4)Al2O3、K2O H2O、SO3 子層結(jié) 構(gòu) 相 同、與 S 同 一 主 族 的 O 的 離 子 O2- 來(lái) 作 參 考, 解析:由 于 B、D 同 主 族 且 原 子 最 外 層 的 p 能 級(jí) 電 子 數(shù) 是 最 因 為 Al3+ <O2- ,且 O2- <S2- ,故 Al3+ <S2- 。 外 層的s能級(jí)電子數(shù)的2倍,則 B、D 元素原子的最外層電子 4.C 根 據(jù) 短 周 期 主 族 元 素 Z 與 X 形 成 淡 黃 色 化 合 物 Z2X2, 排布式為ns2np4,即 B、D 均 為 第 ⅥA 族 元 素,故 B 為 O,D 結(jié) 合 所 學(xué) 元 素 化 合 物 知 識(shí) 推 斷 Z2X2 是 Na2O2,則 X 是 O 元 為 S;A、E 均為第ⅠA 族 元 素 且 A 為 非 金 屬 元 素、E 為 金 屬 素,Z 是 Na 元 素。 基 態(tài) O 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 是 元素,則 A 為 H,E 為 K;C 元 素 原 子 最 外 層 電 子 數(shù) 是 D 元 1s22s22p4,電子總數(shù) 是 8,最 高 能 級(jí) 電 子 數(shù) 是 4,符 合 題 意。 再根據(jù) Y、W 最外層電子 數(shù) 相 同,且 主 族 元 素 X、Y、Z、W 的 素 原 子 最 外 層 電 子 數(shù) 的 1 ,故 C 元 素 原 子 的 最 外 層 電 子 排 原子序數(shù)依次增大,可以判斷 Y、W 分別是 F 元 素、Cl元 素。 2 同主族元素從上到 下,第 一 電 離 能 逐 漸 減 小,同 周 期 元 素 從 左到右,第一電離能呈增大 趨 勢(shì),故 第 一 電 離 能:F>Cl,F> 布式為3s23p1,則 C 為 Al。五種元素中,屬于金 屬 元 素 的 是 O,A 錯(cuò) 誤;元 素 電 負(fù) 性 由 大 到 小 的 順 序 是 F>O>Cl,則 單 質(zhì)得電子能力由強(qiáng)到弱的 順 序 也 是 F>O>Cl,因 此 簡(jiǎn) 單 離 Al、K,且金屬性:K>Al,則 K 的 電 負(fù) 性 為 0.8,Al的 電 負(fù) 性 子 的還原性 由強(qiáng)到弱 的順 序 是 Cl- >O2- >F- ,B 錯(cuò) 誤 ;O、 F、Na、Cl對(duì) 應(yīng) 的 簡(jiǎn) 單 離 子 中,Cl- 電 子 層 數(shù) 最 多,半 徑 最 大, 為1.5;屬于非金屬 元 素 的 是 H、S、O,且 非 金 屬 性:O>S> O、F、Na對(duì) 應(yīng) 的 簡(jiǎn) 單 離 子 電 子 排 布 相 同,原 子 序 數(shù) 越 大,半 徑 越 小 ,故 簡(jiǎn) 單 離 子 半 徑 由 大 到 小 的 順 序 是 Cl- >O2- >F- H,則 O 的電負(fù)性為 3.5,S 的 電 負(fù) 性 為 2.5,H 的 電 負(fù) 性 為 2.1;當(dāng) O 與 H、S、Al分 別 形 成 化 合 物 時(shí),由 于 O 的 電 負(fù) 性 大,所以 O 顯負(fù) 價(jià),其 他 元 素 顯 正 價(jià)。 一 般 情 況 下,當(dāng) 兩 元 素的電負(fù)性差值小于1.7時(shí)形成共價(jià)鍵,大于1.7 時(shí) 形 成 離 子鍵。 第二章 分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) >Na+ ,C 正確;F、Cl對(duì)應(yīng)的 氫 化 物 分 別 是 HF 和 HCl,HCl 第一節(jié) 共價(jià)鍵 是強(qiáng)酸,HF 是弱酸,D 錯(cuò)誤。 名師點(diǎn)評(píng):有關(guān)元素周期表和元素周期律的試題,推斷出 元 課時(shí)1 共價(jià)鍵 素是解答的關(guān)鍵。“位—構(gòu)—性 ”推 斷 的 核 心 是 結(jié) 構(gòu),即 根 基礎(chǔ)鞏固練 據(jù)結(jié)構(gòu)首先判斷元 素 在 元 素 周 期 表 中 的 位 置,然 后 根 據(jù) 元 素性質(zhì)的相似性和 遞 變 性 預(yù) 測(cè) 其 可 能 的 性 質(zhì);也 可 以 根 據(jù) 1.D 成鍵原子的原子軌道在 空 間 重 疊,共 用 電 子 在 兩 原 子 核 元素的性質(zhì)確定其 在 周 期 表 中 的 位 置,進(jìn) 而 推 斷 出 原 子 結(jié) 之間高概率出現(xiàn),形成穩(wěn)定的共價(jià)鍵后體系能量降低是 共 價(jià) 構(gòu)。 鍵的成鍵因素,A、B、C 正確;成 鍵 原 子 的 原 子 核 體 積 的 大 小 5.C A、B、C 分別為三種短周期元素,B2+ 和 C- 具有相同的電 對(duì)共價(jià)鍵的形成沒(méi)有影響,D 錯(cuò)誤。 子層結(jié)構(gòu),說(shuō)明 B 為 第 三 周 期 元 素、C 為 第 二 周 期 元 素 或 B 2.C A 項(xiàng)由共價(jià)鍵的飽 和 性 決 定 的,錯(cuò) 誤;B 項(xiàng) H2O 與 H2S 為第二周期元素、C 為第一周期元素;當(dāng) B 為第三周 期 元 素、 的空間結(jié)構(gòu)一樣是由中心原子含有的孤電子對(duì)決定的,與 共 — 93 —

價(jià)鍵的飽和性無(wú)關(guān),錯(cuò)誤;C 項(xiàng) H2 中 的 共 價(jià) 鍵 無(wú) 方 向 性,正 電荷、核外電子與核 外 電 子 間 排 斥 力 與 吸 引 力 相 等,形 成 了 確;D 項(xiàng)兩原子軌道 發(fā) 生 重 疊 后,電 子 在 兩 極 核 間 出 現(xiàn) 的 概 π鍵,D 錯(cuò)誤。 率 增 大 ,錯(cuò) 誤 。 4.A S原子有兩個(gè)未成對(duì)電子,根據(jù)共價(jià)鍵的飽和性,形成的 3.D 核間帶負(fù)電的高密度重疊區(qū)吸引兩個(gè) H 原子的原子核, 氫 化物為 H2S,A 正確;H2O 能結(jié)合1個(gè) H+ 形成 H3O+ ,不 使它們逐漸靠近,但 達(dá) 到 一 定 距 離 后,原 子 核 與 原 子 核 所 帶 能說(shuō)明共價(jià)鍵不具 有 飽 和 性,B 錯(cuò) 誤;H2 分 子 中,H 原 子 的 的正電荷相互排斥,核 間 電 子 所 帶 的 負(fù) 電 荷 相 互 排 斥,吸 引 s軌道成鍵時(shí),因 為 s軌 道 為 球 形,所 以 H2 分 子 中 的 H—H 力與排斥力達(dá)到平衡,兩 個(gè) H 原 子 核 最 終 保 持 一 定 平 衡 距 鍵沒(méi)有方向性,C 錯(cuò)誤;兩個(gè)原子軌道發(fā) 生 重 疊 后,電 子 在 兩 離,不會(huì)完全結(jié)合到一起,D 錯(cuò)誤。 核之間出現(xiàn)的概率大,但不是僅存在于兩核之間,D 錯(cuò)誤。 4.A A 項(xiàng)是2個(gè) p軌 道 “肩 并 肩 ”重 疊 形 成 的 π 鍵;B 項(xiàng) 是 s 5.C O 也可以 形 成 兩 個(gè) σ鍵,如 H—O—H 中,A 錯(cuò) 誤;兩 個(gè) 軌道與 p軌道重疊形成的 σ鍵;C 項(xiàng)是 2 個(gè) p軌 道 重 疊 形 成 p軌道可形成一個(gè) σ鍵,如 Cl—Cl,也 可 形 成 一 個(gè) σ鍵 和 一 的 σ鍵;D 項(xiàng)是2個(gè)s軌道重疊形成的 σ鍵。 個(gè) π鍵,如 O O,還 可 以 形 成 一 個(gè) σ 鍵 和 兩 個(gè) π 鍵,如 5.C A 項(xiàng)單鍵是 σ鍵,雙鍵是一個(gè)σ鍵和一個(gè) π鍵,三鍵是一 N N ,B 錯(cuò) 誤;σ 鍵 能 單 獨(dú) 存 在,π 鍵 不 能 單 獨(dú) 存 在,D 個(gè)σ鍵和二個(gè)π鍵,所以分子中只要有共價(jià)鍵,至少含一個(gè)σ 錯(cuò)誤。 鍵,A 正確;σ鍵 的 對(duì) 稱(chēng) 方 式 都 是 軸 對(duì) 稱(chēng),而 π 鍵 為 鏡 面 對(duì) 6.B CCl4 分 子 中 含 有 4 個(gè) σ鍵,不 含 π 鍵,A 不 符 合 題 意; 稱(chēng),故 B 項(xiàng)正確;C 項(xiàng) σ鍵的重 疊 方 式 為“頭 碰 頭”,π 鍵 的 重 CS2 的結(jié)構(gòu)式是 S C S,分 子 中 含 有 2 個(gè) σ 鍵 和 2 個(gè) π 疊方式為“肩并肩”,錯(cuò)誤;D 項(xiàng)含有 π鍵的分子 在 反 應(yīng) 時(shí),最 O 先斷鍵的是 π鍵,π鍵是化學(xué)反應(yīng)的積極參與者,正確。 6.D 單鍵均為σ鍵,雙鍵和三鍵中各存在一個(gè)σ鍵,其余均為 鍵,σ鍵與π鍵數(shù)目比為1∶1,B 符合題意;H C H 分子 π鍵。 中 含有3個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵,σ鍵與π鍵數(shù)目比為3∶1,C 不 7.(1)DE (2)C (3)ABCF (4)F 符合題意;C2H2 的結(jié)構(gòu)式 是 H C C H ,分 子 中 含 有 3 解析:NH3 中的 N 原子與3個(gè) H 原子形成3個(gè)σ鍵,最外層 個(gè) σ鍵和 2 個(gè) π 鍵,σ 鍵 與 π 鍵 數(shù) 目 比 為 3∶2,D 不 符 合 還有1對(duì)未參與成鍵的電子;H2O 中的 O 原 子 與 2 個(gè) H 原 題意。 子形成2個(gè) σ鍵,最 外 層 還 有 2 對(duì) 未 參 與 成 鍵 的 電 子;HCl 7.D 水分子中只有單鍵,全 部 是 σ鍵,A 不 符 合;乙 醇 分 子 中 中的 Cl原子與1個(gè) H 原子形 成 1 個(gè) σ鍵,最 外 層 還 有 3 對(duì) 只有單 鍵,全 部 是 σ鍵,B 不 符 合;氨 氣 分 子 中 只 有 單 鍵,全 未參與成鍵的電子;CH4 中 的 C 原 子 與 4 個(gè) H 原 子 形 成 4 部是 σ鍵,C 不符合;乙醛分子中含 有 單 鍵 和 碳 氧 雙 鍵,既 含 個(gè)σ鍵,所有價(jià)層電子都參與成鍵;C2H6 中的1個(gè) C 原子與 σ鍵,又含 π鍵,D 符合。 3個(gè) H 原子及另外1個(gè) C 原子形成4個(gè)σ鍵,所有價(jià)層電子 8.C 含有一個(gè)未成 對(duì) 電 子 的 s軌 道 與 s軌 道 形 成 σ鍵,A 錯(cuò) 都參與成鍵;N2 中的 N 原子 與 另 外 1 個(gè) N 原 子 形 成 1 個(gè) σ 誤;含有一個(gè)未成對(duì) 電 子 的 p軌 道 與 p軌 道 形 成 σ鍵,含 有 鍵、2個(gè) π 鍵,每 個(gè) N 原 子 最 外 層 還 有 1 對(duì) 未 參 與 成 鍵 的 兩個(gè)未成對(duì)電子的 p軌道與 p軌道形成一個(gè)σ鍵和一個(gè) π 電子。 鍵,B、D 錯(cuò)誤。 素養(yǎng)提升練 9.(1)① ② ③ ⑥ ⑦ ⑧ 1.D s電子在形成共價(jià)鍵時(shí),沒(méi)有方向 性,則 不 是 所 有 的 共 價(jià) (2)④⑤⑨ (3)⑦ 鍵都具有方向性,A 錯(cuò)誤;某原子跟其他原子形成共價(jià) 鍵 時(shí), (4)①③⑤⑥⑧⑨ (5)②④⑤⑥⑧⑨ 其共價(jià)鍵數(shù)不一定等于該元素原子的價(jià)電子數(shù),例如水 分 子 解析:單鍵只有 σ鍵,雙鍵和三鍵既有 σ鍵,又 有 π鍵。 在 本 中 氧原子形成2個(gè) H—O 鍵,但氧原子的價(jià)電子數(shù)是6,B 錯(cuò) 題 中,H 原子與 H 原子之間形成s-sσ鍵,H 原子與其他原 誤;基態(tài) C 原子有兩個(gè)未成 對(duì) 電 子,但 可 雜 化 形 成 4 個(gè) 等 同 子之間形成 s-pσ鍵,其 他 原 子 和 其 他 原 子 之 間 形 成 p-p 的sp3 雜化軌道,形成4個(gè)共價(jià) 鍵,C 錯(cuò) 誤;O 原 子 最 外 層 有 σ鍵 。 6 個(gè)電子,未成對(duì)電子數(shù)為2,則1個(gè) O 原子最多只能與2個(gè) 課時(shí)2 鍵參數(shù)———鍵能、鍵長(zhǎng)與鍵角 H 原子結(jié)合形成 H2O 分子,是由共 價(jià) 鍵 的 飽 和 性 決 定 的,D 基礎(chǔ)鞏固練 正確。 2.C A 項(xiàng),Na2O2 中 既 有 離 子 鍵 又 有 O—O 共 價(jià) 鍵,不 符 合 1.C 鍵能 是 實(shí) 驗(yàn) 數(shù) 據(jù),一 般 通 過(guò) 實(shí) 驗(yàn) 進(jìn) 行 測(cè) 定 后 求 其 平 均 題意;B 項(xiàng),CaF2 中只有 離 子 鍵,不 符 合 題 意;D 項(xiàng),NaCl中 值,但更多的鍵 能 數(shù) 據(jù) 也 可 通 過(guò) 推 算 獲 得,A、B 正 確,C 錯(cuò) 只 有 離 子 鍵 ,不 符 合 題 意 。 誤;鍵能越大,化學(xué)鍵越穩(wěn)定,D 正確。 3.D 從題圖可知,原子核對(duì)核 外 電 子 的 吸 引 力 促 使 兩 個(gè) 原 子 2.C 雙鍵中含有1個(gè) σ鍵 和 1 個(gè) π 鍵,由 于 π 鍵 電 子 云 重 疊 軌道相互靠攏,兩個(gè)原子的 p軌道以“肩并肩”的方式重疊 形 程度小,不如 σ鍵 穩(wěn) 定,所 以 雙 鍵 的 鍵 能 小 于 單 鍵 鍵 能 的 2 成 π鍵,每個(gè) π鍵有兩個(gè)重疊區(qū)域,它們互為鏡像,稱(chēng)為鏡面 倍,C 正確。 對(duì)稱(chēng),A、B、C 正 確;每 個(gè) π 鍵 有 兩 個(gè) 重 疊 區(qū) 域,在 平 面 上 下 3.C 鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,共價(jià)鍵越穩(wěn)定。 呈鏡面對(duì)稱(chēng),即有兩 個(gè) 密 度 較 大 的 重 疊 區(qū) 域,負(fù) 電 荷 中 心 吸 4.A 共價(jià)鍵具有飽和性 和 方 向 性,A 正 確,B 錯(cuò) 誤;乙 炔 分 子 引兩個(gè)原子核,使兩 個(gè) 原 子 靠 近 到 一 定 距 離 時(shí),核 與 核 的 正 為直線(xiàn)形,鍵角為180°,C 錯(cuò)誤;多原子分子中相 鄰 共 價(jià) 鍵 的 — 94 —

鍵角不能依據(jù)結(jié)構(gòu)式做出簡(jiǎn) 單 判 斷,H2O2 分 子 中 O—H 鍵 5.A C—H 鍵比 Si—H 鍵的 鍵 長(zhǎng) 短,則 C—H 鍵 比 Si—H 鍵 與 O—O 鍵夾角并 不 等 于 180°,其 分 子 為 “書(shū) 頁(yè) 形 ”結(jié) 構(gòu),D 的鍵能大,故 CH4 比SiH4 更穩(wěn)定,A 正確;O2 分子內(nèi)兩個(gè) O 原 錯(cuò)誤。 子形成2個(gè)共用電子對(duì),結(jié)合力強(qiáng),斷鍵吸收的能量高,而 F2 分 5.D 由 表 中 數(shù) 據(jù) 可 知,鍵 能:E (H—H)>E (H—Cl)> 子內(nèi)的2個(gè) F原子形成1個(gè)共用電子對(duì),結(jié)合力相對(duì) O2 較弱, E(H—Br)>E(Cl—Cl)>E (Br—Br),鍵 能 越 大 物 質(zhì) 越 穩(wěn) 斷鍵吸收的能量較低,因此更容易與 H2 發(fā)生反應(yīng),即 F2 與 H2 定,故 Br2 分子最不穩(wěn)定,D 項(xiàng)符合題意。 反應(yīng)的能力 比 O2 強(qiáng),B 錯(cuò) 誤;水 分 子 的 結(jié) 構(gòu) 式 可 表 示 為 H— 6.D PCl3 分子中 三 個(gè) P—Cl鍵 的 鍵 長(zhǎng)、鍵 角 和 鍵 能 均 相 等, O—H,分子中的鍵角為105°,水分子是 V 形結(jié)構(gòu),C 錯(cuò)誤;水分 屬于極性鍵,D 錯(cuò)誤。 解生成氧氣和 氫氣時(shí),反應(yīng) 消 耗 的 能 量 = 斷 鍵 吸 收 的 能 量 - 成 7.A ΔH = 反 應(yīng) 物 鍵 能 總 和 - 生 成 物 鍵 能 總 和 =413 鍵放出的能量,由于 O O 鍵與 H—H 鍵的鍵能未知,所以成 kJ·mol-1×6+348 kJ·mol-1-413 kJ·mol-1×4-615 鍵放出的能量未知,無(wú)法計(jì)算反應(yīng)熱,則18g H2O 分解成 H2 kJ·mol-1-436 kJ·mol-1=+123 kJ·mol-1。故選 A。 和 O2 時(shí),消耗的能量無(wú)法計(jì)算,D錯(cuò)誤。 8.(1)179 (2)a 多 6.D F—F 鍵的鍵能出 現(xiàn) 了 反 常,F—F 鍵 的 鍵 能 小 于 Cl—Cl 解析:(1)1 molH2 在2 molCl2 中燃 燒,參 加 反 應(yīng) 的 氫 氣 和 鍵,A 錯(cuò)誤;鹵族元素 的 原 子 形 成 的 X—X 鍵 鍵 長(zhǎng) 隨 X 原 子 氯氣的物質(zhì)的量都是1 mol,生成2 molHCl,則 放 出 的 熱 量 核電荷數(shù)增 加 而 增 大,B 錯(cuò) 誤;C—H 鍵 的 鍵 能 大 于 N—H 為431 kJ·mol-1 ×2 mol-436 kJ·mol-1 ×1 mol-247 鍵的鍵能,C 錯(cuò)誤。 kJ·mol-1×1 mol=179kJ。 7.D (2)在一定條件下,1 molH2 與 足 量 的 Cl2 反 應(yīng) 放 出 的 熱 量 8.(1)O—H、S—H、Se—H 鍵 長(zhǎng) 逐 漸 增 大,因 此 鍵 能 逐 漸 減 小 為179kJ;1 molH2 與 足 量 的 Br2 反 應(yīng) 放 出 的 熱 量 為 366 247 kJ·mol-1 390.8 kJ·mol-1 kJ·mol-1 × 2 mol- 436 kJ·mol-1 × 1 mol- 193 (2)C—C 鍵 鍵 能 較 大,較 穩(wěn) 定,因 而 易 形 成 C—C 長(zhǎng) 鏈,而 kJ·mol-1×1mol=103kJ;1molH2 與足量的I2 反應(yīng)放出 N—N 鍵、O—O 鍵 鍵 能 小,不 穩(wěn) 定,易 斷 裂,因 此 難 以 形 成 的熱量為299 kJ·mol-1×2 mol-436 kJ·mol-1×1 mol N—N 長(zhǎng)鏈、O—O 長(zhǎng)鏈 -151 kJ·mol-1×1 mol=11kJ,綜 上,放 出 熱 量 由 多 到 少 解析:(1)O、S、Se位 于 同 一 主 族,原 子 半 徑 逐 漸 增 大,導(dǎo) 致 的 順 序 是 Cl2>Br2>I2;可 以 看 出 ,1 molH2 在 足 量 F2 中 燃 O—H、S—H、Se—H 的 鍵 長(zhǎng) 逐 漸 增 大,鍵 長(zhǎng) 越 長(zhǎng),鍵 能 越 燒比在足量 Cl2 中燃燒放熱多。 小,所以 O—H、S—H、Se—H 的 鍵 能 逐 漸 減 小;N、P、As位 于同一主族,原子半徑 逐 漸 增 大,導(dǎo) 致 N—H、P—H、As—H 素養(yǎng)提升練 1.D 鍵角是多原子分子中兩 個(gè) 相 鄰 共 價(jià) 鍵 之 間 的 夾 角,是 描 的鍵長(zhǎng)逐漸增大,N—H、P—H、As—H 鍵 的 鍵 能 逐 漸 減 小, 述分子空間結(jié)構(gòu)的 重 要 參 數(shù),A 正 確;影 響 鍵 長(zhǎng) 的 因 素 有 參 所以 As—H 鍵 鍵 能 <P—H 鍵 鍵 能 <N—H 鍵 能,即 247 與成鍵的原子半徑、成 鍵 原 子 周 圍 的 環(huán) 境,鍵 長(zhǎng) 的 大 小 與 成 kJ·mol-1<P—H 鍵的鍵能 <390.8 kJ·mol-1。(2)鍵 能 鍵原子的半徑和成鍵 數(shù) 目 有 關(guān),B 正 確;多 原 子 分 子 的 鍵 角 越大,化學(xué)鍵越穩(wěn)定,越 不 容 易 斷 裂,分 子 越 穩(wěn) 定,由 表 中 數(shù) 一定,表明共價(jià)鍵具有方向性,C 正確;鍵 能 越 大,鍵 長(zhǎng) 越 短, 據(jù)可知,C—C 鍵的 鍵 能 (347.7 kJ·mol-1)較 大,碳 原 子 間 共價(jià)化合物越穩(wěn)定,D 錯(cuò)誤。 易形 成 C—C 長(zhǎng) 鏈,而 N—N 鍵、O—O 鍵 的 鍵 能 (分 別 為 193 kJ·mol-1、142 kJ·mol-1)較 小,化 學(xué) 鍵 不 穩(wěn) 定,容 易 2.B 分子中的原子始終處于 不 斷 振 動(dòng) 之 中,鍵 長(zhǎng) 是 分 子 中 處 斷裂,所以 氮 原 子 與 氮 原 子 間、氧 原 子 與 氧 原 子 間 難 形 成 于振動(dòng)中的兩個(gè)原子 在 平 衡 位 置 時(shí) 的 核 間 距,A 錯(cuò) 誤,B 正 N—N 長(zhǎng)鏈和 O—O 長(zhǎng)鏈。 確;鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,是在同一類(lèi)型的鍵(單鍵、雙鍵 或 三 鍵)中進(jìn)行比較的,C、D 錯(cuò)誤。 1.D 綜合訓(xùn)練5 共價(jià)鍵 3.D 分子中鍵 能 越 大,斷 開(kāi) 該 鍵 所 需 的 能 量 越 多,化 學(xué) 鍵 越 基礎(chǔ)鞏固練 牢固,化學(xué)鍵越難以 斷 裂,A 正 確;第 ⅠA 族 (除 H 外 )為 堿 金屬元素,堿金屬都 是 活 潑 金 屬,均 形 成 離 子 鍵,B 正 確;水 共價(jià)鍵的飽和性由原子 的 未 成 對(duì) 電 子 數(shù) 決 定,與 原 子 軌 分子的結(jié)構(gòu) 式 可 表 示 為 H—O—H,分 子 中 的 鍵 角 為 105°, 道的重疊程度無(wú)關(guān),A 錯(cuò) 誤;某 原 子 與 其 他 原 子 形 成 共 價(jià) 鍵 C 正確;破壞化學(xué)鍵需要吸收能量,形成化 學(xué) 鍵 時(shí) 釋 放 能 量, 時(shí),其共價(jià)鍵數(shù)目不 一 定 等 于 該 元 素 原 子 的 價(jià) 層 電 子 數(shù),如 D錯(cuò)誤。 H2O 分子中 O 原子形成2個(gè) H—O 鍵,但 O 原 子 的 價(jià) 層 電 4.C 三鍵的鍵能大于雙鍵,雙 鍵 的 鍵 能 大 于 單 鍵,所 以 鍵 能: 子數(shù)是6,B 錯(cuò)誤;H 原子最外 層 有 1 個(gè) 未 成 對(duì) 電 子,最 多 可 C—N<C N<C≡N,A 正 確;原 子 半 徑:Cl<Br<I,原 子 形成1個(gè)共價(jià)鍵,C 錯(cuò)誤;N 原子最外層 2p軌 道 上 有 3 個(gè) 未 半徑越大,原子間形成的共價(jià) 鍵 的 鍵 長(zhǎng) 越 長(zhǎng),故 鍵 長(zhǎng):I—I> 成對(duì)電子,則1個(gè) N 原子最 多 只 能 與 3 個(gè) H 原 子 結(jié) 合 形 成 Br—Br>Cl—Cl,B 正 確;H2O 分 子 呈 V 形,兩 個(gè) 氫 氧 鍵 的 NH3 分子,這是由共價(jià)鍵的飽和性決定的,D 正確。 夾角為 105°,CO2 分 子 呈 直 線(xiàn) 形,兩 個(gè) 碳 氧 鍵 的 夾 角 為 2.D H 最 外 層 只 有 一 個(gè) 電 子,只 能 形 成 σ鍵,O 最 外 層 為 6 180°,故鍵角:H2O<CO2,C 錯(cuò) 誤;σ 鍵 為 “頭 碰 頭 ”重 疊 形 個(gè)電子,可以形成 σ鍵和 π鍵,A 正 確;σ鍵 與 π 鍵 電 子 云 形 成,強(qiáng)度大,π鍵 為 “肩 并 肩”重 疊 形 成,強(qiáng) 度 小,故 乙 烯 分 子 狀不同,σ鍵電 子 云 圖 形 是 軸 對(duì) 稱(chēng) 的,而 π 電 子 云 是 鏡 面 對(duì) 中碳碳鍵的鍵能:σ鍵>π鍵,D 正確。 稱(chēng)的,B 正確;有些原子只能形成 σ鍵,如 H、Cl原子,不能形 — 95 —

成 π鍵,C 正確;在分子形成時(shí)為了使其能量 最 低,首 先 形 成 在共價(jià)雙鍵,含有 σ鍵和 π鍵,C 與 C 之間為非極性 鍵,⑤ 符 σ鍵,根據(jù)形成原子的核外電子 排 布 來(lái) 判 斷 是 否 形 成 π 鍵,π 合題意。符合題意的有①②⑤。故選 A。 鍵不能單獨(dú)存在,必須與 σ鍵共存,D 錯(cuò)誤。 4.D H—H 鍵鍵長(zhǎng)近 似 等 于 成 鍵 的 兩 個(gè) H 原 子 共 價(jià) 半 徑 之 3.C H 原子的1s軌道只 有 一 個(gè) 未 成 對(duì) 電 子,只 能 形 成 σ鍵, 和,A 正 確;同 類(lèi) 型 的 共 價(jià) 鍵,鍵 能 越 小,鍵 長(zhǎng) 越 長(zhǎng),B 正 確; A 正 確;乙 烷 分 子 中 C—C 鍵 為 σ 鍵,呈 軸 對(duì) 稱(chēng),B 正 確; 相同的原子 形 成 的 單 鍵、雙 鍵 和 三 鍵,鍵 能 越 來(lái) 越 大,C 正 C≡C 鍵中,一個(gè)為 σ鍵,另外兩個(gè)為 π鍵,D 正 確;乙 烯 分 子 確;根據(jù)鍵能可以比 較 共 價(jià) 鍵 強(qiáng) 弱,但 反 應(yīng) 熱 計(jì) 算 需 要 結(jié) 合 中的 C C 鍵由一個(gè) σ鍵和一個(gè) π鍵構(gòu)成,分 別 呈 軸 對(duì) 稱(chēng) 和 反應(yīng)物和生成物鍵能 數(shù) 據(jù) 按 能 量 守 恒 定 律 綜 合 計(jì) 算 才 能 得 鏡面對(duì)稱(chēng),C 錯(cuò)誤。 出結(jié) 論,實(shí) 際 的 熱 化 學(xué) 方 程 式 為 H2 (g)+ Cl2 (g) 4.B 反應(yīng)熱=反應(yīng)物的總鍵 能 - 生 成 物 的 總 鍵 能,則 通 過(guò) 反 2HCl(g) ΔH = -184.9 kJ·mol-1,H2 (g)+F2 (g) 應(yīng)物和生成物的鍵能數(shù)據(jù)可以 粗 略 地 預(yù) 測(cè) 反 應(yīng) 熱 的 大 小,A 2HF(g) ΔH =-543.0 kJ·mol-1,D 錯(cuò)誤。 正確;鍵長(zhǎng)越長(zhǎng),鍵能越小,共價(jià)化合 物 越 不 穩(wěn) 定,B 錯(cuò) 誤;鍵 5.C 氯化氫的 分 子 式 是 HCl而 不 是 H2Cl,與 共 價(jià) 鍵 的 飽 和 長(zhǎng)和鍵角的數(shù)值可以通過(guò)晶體的 X 射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)獲得,C 正 性 有 關(guān) ,A 錯(cuò) 誤 ;H2O 只 能 結(jié) 合1個(gè) H+ 形 成 H3O+ ,證 明 共 確;一般鍵能越大,核 間 距 越 小,鍵 長(zhǎng) 越 短,鍵 能 大 小 的 順 序 價(jià)鍵具有飽和性,B 錯(cuò)誤;電子云在兩 個(gè) 原 子 核 間 重 疊 后,電 為三鍵>雙鍵>單鍵,則鍵長(zhǎng):三鍵<雙鍵<單鍵,D 正確。 子在兩核間出現(xiàn)的概 率 增 大,C 正 確;分 子 中 共 價(jià) 鍵 的 鍵 長(zhǎng) 5.A σ鍵是電 子 云 在 鍵 軸 方 向 上 的 重 疊,對(duì) 于 題 圖,只 有 1s 越長(zhǎng),鍵能越小,則分子越不穩(wěn)定,D 錯(cuò)誤。 軌道沿2px 原子軌 道 中 電 子 云 密 度 最 大 的 方 向 (即 x 軸 方 6.D π鍵不穩(wěn)定,易斷裂,則含有 π鍵的化合物,性 質(zhì) 活 潑,而 向)重疊,才可形 成 穩(wěn) 定 的 σ鍵,非 x 軸 方 向 上 的 重 疊 面 積 σ鍵較穩(wěn)定,所以含有 π鍵的化 合 物 與 只 含 σ鍵 的 化 合 物 的 小,不成鍵,A 正確,B 錯(cuò) 誤;圖 甲 中 的 陰 影 區(qū) 域 應(yīng) 是 電 子 云 化學(xué)性質(zhì)不同,A 正確;單鍵都是 σ鍵,雙 鍵 中 有 1 個(gè) σ鍵 和 最密集的地方,C 錯(cuò) 誤;p 軌 道 之 間 如 果 以 “頭 碰 頭 ”形 式 重 1個(gè) π鍵,三鍵 中 有 1 個(gè) σ鍵 和 2 個(gè) π 鍵,即 σ鍵 能 單 獨(dú) 形 疊可形成 σ鍵,若為“肩并肩”形式重疊則形成 π鍵,D 錯(cuò)誤。 成,而 π鍵不能單獨(dú)形成,B 正確;稀有 氣 體 單 質(zhì) 中 不 存 在 化 6.D 每 個(gè) N2 分 子 中 含 有 兩 個(gè) π 鍵,A 正 確;Ar為 單 原 子 分 學(xué)鍵,即 既 不 存 在 σ鍵,也 不 存 在 π 鍵,C 正 確;冰 融 化 時(shí) 分 子,B 正確;每個(gè) HCl分 子 中 含 有 一 個(gè) σ鍵,C 正 確;根 據(jù) 白 子結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化,不 會(huì) 破 壞 共 價(jià) 鍵,只 破 壞 分 子 間 作 用 力 和氫鍵,D 錯(cuò)誤。 磷( )結(jié) 構(gòu) 可 知,每 個(gè) P4 分 子 中 含 6 個(gè) P—P 鍵,則 7.(1)①C—C 和 C—H 的 鍵 能 較 大,較 穩(wěn) 定,所 形 成 的 烷 烴 穩(wěn) 定;而 硅 烷 中 Si—Si和 Si—H 的 鍵 能 較 小,易 斷 裂,導(dǎo) 致 長(zhǎng) 1 mol白磷中含6NA 個(gè) σ鍵,D 錯(cuò)誤。 鏈硅烷難以生成 ②C—H 的 鍵 能 大 于 C—O 的 鍵 能,C— H 比 C—O 穩(wěn)定;而 Si—H 的 鍵 能 卻 遠(yuǎn) 小 于 Si—O 的 鍵 能, 7.(1)σ 極性 Si—H 不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的 Si—O (2)172 (2)1∶1 (3)D 解析:(2)根 據(jù) 焓 變 的 含 義 可 得 242kJ·mol-1 +3×159kJ ·mol-1-6×E(Cl—F)= -313kJ·mol-1,解 得 Cl—F 的 解析:(2)CN- 與 N2 結(jié) 構(gòu) 相 似,推 知 HCN 分 子 的 結(jié) 構(gòu) 為 平均鍵能 E(Cl—F)=172kJ·mol-1。 H—C≡N,則1個(gè) HCN 分子 中 含 有 2 個(gè) σ鍵、2 個(gè) π 鍵,數(shù) 第二節(jié) 分子的空間結(jié)構(gòu) 目之比為 1∶1。 (3)根 據(jù) COCl2 分 子 的 結(jié) 構(gòu) 式 可 知,1 個(gè) COCl2 分子中含有3個(gè) σ鍵、1個(gè) π鍵。 素養(yǎng)提升練 1.D H—O 鍵、H—F 鍵的鍵能依 次 增 大,說(shuō) 明 形 成 這 些 鍵 的 能量依次增大,化 學(xué) 鍵 越 來(lái) 越 穩(wěn) 定,O2、F2 與 H2 反 應(yīng) 的 能 課時(shí)1 分子結(jié)構(gòu)的測(cè)定和多樣性 力逐漸增強(qiáng),A 錯(cuò) 誤;鍵 能 的 大 小 與 鍵 的 極 性 無(wú) 關(guān),B 錯(cuò) 誤; 價(jià)層電子對(duì)互斥模型 鍵能越大,化學(xué)鍵越 難 斷 裂,分 子 越 穩(wěn) 定,C 錯(cuò) 誤;多 原 子 分 子的鍵角一定,表明共價(jià)鍵具有方向性,D 正確。 基礎(chǔ)鞏固練 2.B 一般地,同類(lèi)型共價(jià) 鍵 (單 鍵、雙 鍵 或 三 鍵)鍵 能 越 大,鍵 1.C 利用紅外光譜法可測(cè)定有機(jī)物的化學(xué)鍵或官能團(tuán). 長(zhǎng)越短,不 同 類(lèi) 型 則 不 存 在 這 種 關(guān) 系,A、C 正 確,B 錯(cuò) 誤; 2.A 利用質(zhì)譜法可以測(cè)定分子的相對(duì)分子質(zhì)量。 Si—Siσ鍵太長(zhǎng),不能形成 π鍵,D 正確。 3.A CO2 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 直 線(xiàn) 形、H2O 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 V 形、 3.A C2H2 分子中的 氫 原 子 和 碳 原 子 之 間 存 在 共 價(jià) 單 鍵、碳 NH3 的空間結(jié)構(gòu)為三 角 錐 形、CH4 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 正 四 面 體 原子與 碳 原 子 之 間 存 在 共 價(jià) 三 鍵,含 有 σ鍵 和 π 鍵,C 與 C 形,A 符合題意。 之間為非極性鍵,①符合題意;N2 的結(jié)構(gòu) 式 為 N N ,含 有 4.C CH4 和 CCl4 為正四面體形分子,NH3 和 PH3 為 三 角 錐 σ鍵和 π鍵,N 與 N 之 間 為 非 極 性 鍵,② 符 合 題 意;H2O 分 形分子,這幾種分子的所有原 子 不 可 能 都 在 同 一 平 面 內(nèi),A、 子中只存在 H—O 鍵,只 有 σ鍵,沒(méi) 有 π 鍵,也 沒(méi) 有 非 極 性 B、D 不符合題意;甲 醛 為 平 面 形 分 子,HC CH 為 直 線(xiàn) 形 鍵,③不符合題意;HCl分子 中 只 存 在 H—Cl鍵,只 有 σ鍵, 分子,故 C 項(xiàng)分子中所有原子都處于同一平面,C 符合題意。 沒(méi)有 π鍵,也沒(méi)有非極性 鍵,④ 不 符 合 題 意;C2H4 分 子 中 的 5.B 鍵角為180°的 分 子,空 間 結(jié) 構(gòu) 是 直 線(xiàn) 形,例 如 CO2 分 子 氫原子和碳原子之間存在共價(jià)單鍵、碳原子與碳原子之間 存 是直線(xiàn)形分子,A 正確;苯分子的鍵角為120°,但其空間結(jié)構(gòu) — 96 —

是平面正六邊形,B 錯(cuò) 誤;白 磷 分 子 的 鍵 角 為 60°,空 間 結(jié) 構(gòu) O—H 和 C—O 的振動(dòng)吸收,可推 測(cè) 存 在 羥 基,B、C 正 確;該 為正四面體形,C 正確;水分子的鍵角為105°,空間 結(jié) 構(gòu) 為 V 紅外光譜圖中還有若干吸收峰,故還有其他化學(xué)鍵,D 錯(cuò)誤。 形,D 正確。 6.A 對(duì)陰離子 來(lái) 說(shuō),(a-xb)/2 中a 指 中 心 原 子 的 價(jià) 層 電 子 6.D VSEPR 模型可用來(lái)預(yù)測(cè) 分 子 的 空 間 結(jié) 構(gòu),A 正 確;分 子 數(shù)加上離子的電荷數(shù)(絕對(duì)值),x 指與中心原 子 結(jié) 合 的 原 子 的空間結(jié)構(gòu)與其價(jià)層電子對(duì)相互排斥有關(guān),所以分子中 價(jià) 層 數(shù),b 指與中心 原 子 結(jié) 合 的 原 子 最 多 能 接 受 的 電 子 數(shù),因 此 電子對(duì)相互排斥決 定 了 分 子 的 空 間 結(jié) 構(gòu),B 正 確;中 心 原 子 對(duì)于 SO23- ,a=6+2=8,x=3,b=2,A 正確。 上的孤電子對(duì)也要占 據(jù) 中 心 原 子 周 圍 的 空 間 并 參 與 互 相 排 7.D CS2 的中心原子的價(jià)層電子對(duì) 數(shù) =2+ (4-2×2)÷2= 斥,且孤電子對(duì)間的排斥力大于孤電子對(duì)和成鍵電子對(duì) 間 的 2,不含孤電子對(duì),CS2 為 直 線(xiàn) 形,A 錯(cuò) 誤;SnBr2 的 中 心 原 子 排斥 力,C 正 確;鍵 角 越 大,價(jià) 層 電 子 對(duì) 相 互 排 斥 力 越 小,D 的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+ (4-2×1)÷2=3,孤 電 子 對(duì) 數(shù) 為 1, 錯(cuò)誤。 SnBr2 為 V 形,孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的排斥 力 大 于 成 7.A CS2、PH3、PH4+ 的 σ鍵 電 子 對(duì) 數(shù) (n)、中 心 原 子 上 的 孤 鍵電子 對(duì) 之 間 的 排 斥 力,所 以 SnBr2 的 鍵 角 小 于 120°,B 錯(cuò) 電子對(duì)數(shù)(m)、中心 原 子 上 的 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) (n+m )分 別 為 誤;BF3 的中心原子的價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) =3+ (3-3×1)÷2= 2、3、4,0、1、0,2、4、4。CS2 與 PH4+ 的 VSEPR 模 型 與 空 間 3,不含孤電子 對(duì),BF3 為 平 面 三 角 形,C 錯(cuò) 誤;NH4+ 的 中 心 結(jié) 構(gòu) 相 同 ,分 別 為 直 線(xiàn) 形 (鍵 角 為 180°)、正 四 面 體 形 (鍵 角 為 原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4+(5-1×4-1)÷2=4,不 含 孤 電 109.5°);PH3 由于 中 心 原 子 上 存 在 1 個(gè) 孤 電 子 對(duì),VSEPR 子對(duì),NH4+ 為 正 四 面 體 形,NH4+ 的 鍵 角 等 于 109°28',D 模型是四面體形,PH3 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 三 角 錐 形。 綜 上 所 述, 正確。 符合題意的是 A項(xiàng)。 8.C 若 ABn 的 中 心 原 子 A 上 沒(méi) 有 未 用 于 成 鍵 的 孤 電 子 對(duì), 8. 則根據(jù)斥力最小的原則,當(dāng)n=2時(shí),分子的空間結(jié)構(gòu)為直線(xiàn) σ鍵電子對(duì)數(shù) 孤電子對(duì)數(shù) 空間結(jié)構(gòu) 形,A 錯(cuò)誤;n=3 時(shí),分 子 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 平 面 三 角 形,B 錯(cuò) V形 誤;n=4 時(shí),分 子 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 正 四 面 體 形,C 正 確,D H2S·e 2 2 錯(cuò)誤。 SCl2 2 2 V形 9.(1)①④⑥⑦ (2)① ④⑦ 3 · 2 1 三角錐形 (3)③⑧ (4)②⑤ ⑥ 4 P·Cl3 2 1 V形 解析:(2)CS2 的中心原子的價(jià)層電子對(duì) 數(shù) =2+(4-2×2)/ SO2 2 O · 0 正四面體形 SO24- V形 2=2,不含孤 電 子 對(duì),故 為 直 線(xiàn) 形; H C H 的 中 心 原 子 · 2 的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為 3,不 含 孤 電 子 對(duì),故 為 平 面 三 角 形;BF3 OF2 2 V形 的中心原子的 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) =3+ (3-3×1)/2=3,不 含 孤 · ClF2+ · 素養(yǎng)提升練 電子對(duì),故為平面 三 角 形。(3)H2S 的 中 心 原 子 的 價(jià) 層 電 子 對(duì)數(shù)=2+ (6-2×1)/2=4,孤 電 子 對(duì) 數(shù) 為 2,故 為 V 形 結(jié) 1.B 水分子為 V 形分子,H2S與其相似,也為 V 形分子,B 符 構(gòu);SO2 的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+(6-2×2)/2=3, 合題意。 孤電子對(duì)數(shù)為1,故為 V 形 結(jié) 構(gòu)。(4)PCl3 的 中 心 原 子 的 價(jià) 層電子對(duì)數(shù)=3+(5-3×1)/2=4,孤 電 子 對(duì) 數(shù) 為 1,故 為 三 2.B H2S 氣 態(tài) 分 子 中,中 心 原 子 S 的 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) 為 2+ 角錐形;H3O+ 的 中 心 原 子 的 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) =3+ (6-3×1 6-22×1=4,O3 氣態(tài) 分 子 中,中 心 原 子 O 的 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) -1)/2=4,孤電子 對(duì) 數(shù) 為 1,故 為 三 角 錐 形;CCl4 的 中 心 原 為2+6-22×2=3,SO2 氣 態(tài) 分 子 中,中 心 原 子 S 的 價(jià) 層 電 子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4+(4-4×1)/2=4,不含孤 電 子 對(duì),故 子對(duì)數(shù)為 2+6-22×2=3,SO3 氣 態(tài) 分 子 中,中 心 原 子 S 的 為正四面體形。 價(jià)層電子對(duì) 數(shù) 為 3+6-32×2=3,則 與 其 他 分 子 不 同 的 是 課時(shí)2 雜化軌道理論 H2S,故 B 正確。 3.C 白磷分子呈空心正四面 體 形,分 子 中 的 鍵 角 為 60°;甲 烷 基礎(chǔ)鞏固練 分子呈 體 心 正 四 面 體 形,分 子 中 的 鍵 角 為 109.5°;紅 磷 分 子 中部分共價(jià)鍵的鍵角明顯為鈍角,大于60°,C 錯(cuò)誤。 1.A C 原子的4個(gè)價(jià)層原子軌道(1個(gè)2s,3個(gè)2p)進(jìn)行混 雜, 4.D 甲醛(HCHO)分子的空間 結(jié) 構(gòu) 為 平 面 三 角 形,D 項(xiàng) 符 合 形成4個(gè)新的能量 相 同、方 向 不 同 的 sp3 雜 化 軌 道,夾 角 為 題意。 109°28',A 錯(cuò)誤。 2.D 同 一 能 層 上 的 s軌 道 與 p 軌 道 的 能 量 差 異 不 大,sp2 雜 化軌道是由同一能層上的s軌道與 p軌道雜化 而 成 的,A 正 5.D 根據(jù)分子運(yùn)動(dòng)論知,A 正 確;根 據(jù) 題 圖,用 一 束 光 通 過(guò) 棱 確;同種類(lèi)型的雜化 軌 道 能 量 相 同,B 正 確;sp2 雜 化 軌 道 是 鏡得到的紅外光照射分子,記錄得到的吸收峰圖稱(chēng)為紅外 光 由1個(gè)s軌道與2個(gè) p軌道雜化而成的,C 正 確;sp2 雜 化 軌 譜,通 過(guò) 紅 外 光 譜 圖 的 吸 收 峰 可 知,該 分 子 中 含 有 C—H、 道最多可形成3個(gè) σ鍵,D 錯(cuò)誤。 — 97 —

3.D 雜 化 軌 道 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 直 線(xiàn) 形,夾 角 為 180°,共 有 2 個(gè) 素養(yǎng)提升練 雜化軌道,為sp雜 化,A 錯(cuò) 誤;未 形 成 雜 化 軌 道,B 錯(cuò) 誤;雜 1.D 雜化過(guò)程 中,原 子 軌 道 總 數(shù) 不 變,即 雜 化 軌 道 的 數(shù) 目 與 化 軌道的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形,共有4個(gè)雜化軌道,為sp3 參與雜化的 原 子 軌 道 數(shù) 目 相 等,雜 化 后 軌 道 的 形 狀 發(fā) 生 變 雜化,C 錯(cuò)誤;雜 化 軌 道 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 平 面 三 角 形,夾 角 為 化,A 正確;sp3、sp2 與 sp 雜 化 軌 道 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 分 別 為 正 四 120°,共有3個(gè)雜化軌道,為sp2 雜化,D 正確。 面體形、平面三角形 和 直 線(xiàn) 形,因 此 其 雜 化 軌 道 的 夾 角 分 別 4.D —CH3 中 C 原子 為 飽 和 C 原 子,采 用 sp3 雜 化;碳 碳 雙 為109°28'、120°和 180°,B 正 確;部 分 四 面 體 形、三 角 錐 形 和 鍵中的 C 原子 形 成 3 個(gè) σ鍵,則 該 C 原 子 采 用 sp2 雜 化;碳 V 形分子的結(jié)構(gòu)可 以 用 sp3 雜 化 軌 道 解 釋,如 甲 烷 分 子、氨 碳 三鍵中的 C 原子形成2個(gè)σ鍵,則該 C 原子采用sp雜化。 分子、水分子,C 正 確;雜 化 軌 道 可 以 部 分 參 與 形 成 化 學(xué) 鍵, 故選 D。 如 NH3 中 N 原子采取sp3 雜化,形成了4個(gè)sp3 雜 化 軌 道, 5.A 乙烯分子中存在4個(gè) C—H 鍵 和 1 個(gè) C C 鍵,碳 原 子 但是只有3個(gè)雜化軌道參與形成化學(xué)鍵,D 錯(cuò)誤。 上沒(méi)有孤電子對(duì),形成3個(gè) σ鍵,則 C 原子采 取 sp2 雜 化,碳 2.B NO3- 的 中 心 原 子 N 原 子 孤 電 子 對(duì)數(shù) = 1 × (5+1-2× 氫鍵是sp2 雜化軌道 形 成 的 σ鍵,碳 碳 雙 鍵 中 有 1 個(gè) 是 sp2 2 雜化軌道形成的 σ鍵,還 有 1 個(gè) 是 未 參 加 雜 化 的 2p 軌 道 形 3)=0,價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) =0+3=3,離 子 的 空 間 構(gòu) 型 為 平 面 三 成的 π鍵,A 正確。 角 形 ,A 錯(cuò) 誤 ;SiF4 中 Si原 子 的 孤 電 子 對(duì) 數(shù) 為 1 × (4-1× 2 1 6.D 在 NF3 分 子 中 ,中 心 N 原 子 的 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) 為 3+ 2 × 4)=0,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,中心原子的雜化方式為sp3 雜化, (5-3×1)=4,根 據(jù) 雜 化 軌 道 理 論 可 推 知 中 心 N 原 子 的 雜 SO23- 中含有3個(gè)σ鍵,含有1個(gè)孤電子對(duì),為sp3 雜化,B 正 確;稀有氣體的原子 結(jié) 構(gòu) 是 穩(wěn) 定 結(jié) 構(gòu),同 周 期 稀 有 氣 體 的 第 化方式為sp3 雜化,有1個(gè)孤電子對(duì),空間結(jié)構(gòu)為三角錐形。 7.C SO24- 中 S 原 子 的 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) 為 4,所 以 采 取 sp3 雜 一電離能最大,同族 自 上 而 下 第 一 電 離 能 降 低,故 氦 元 素 的 化,A 正確;NO3- 中 N 原子無(wú)孤 電 子 對(duì),N 原 子 價(jià) 層 電 子 對(duì) 第 一 電 離 能 最 大,C 錯(cuò) 誤;C2H5OH 的 結(jié) 構(gòu) 式 為: 數(shù)為3,VSEPR 模型為平面正三角形,N 原子采取sp2 雜化, HH NO3- 的 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 平 面 正 三 角 形,B 正 確;O3 分 子 中 中 心 H C C O H ,C2H5OH 分子中共含有 5 個(gè) 碳 氫 極 性 原子上的孤電子對(duì)數(shù)為1,VSEPR 模 型 為 平 面 三 角 形,中 心 HH 原子 O 采取sp2 雜 化,分 子 空 間 結(jié) 構(gòu) 為 V 形,C 錯(cuò) 誤;H2O 共價(jià)鍵,1個(gè)碳 氧 極 性 共 價(jià) 鍵 和 1 個(gè) 氫 氧 極 性 共 價(jià) 鍵,所 以 和 NH3 的 VSEPR 模型均為四面體形,中心原子都是sp3 雜 含有7個(gè)極性共價(jià)鍵,含1個(gè) 碳 碳 非 極 性 共 價(jià) 鍵,無(wú) π 鍵,D 化,D 正確。 錯(cuò)誤。 8.(1)0 sp2 平面三角形 3.B CO2 中 C 原子雜化軌道數(shù) 為 2+ 1 (4-2×2)=2,采 取 (2)2 sp3 V形 2 (3)1 sp3 三角錐形 (4)0 sp2 平面三角形 sp 雜 化 ,SO2 中 S原子雜化軌 道 數(shù) 為 2+ 1 (6-2×2)=3, 2 采 取sp2 雜化,二者雜化方式不同,A 不符合題意;NH3 中 N 解析 :ABx 型分 子 中,中 心 原 子 上 的 孤 電 子 對(duì) 數(shù) 為 1 (a- 原子雜化軌道數(shù)為 1 (5+3)=4,采 取 sp3 雜 化 ,CH4 中 C 2 2 xb),中心原子的價(jià)層電 子 對(duì) 數(shù) 為 孤 電 子 對(duì) 數(shù) 和 σ鍵 電 子 數(shù) 原子雜化軌 道 數(shù) 為 3+ 1 (5-1×3)=4,采 取 sp3 雜 化,二 2 之和,據(jù)此分析解題。(1)BF3 分子中,中心原子 B 上 的 孤 電 子對(duì)數(shù)為3-23×1=0,含 有 3 個(gè) σ鍵,故 其 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) 為 者雜化方式相同,B 符 合 題 意;BeCl2 中 Be原 子 雜 化 軌 道 數(shù) 3+0=3,中心原子的雜 化 軌 道 類(lèi) 型 為 sp2,空 間 結(jié) 構(gòu) 為 平 面 為 2+ 1 (2-2×1)=2,采 取 sp 雜 化 ,BF3 中 B原子雜化軌 2 三角形。(2)H2S 分 子 中,中 心 原 子 S 上 的 孤 電 子 對(duì) 數(shù) 為 道 數(shù) 為 3+ 1 (3-3×1)=3,采 取 sp2 雜 化,二 者 雜 化 方 式 6-22×1=2,含有2個(gè) σ鍵,故其價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) 為 2+2=4, 2 不同,C 不 符 合 題 意;C2H2 中 含 有 C≡C 鍵,C 原 子 采 取 sp 中心原 子 的 雜 化 軌 道 類(lèi) 型 為 sp3,空 間 結(jié) 構(gòu) 為 V 形。 (3) 雜化,C2H4 分子中 含 有 C C 鍵,C 原 子 采 取 sp2 雜 化, PCl3 分子中,中心原子 P 上的孤電 子 對(duì) 數(shù) 為5-32×1=1,含 二者雜化方式不同,D 不符合題意。 有3個(gè)σ鍵,故其價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+1=4,中心原子的雜化 4.C BrCH CHBr分子中的兩個(gè)碳 原 子 都 是 采 取 sp2 雜 化, 軌道類(lèi)型為sp3,空 間 結(jié) 構(gòu) 為 三 角 錐 形。(4)CO23- 中,中 心 溴原子的價(jià)電子排布式為 4s24p5,4p軌 道 上 有 一 個(gè) 單 電 子, 原子 C 上的孤電子對(duì)數(shù)為4+2-23×2=0,含有3個(gè)σ鍵,故 與碳原子的一個(gè)sp2 雜化軌道成鍵,故 C—Br鍵的成 鍵 軌 道 其價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) 為 3+0=3,中 心 原 子 的 雜 化 軌 道 類(lèi) 型 為 是sp2-p,C 正確。 sp2 ,空 間 結(jié) 構(gòu) 為 平 面 三 角 形 。 5.D CCl4 分子中中心 C 原 子 的 價(jià) 層 電 子 對(duì) 數(shù) 為 4+ 1 × (4 2 — 98 —