第 4 期 ·461·
2.3.2 光電化學(xué)性能
為了解Cu和Ti3C2的引入對提高光催化活性的
作用,對光催化劑進(jìn)行了光電化學(xué)性能測試。圖9a
為光催化劑的瞬態(tài)光電流響應(yīng)曲線。在有光照的情
況下光電流密度迅速增加并達(dá)到飽和,而在無光照
的情況下立即降至幾乎為零。1%Cu-ZIS/MX5具有
最高的光電流密度,而1%Cu-ZIS的光電流密度也
明顯大于純ZIS,說明Cu和Ti3C2的引入均可提高光
電流密度。這進(jìn)一步證實(shí)了Cu和Ti3C2的引入可促
進(jìn)光生載流子的分離和延長其存在時(shí)間,從而有
助于提高ZIS的光催化活性。光催化劑的電化學(xué)阻
抗譜(圖9b)顯示:摻雜Cu后,1%Cu-ZIS的電弧半
徑比純ZIS小,說明摻雜Cu后電子轉(zhuǎn)移速率更快;
引入Ti3C2后,1%Cu-ZIS/MX5的電弧半徑進(jìn)一步減
小,說明Cu和Ti3C2的引入可共同提高材料的導(dǎo)電
性能,即加速界面電荷轉(zhuǎn)移[16]
。
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
1
2
3
4
5
6
0
1Cu-ZIS/MX5
1Cu-ZIS
ZIS
???/??? μAecm2
??/s
a
0 5 10 15 20 25 30
1Cu-ZIS/MX5
1Cu-ZIS
ZIS
Z'/kΩ
Z''/kΩ
b
0
20
40
60
80
100
圖9 光催化劑的瞬態(tài)光電流響應(yīng)曲線(a)和電化學(xué)阻抗譜(b)
2.3.3 活性物種
異丙醇(IPA)、AgNO 3和乙二胺四乙酸
(EDTA)分別可以掩蔽光催化體系中的羥基自由
基(·OH)、電子(e-
)和空穴(h+
),引入這3種
掩蔽劑進(jìn)行1%Cu-ZIS/MX5光催化實(shí)驗(yàn)(光照120
min),研究各活性物種在光催化過程中的作用,
結(jié)果如圖10所示。添加AgNO3后,1%Cu-ZIS/MX5
對Cr(Ⅵ)的去除率從100%大幅降至60.4%,表明e
-
是主要的光催化活性物種。當(dāng)添加IPA和EDTA時(shí),
Cr(Ⅵ)去除率分別降至90.1%和95.8%,表明·OH
和h+
在降解過程中的作用可忽略不計(jì)。
復(fù)合材料中,ZIS為主催化劑,Cu和Ti3C2為
助催化劑??梢姽庹丈湎拢琙IS價(jià)帶(VB)上的電
子被激發(fā)到導(dǎo)帶(CB),由于ZIS的CB電位比Ti3C2
的費(fèi)米能級更負(fù),光生電子可以迅速從ZIS轉(zhuǎn)移到
Ti3C2表面。同時(shí),引入Ti3C2后,相間的強(qiáng)界面作
用有效延長了光生載流子的壽命,使得積累在Ti3C2
上的光生電子更有效地將溶液中的Cr(Ⅵ)還原為
Cr(Ⅲ)。此外,Cu的摻雜有助于ZIS能帶引入受體
和施主態(tài),從而大幅提高了載流子密度和電荷傳輸
效率。ZIS和Cu-ZIS的CB電位(-0.65 V和-0.77 V)
均比φ?
(Cr2O7
2-
/Cr3+
)(+1.33 V)、φ?
(HCrO4
-
/Cr3+
)
(+1.35 V)和φ?
(CrO4
2-
/Cr3+
)(-0.13 V)低,因而復(fù)合
0
20
40
60
80
100
IPA EDTA ??
???
???
AgNO3
圖10 掩蔽劑對Cr(Ⅵ)去除率的影響
2.3.4 機(jī)理推測
根據(jù)上述分析,推測Cu-ZIS/MX復(fù)合光催化
劑光催化還原Cr(Ⅵ)的機(jī)理如圖11所示。
Cr(?)
Cr(?)
-1
??/V
e
e
e
e 1
2
0
Cr(?)
Ti3C2
Cu??
Cu??
Cu-ZnIn2S4
CB
Cu-ZIS/MX
VB h Cr(?) +
圖11 Cu-ZIS/MX光催化還原Cr(Ⅵ)的機(jī)理示意圖
劉 坤等. Cu-ZnIn2S4/Ti3C2高效光催化還原水中Cr(Ⅵ)