國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體

產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR

UNIFIED PLATFORM

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體

產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR

UNIFIED PLATFORM

公司簡介

發(fā)展歷程

業(yè)務(wù)范圍

生產(chǎn)能力

測試能力

科技創(chuàng)新

01-02

03-04

05-06

07-08

09-10

11-12

13-14

15-16

17-18

高壓產(chǎn)品

中低壓產(chǎn)品

碳化硅產(chǎn)品

01

Company

02

Products

目 錄

CONTENTS

公司簡介

發(fā)展歷程

業(yè)務(wù)范圍

生產(chǎn)能力

測試能力

科技創(chuàng)新

01-02

03-04

05-06

07-08

09-10

11-12

13-14

15-16

17-18

高壓產(chǎn)品

中低壓產(chǎn)品

碳化硅產(chǎn)品

01

Company

02

Products

目 錄

CONTENTS

公司簡介 ABOUT

01 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

· 入選2020年國務(wù)院國資委科改示范企業(yè)名單

· 國家電網(wǎng)戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)培育重點(diǎn)單位

· 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（簡稱“南瑞聯(lián)研”）成立于2019年，總部位于

江蘇南京，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)的高新技術(shù)公

司。由國家電網(wǎng)公司旗下南瑞集團(tuán)與全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院共同出資設(shè)立，

是國家電網(wǎng)公司戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)培育重點(diǎn)單位，是國家電網(wǎng)公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)

業(yè)發(fā)展的統(tǒng)一平臺。

2020年4月，南瑞聯(lián)研作為國家電網(wǎng)公司系統(tǒng)內(nèi)唯有的兩家企業(yè)入選國務(wù)院

國資委“科改示范行動(dòng)”企業(yè)名單，是國有科技型企業(yè)改革樣板和自主創(chuàng)新尖兵。

南瑞聯(lián)研堅(jiān)持以推進(jìn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化為己任，致力于解決電網(wǎng)核心器件\"

卡脖子\"難題，依托南瑞集團(tuán)和全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院在電力行業(yè)的深厚技

術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，集合國內(nèi)功率半導(dǎo)體一流技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，建成國際領(lǐng)先

的自動(dòng)化與信息化生產(chǎn)線，面向電力系統(tǒng)中發(fā)電、輸電、配電、用電等各環(huán)節(jié)，

自主研發(fā)功率半導(dǎo)體器件，提供整套解決方案。

南瑞聯(lián)研秉承開放合作、競合共贏的經(jīng)營理念，不斷深化上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

創(chuàng)新，打造資源共享生態(tài)圈，在智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等

領(lǐng)域不斷推進(jìn)國產(chǎn)化替代，保障核心器件自主可控和供給安全。

公司簡介 ABOUT

01 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

· 入選2020年國務(wù)院國資委科改示范企業(yè)名單

· 國家電網(wǎng)戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)培育重點(diǎn)單位

· 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（簡稱“南瑞聯(lián)研”）成立于2019年，總部位于

江蘇南京，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)的高新技術(shù)公

司。由國家電網(wǎng)公司旗下南瑞集團(tuán)與全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院共同出資設(shè)立，

是國家電網(wǎng)公司戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)培育重點(diǎn)單位，是國家電網(wǎng)公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)

業(yè)發(fā)展的統(tǒng)一平臺。

2020年4月，南瑞聯(lián)研作為國家電網(wǎng)公司系統(tǒng)內(nèi)唯有的兩家企業(yè)入選國務(wù)院

國資委“科改示范行動(dòng)”企業(yè)名單，是國有科技型企業(yè)改革樣板和自主創(chuàng)新尖兵。

南瑞聯(lián)研堅(jiān)持以推進(jìn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化為己任，致力于解決電網(wǎng)核心器件\"

卡脖子\"難題，依托南瑞集團(tuán)和全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院在電力行業(yè)的深厚技

術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，集合國內(nèi)功率半導(dǎo)體一流技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，建成國際領(lǐng)先

的自動(dòng)化與信息化生產(chǎn)線，面向電力系統(tǒng)中發(fā)電、輸電、配電、用電等各環(huán)節(jié)，

自主研發(fā)功率半導(dǎo)體器件，提供整套解決方案。

南瑞聯(lián)研秉承開放合作、競合共贏的經(jīng)營理念，不斷深化上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

創(chuàng)新，打造資源共享生態(tài)圈，在智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等

領(lǐng)域不斷推進(jìn)國產(chǎn)化替代，保障核心器件自主可控和供給安全。

150+人

現(xiàn)有專業(yè)技術(shù)人員 2億RMB

投資IGBT自動(dòng)化封裝測試生產(chǎn)線

5+60名

博士和碩士人員 25萬只

IGBT模塊年產(chǎn)能

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 02 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

150+人

現(xiàn)有專業(yè)技術(shù)人員 2億RMB

投資IGBT自動(dòng)化封裝測試生產(chǎn)線

5+60名

博士和碩士人員 25萬只

IGBT模塊年產(chǎn)能

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 02 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

2009

9月

智能電網(wǎng)研究院聚合國

家電網(wǎng)20年電力電子技

術(shù)布局半導(dǎo)體發(fā)展

2017

12月

國電南瑞第一代IGBT

產(chǎn)品流片

2019

11月

南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)

任公司成立

2013

6月

智能電網(wǎng)研究院組建功

率半導(dǎo)體技術(shù)組

2018

8月

國電南瑞募集16.4億資

金規(guī)劃功率半導(dǎo)體未來

發(fā)展歷程

DEVELOPMENT HISTORY 價(jià)值觀

創(chuàng)新 奮斗 包容 共贏

經(jīng)營理念

開放合作 競和共贏

03 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

2009

9月

智能電網(wǎng)研究院聚合國

家電網(wǎng)20年電力電子技

術(shù)布局半導(dǎo)體發(fā)展

2017

12月

國電南瑞第一代IGBT

產(chǎn)品流片

2019

11月

南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)

任公司成立

2013

6月

智能電網(wǎng)研究院組建功

率半導(dǎo)體技術(shù)組

2018

8月

國電南瑞募集16.4億資

金規(guī)劃功率半導(dǎo)體未來

發(fā)展歷程

DEVELOPMENT HISTORY 價(jià)值觀

創(chuàng)新 奮斗 包容 共贏

經(jīng)營理念

開放合作 競和共贏

03 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

2021

5月

南瑞聯(lián)研1700V/450A IGBT產(chǎn)

品在2.5MW風(fēng)電機(jī)組現(xiàn)場一次

性投運(yùn)成功

6月

南瑞聯(lián)研SiC二極管產(chǎn)品在充電

樁成功示范應(yīng)用

2020

3月

南瑞聯(lián)研第二代IGBT產(chǎn)

品試制成功

6月

南瑞聯(lián)研IGBT產(chǎn)品啟動(dòng)

示范應(yīng)用

2022

1月

南瑞集團(tuán)自主1700/450A

IGBT產(chǎn)品正式量產(chǎn)

3月

南瑞集團(tuán)自主

3300V/1500A IGBT產(chǎn)品

正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

10月

3300V/1500A IGBT 廈門

柔直一次性投運(yùn)成功

9月

南瑞聯(lián)研啟動(dòng)SiC產(chǎn)品

研發(fā)

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 04 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

2021

5月

南瑞聯(lián)研1700V/450A IGBT產(chǎn)

品在2.5MW風(fēng)電機(jī)組現(xiàn)場一次

性投運(yùn)成功

6月

南瑞聯(lián)研SiC二極管產(chǎn)品在充電

樁成功示范應(yīng)用

2020

3月

南瑞聯(lián)研第二代IGBT產(chǎn)

品試制成功

6月

南瑞聯(lián)研IGBT產(chǎn)品啟動(dòng)

示范應(yīng)用

2022

1月

南瑞集團(tuán)自主1700/450A

IGBT產(chǎn)品正式量產(chǎn)

3月

南瑞集團(tuán)自主

3300V/1500A IGBT產(chǎn)品

正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

10月

3300V/1500A IGBT 廈門

柔直一次性投運(yùn)成功

9月

南瑞聯(lián)研啟動(dòng)SiC產(chǎn)品

研發(fā)

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 04 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

業(yè)務(wù)范圍

BUSINESS SCOPE

南瑞聯(lián)研建立了一支集高端功率半導(dǎo)體專家和資深工程

師的一流團(tuán)隊(duì)，擁有功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封

裝測試、工程應(yīng)用的全流程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力。

IGBT芯片設(shè)計(jì)

掌握結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、仿真、工藝設(shè)計(jì)技術(shù)；掌握溝槽柵、

平面柵、載流子增強(qiáng)、多重復(fù)合場截止層、低漏電高

可靠性終端結(jié)構(gòu)等核心技術(shù)。

模塊設(shè)計(jì)

掌握多芯片并聯(lián)均流仿真、電-熱/熱-應(yīng)力多物理場

耦合仿真技術(shù)、焊層空洞仿真、封裝底板曲率仿真

控制等技術(shù)，具備模塊熱阻優(yōu)化、并聯(lián)芯片均流設(shè)

計(jì)等關(guān)鍵封裝技術(shù)。

FRD芯片設(shè)計(jì)

掌握芯片仿真、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)技術(shù)；掌握低

漏電的多重少子壽命控制技術(shù)、陽極注入效率控制

技術(shù)、高動(dòng)態(tài)魯棒性的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)、高工藝容忍度

終端結(jié)構(gòu)等核心技術(shù)開發(fā)，產(chǎn)品具有優(yōu)良的軟度、

正溫度系數(shù)與折中特性。

掌握從器件設(shè)計(jì)到運(yùn)行服務(wù)的整體解決方案，公司

自主開發(fā)的IGBT模塊選型平臺、工況應(yīng)用仿真平

臺，具備模擬實(shí)際運(yùn)行環(huán)境，實(shí)現(xiàn)貼合實(shí)際應(yīng)用的

器件選型與運(yùn)行狀態(tài)預(yù)判。

依托強(qiáng)大的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，公司可以提供對芯片/

模塊/驅(qū)動(dòng)/模組設(shè)計(jì)的定制化開發(fā)，以滿足具體工

程標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)格要求、環(huán)境特性等需求。

定制化開發(fā) 器件與應(yīng)用整體解決方案

SiC芯片和產(chǎn)品設(shè)計(jì)

掌握SiC平面柵、溝槽柵等關(guān)鍵設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)；掌

握二極管浪涌能力提升核心技術(shù)；掌握SiCMOSFET

高遷移率柵氧介質(zhì)，以及高能離子注入溝道控制等

核心技術(shù)；具備從SiC芯片設(shè)計(jì)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、核心

工藝調(diào)試到特性仿真整套開發(fā)能力。

05 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

業(yè)務(wù)范圍

BUSINESS SCOPE

南瑞聯(lián)研建立了一支集高端功率半導(dǎo)體專家和資深工程

師的一流團(tuán)隊(duì)，擁有功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封

裝測試、工程應(yīng)用的全流程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力。

IGBT芯片設(shè)計(jì)

掌握結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、仿真、工藝設(shè)計(jì)技術(shù)；掌握溝槽柵、

平面柵、載流子增強(qiáng)、多重復(fù)合場截止層、低漏電高

可靠性終端結(jié)構(gòu)等核心技術(shù)。

模塊設(shè)計(jì)

掌握多芯片并聯(lián)均流仿真、電-熱/熱-應(yīng)力多物理場

耦合仿真技術(shù)、焊層空洞仿真、封裝底板曲率仿真

控制等技術(shù)，具備模塊熱阻優(yōu)化、并聯(lián)芯片均流設(shè)

計(jì)等關(guān)鍵封裝技術(shù)。

FRD芯片設(shè)計(jì)

掌握芯片仿真、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)技術(shù)；掌握低

漏電的多重少子壽命控制技術(shù)、陽極注入效率控制

技術(shù)、高動(dòng)態(tài)魯棒性的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)、高工藝容忍度

終端結(jié)構(gòu)等核心技術(shù)開發(fā)，產(chǎn)品具有優(yōu)良的軟度、

正溫度系數(shù)與折中特性。

掌握從器件設(shè)計(jì)到運(yùn)行服務(wù)的整體解決方案，公司

自主開發(fā)的IGBT模塊選型平臺、工況應(yīng)用仿真平

臺，具備模擬實(shí)際運(yùn)行環(huán)境，實(shí)現(xiàn)貼合實(shí)際應(yīng)用的

器件選型與運(yùn)行狀態(tài)預(yù)判。

依托強(qiáng)大的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，公司可以提供對芯片/

模塊/驅(qū)動(dòng)/模組設(shè)計(jì)的定制化開發(fā)，以滿足具體工

程標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)格要求、環(huán)境特性等需求。

定制化開發(fā) 器件與應(yīng)用整體解決方案

SiC芯片和產(chǎn)品設(shè)計(jì)

掌握SiC平面柵、溝槽柵等關(guān)鍵設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)；掌

握二極管浪涌能力提升核心技術(shù)；掌握SiCMOSFET

高遷移率柵氧介質(zhì)，以及高能離子注入溝道控制等

核心技術(shù)；具備從SiC芯片設(shè)計(jì)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、核心

工藝調(diào)試到特性仿真整套開發(fā)能力。

05 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

制造

設(shè)計(jì) 服務(wù)

研發(fā)

應(yīng)用

POWER SEMICONDUCTOR

SOLUTION PROVIDER

POWER SEMICONDUCTOR

SOLUTION PROVIDER

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 06 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

制造

設(shè)計(jì) 服務(wù)

研發(fā)

應(yīng)用

POWER SEMICONDUCTOR

SOLUTION PROVIDER

POWER SEMICONDUCTOR

SOLUTION PROVIDER

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 06 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

生產(chǎn)能力

PRODUCTION CAPABILITY

配置了國際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體模塊封裝測試設(shè)備，引入ERP、MES、WMS等信息系統(tǒng)，將信

息技術(shù)與生產(chǎn)制造體系深度融合，有效提高生產(chǎn)線的信息化、自動(dòng)化、智能化水平，提升生

產(chǎn)現(xiàn)場作業(yè)效率，達(dá)成對生產(chǎn)過程的全程監(jiān)控和追溯，從而保障產(chǎn)品質(zhì)量并優(yōu)化過程和現(xiàn)

場的管理。

亮點(diǎn)工藝

超聲焊接：

過流能力強(qiáng)、高強(qiáng)度、高可靠性

銀燒結(jié)：

服役溫度、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性等方面遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)焊料

生產(chǎn)總面積

千級無塵潔凈區(qū)占比

信息化自動(dòng)化管理系統(tǒng)總投資額

焊接型IGBT模塊年產(chǎn)能

壓接型IGBT模塊年產(chǎn)能

07 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

生產(chǎn)能力

PRODUCTION CAPABILITY

配置了國際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體模塊封裝測試設(shè)備，引入ERP、MES、WMS等信息系統(tǒng)，將信

息技術(shù)與生產(chǎn)制造體系深度融合，有效提高生產(chǎn)線的信息化、自動(dòng)化、智能化水平，提升生

產(chǎn)現(xiàn)場作業(yè)效率，達(dá)成對生產(chǎn)過程的全程監(jiān)控和追溯，從而保障產(chǎn)品質(zhì)量并優(yōu)化過程和現(xiàn)

場的管理。

亮點(diǎn)工藝

超聲焊接：

過流能力強(qiáng)、高強(qiáng)度、高可靠性

銀燒結(jié)：

服役溫度、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性等方面遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)焊料

生產(chǎn)總面積

千級無塵潔凈區(qū)占比

信息化自動(dòng)化管理系統(tǒng)總投資額

焊接型IGBT模塊年產(chǎn)能

壓接型IGBT模塊年產(chǎn)能

07 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

POWER MODULE PACKAGING AND

TESTING INTELLIGENT MANUFACTURING WORKSHOP

江蘇省功率模塊封裝測試

智能制造車間

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 08 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

POWER MODULE PACKAGING AND

TESTING INTELLIGENT MANUFACTURING WORKSHOP

江蘇省功率模塊封裝測試

智能制造車間

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 08 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

測試能力

TESTING CAPABILITY

規(guī)格參數(shù)測試

靜態(tài)參數(shù)測試，最大測試能力6500V/5000A

動(dòng)態(tài)參數(shù)測試，最大測試能力3000V/4000A

熱阻、電容、極限等測試

可靠性測試

氣候試驗(yàn)—高低溫、濕熱、溫度循環(huán)、冷熱沖擊、鹽霧等

壽命試驗(yàn)—振動(dòng)、沖擊等力學(xué)試驗(yàn)；HTRB、HTGB、H3TRB等

強(qiáng)化試驗(yàn)—HAST、PC等

失效分析

芯片剖析、逆向分析，模塊失效分析、紅外熱成像、焊接強(qiáng)度等

超聲檢測、2D/2.5D/3D X射線檢測

金相觀察、SEM/EDS

應(yīng)用測試

高壓應(yīng)用測試、中低壓應(yīng)用測試、SiC應(yīng)用測試等

09 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

測試能力

TESTING CAPABILITY

規(guī)格參數(shù)測試

靜態(tài)參數(shù)測試，最大測試能力6500V/5000A

動(dòng)態(tài)參數(shù)測試，最大測試能力3000V/4000A

熱阻、電容、極限等測試

可靠性測試

氣候試驗(yàn)—高低溫、濕熱、溫度循環(huán)、冷熱沖擊、鹽霧等

壽命試驗(yàn)—振動(dòng)、沖擊等力學(xué)試驗(yàn)；HTRB、HTGB、H3TRB等

強(qiáng)化試驗(yàn)—HAST、PC等

失效分析

芯片剖析、逆向分析，模塊失效分析、紅外熱成像、焊接強(qiáng)度等

超聲檢測、2D/2.5D/3D X射線檢測

金相觀察、SEM/EDS

應(yīng)用測試

高壓應(yīng)用測試、中低壓應(yīng)用測試、SiC應(yīng)用測試等

09 國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺

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科技創(chuàng)新

TECHNOLOGICAL

INNOVATION

南瑞聯(lián)研圍繞建設(shè)成為“具有全球競爭力的功率半導(dǎo)體科技公司”的

戰(zhàn)略目標(biāo)，瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的

產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，整合上下游產(chǎn)業(yè)資源，開展功率半導(dǎo)體器件的自主設(shè)計(jì)、生

產(chǎn)和銷售，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件的國產(chǎn)化替代，保障關(guān)鍵領(lǐng)域核心器

件的供給安全。

南瑞聯(lián)研自成立以來，致力于解決電網(wǎng)領(lǐng)域核心器件“卡脖子”問題，

已獲多項(xiàng)授權(quán)發(fā)明專利和實(shí)用新型專利，并依托智能電網(wǎng)用IGBT器件

研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目成功入選工信部“IGBT應(yīng)用一條龍應(yīng)用示范企業(yè)”。

智能電網(wǎng) 新能源發(fā)電 電動(dòng)汽車 工業(yè)控制

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科技創(chuàng)新

TECHNOLOGICAL

INNOVATION

南瑞聯(lián)研圍繞建設(shè)成為“具有全球競爭力的功率半導(dǎo)體科技公司”的

戰(zhàn)略目標(biāo)，瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的

產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，整合上下游產(chǎn)業(yè)資源，開展功率半導(dǎo)體器件的自主設(shè)計(jì)、生

產(chǎn)和銷售，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件的國產(chǎn)化替代，保障關(guān)鍵領(lǐng)域核心器

件的供給安全。

南瑞聯(lián)研自成立以來，致力于解決電網(wǎng)領(lǐng)域核心器件“卡脖子”問題，

已獲多項(xiàng)授權(quán)發(fā)明專利和實(shí)用新型專利，并依托智能電網(wǎng)用IGBT器件

研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目成功入選工信部“IGBT應(yīng)用一條龍應(yīng)用示范企業(yè)”。

智能電網(wǎng) 新能源發(fā)電 電動(dòng)汽車 工業(yè)控制

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產(chǎn)品介紹

PRODUCT DESCRIPTION

南瑞聯(lián)研深入貫徹落實(shí)制造強(qiáng)國戰(zhàn)略，積極推進(jìn)自主IGBT器件在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代。為滿足柔性輸電工程

對IGBT的國際標(biāo)準(zhǔn)要求，在焊接式3300V、壓接式4500V IGBT模塊領(lǐng)域不斷技術(shù)創(chuàng)新，產(chǎn)品在性能、良率等方面實(shí)

現(xiàn)突破。

行業(yè)領(lǐng)域： 智能電網(wǎng)、城市軌道交通、中高壓變頻、工業(yè)電源。

應(yīng)用設(shè)備：柔直換流閥、無功補(bǔ)償STATCOM(SVG)、統(tǒng)一潮流控制器UPFC、 高壓直流斷路器、牽引變流器等。

高壓IGBT產(chǎn)品

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產(chǎn)品介紹

PRODUCT DESCRIPTION

南瑞聯(lián)研深入貫徹落實(shí)制造強(qiáng)國戰(zhàn)略，積極推進(jìn)自主IGBT器件在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代。為滿足柔性輸電工程

對IGBT的國際標(biāo)準(zhǔn)要求，在焊接式3300V、壓接式4500V IGBT模塊領(lǐng)域不斷技術(shù)創(chuàng)新，產(chǎn)品在性能、良率等方面實(shí)

現(xiàn)突破。

行業(yè)領(lǐng)域： 智能電網(wǎng)、城市軌道交通、中高壓變頻、工業(yè)電源。

應(yīng)用設(shè)備：柔直換流閥、無功補(bǔ)償STATCOM(SVG)、統(tǒng)一潮流控制器UPFC、 高壓直流斷路器、牽引變流器等。

高壓IGBT產(chǎn)品

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產(chǎn)品介紹

PRODUCT DESCRIPTION

南瑞聯(lián)研自主研發(fā)1700V/1200V溝槽柵IGBT產(chǎn)品，具備1700V/1200V溝槽型IGBT芯片設(shè)計(jì)能力。通過仿真設(shè)計(jì)、

晶圓流片和結(jié)構(gòu)工藝優(yōu)化，確保芯片性能表現(xiàn)優(yōu)異。南瑞聯(lián)研可根據(jù)客戶不同場景的應(yīng)用需求，進(jìn)行模塊封裝工藝

定制化開發(fā)，提供高可靠性模塊產(chǎn)品。

行業(yè)領(lǐng)域： 新能源、儲能、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)。

應(yīng)用設(shè)備： 風(fēng)電變流器、光伏逆變器、儲能變流器、能量路由器（電力電子變壓器）、低壓直流變換器、工業(yè)變頻器、伺

服電機(jī)、UPS等。

中低壓IGBT產(chǎn)品

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南瑞聯(lián)研自主研發(fā)1700V/1200V溝槽柵IGBT產(chǎn)品，具備1700V/1200V溝槽型IGBT芯片設(shè)計(jì)能力。通過仿真設(shè)計(jì)、

晶圓流片和結(jié)構(gòu)工藝優(yōu)化，確保芯片性能表現(xiàn)優(yōu)異。南瑞聯(lián)研可根據(jù)客戶不同場景的應(yīng)用需求，進(jìn)行模塊封裝工藝

定制化開發(fā)，提供高可靠性模塊產(chǎn)品。

行業(yè)領(lǐng)域： 新能源、儲能、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)。

應(yīng)用設(shè)備： 風(fēng)電變流器、光伏逆變器、儲能變流器、能量路由器（電力電子變壓器）、低壓直流變換器、工業(yè)變頻器、伺

服電機(jī)、UPS等。

中低壓IGBT產(chǎn)品

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產(chǎn)品介紹

PRODUCT DESCRIPTION

碳化硅功率器件憑借材料優(yōu)異性能，具備耐熱性好，開關(guān)損耗低，熱耗散能力強(qiáng)等多項(xiàng)優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于各類電力

電子領(lǐng)域。

南瑞聯(lián)研研發(fā)團(tuán)隊(duì)開發(fā)出高性能SiC二極管和SiC MOSFET產(chǎn)品。SiC二極管具有正向壓降低，反向擊穿電壓高，反

向漏電小，反向恢復(fù)快，以及浪涌能力強(qiáng)等特點(diǎn)；SiC MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻，較高的閾值電壓，開關(guān)速率快、

耐高溫等特點(diǎn)。南瑞聯(lián)研可根據(jù)電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域市場需求，推出定制化解決方案。

行業(yè)領(lǐng)域： 電動(dòng)汽車、充電樁設(shè)備、新能源、智能電網(wǎng)。

應(yīng)用設(shè)備： 充電電源模塊、電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、UPS、 能量路由器（電力電子變壓器）、 直流配網(wǎng)變換器等。

碳化硅產(chǎn)品

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碳化硅功率器件憑借材料優(yōu)異性能，具備耐熱性好，開關(guān)損耗低，熱耗散能力強(qiáng)等多項(xiàng)優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于各類電力

電子領(lǐng)域。

南瑞聯(lián)研研發(fā)團(tuán)隊(duì)開發(fā)出高性能SiC二極管和SiC MOSFET產(chǎn)品。SiC二極管具有正向壓降低，反向擊穿電壓高，反

向漏電小，反向恢復(fù)快，以及浪涌能力強(qiáng)等特點(diǎn)；SiC MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻，較高的閾值電壓，開關(guān)速率快、

耐高溫等特點(diǎn)。南瑞聯(lián)研可根據(jù)電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域市場需求，推出定制化解決方案。

行業(yè)領(lǐng)域： 電動(dòng)汽車、充電樁設(shè)備、新能源、智能電網(wǎng)。

應(yīng)用設(shè)備： 充電電源模塊、電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、UPS、 能量路由器（電力電子變壓器）、 直流配網(wǎng)變換器等。

碳化硅產(chǎn)品

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國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 18 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

國家電網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺 18 STATE GRID POWER SEMICONDUCTOR UNIFIED PLATFORM

引領(lǐng)未來

LEAD THE FUTURE

南瑞聯(lián)研順應(yīng)國家核心器件國產(chǎn)化替代的時(shí)代潮流而生，順應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)做大的市場潮流而生，順

應(yīng)國家電網(wǎng)公司、南瑞集團(tuán)的產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略潮流而生，將始終堅(jiān)持開放合作，競合共贏的經(jīng)營理念，以突破智

能電網(wǎng)功率半導(dǎo)體核心技術(shù)為己任，以國家電網(wǎng)公司戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展平臺為依托，努力為客戶提供卓

越的產(chǎn)品和服務(wù)，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展，為電網(wǎng)安全及經(jīng)濟(jì)社會(huì)的發(fā)展貢獻(xiàn)核“芯”力量。

引領(lǐng)未來

LEAD THE FUTURE

南瑞聯(lián)研順應(yīng)國家核心器件國產(chǎn)化替代的時(shí)代潮流而生，順應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)做大的市場潮流而生，順

應(yīng)國家電網(wǎng)公司、南瑞集團(tuán)的產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略潮流而生，將始終堅(jiān)持開放合作，競合共贏的經(jīng)營理念，以突破智

能電網(wǎng)功率半導(dǎo)體核心技術(shù)為己任，以國家電網(wǎng)公司戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展平臺為依托，努力為客戶提供卓

越的產(chǎn)品和服務(wù)，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮發(fā)展，為電網(wǎng)安全及經(jīng)濟(jì)社會(huì)的發(fā)展貢獻(xiàn)核“芯”力量。

企業(yè)使命

OUR MISSION

奠基

建成自主可控運(yùn)營體系，成

為國內(nèi)智能電網(wǎng)大功率IGBT

器件的合格供應(yīng)商

提升

發(fā)展成為國內(nèi)高壓大功率IGBT

器件的核心供應(yīng)商和工業(yè)級功

率半導(dǎo)體產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商

引領(lǐng)

實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)領(lǐng)域所需IGBT器件的

市場占有率超過50%，建設(shè)成為

國內(nèi)一流的功率半導(dǎo)體科技公司

讓能源

更高效

讓傳輸

更安全

讓生活

更美好

企業(yè)使命

OUR MISSION

奠基

建成自主可控運(yùn)營體系，成

為國內(nèi)智能電網(wǎng)大功率IGBT

器件的合格供應(yīng)商

提升

發(fā)展成為國內(nèi)高壓大功率IGBT

器件的核心供應(yīng)商和工業(yè)級功

率半導(dǎo)體產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商

引領(lǐng)

實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)領(lǐng)域所需IGBT器件的

市場占有率超過50%，建設(shè)成為

國內(nèi)一流的功率半導(dǎo)體科技公司

讓能源

更高效

讓傳輸

更安全

讓生活

更美好

地址： 南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)誠信大道19號

TEL: 025-81086099

E-mail： nrly@sgepri.sgcc.com.cn

? 2021 NARI-GEIRI

南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

NARI-GEIRI SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

新型電力系統(tǒng)

核 力量

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