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特點(diǎn)

? 工作電壓 2.4-5.5V

? 待機(jī)電流6uA/3.0V,12uA/5V

? 上電復(fù)位功能（POR）

? 低壓復(fù)位功能（LVR）

? 觸摸輸出響應(yīng)時(shí)間：

工作模式 48mS

待機(jī)模式160mS

? CMOS輸出，低電平有效，支持多鍵

? 有效鍵最長(zhǎng)輸出16S

? 無觸摸4S自動(dòng)校準(zhǔn)

? 專用腳接對(duì)地電容調(diào)節(jié)靈敏度(1-47nF）

? 各觸摸通道單獨(dú)接對(duì)地小電容微調(diào)靈敏度（0-50pF）.

? 上電0.25S內(nèi)為穩(wěn)定時(shí)間，禁止觸摸.

? 封裝

ESSOP10L(4.9mm x 3.9mm PP=1.00mm)

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VK36E4

4通道觸摸 1對(duì)1輸出低電平有效

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VK36E4具有4個(gè)觸摸按鍵，可用來檢測(cè)外部觸摸按鍵上人手的觸摸動(dòng)作。該芯片具有較

高的集成度，僅需極少的外部組件便可實(shí)現(xiàn)觸摸按鍵的檢測(cè)。

提供了4路直接輸出功能。芯片內(nèi)部采用特殊的集成電路，具有高電源電壓抑制比，可

減少按鍵檢測(cè)錯(cuò)誤的發(fā)生，此特性保證在不利環(huán)境條件的應(yīng)用中芯片仍具有很高的可靠性。

此觸摸芯片具有自動(dòng)校準(zhǔn)功能，低待機(jī)電流，抗電壓波動(dòng)等特性，為各種觸摸按鍵+IO

輸出的應(yīng)用提供了一種簡(jiǎn)單而又有效的實(shí)現(xiàn)方法。

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1 概述

VK36E4

4通道觸摸 1對(duì)1輸出低電平有效

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ESSOP10L

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2 管腳定義

2.1 VK36E4 ESSOP10L管腳圖

Top View

TP0

TP1 TP2

TP3

CS

VDD

Q2 Q3

Q1

Q0 GND

1

2

3

4

5 6

7

8

9

10

VK36E4

4通道觸摸 1對(duì)1輸出低電平有效

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2.2 VK36E4 ESSOP10L管腳列表

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腳位

1

管腳名稱 輸入/輸出 功能描述

2

輸入 觸摸輸入，接對(duì)地小電容微調(diào)靈敏度（1-50pf），不接最靈敏

Q2

3

輸入 觸摸輸入，接對(duì)地小電容微調(diào)靈敏度（1-50pf），不接最靈敏

Q1

4

觸摸輸入，接對(duì)地小電容微調(diào)靈敏度（1-50pf），不接最靈敏

Q0

5 TP1

6

電源正 電源正

TP2

7 輸入

8 CS

9

TP3

TP0 輸入 觸摸輸入，接對(duì)地小電容微調(diào)靈敏度（1-50pf），不接最靈敏

10 Q3 輸出

0 GND 電源負(fù) 電源負(fù)

觸摸輸出，低有效

VDD

VK36E4

4通道觸摸 1對(duì)1輸出低電平有效

輸入 靈敏度調(diào)節(jié)，接對(duì)地電容(1-47nF)

輸出 觸摸輸出，低有效

輸出 觸摸輸出，低有效

輸出 觸摸輸出，低有效

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3 功能說明

3.1 功能框圖

TP0

TP1

TP2

輸出控制

觸摸

檢測(cè)

CS 電容

采樣

系統(tǒng)震蕩器

時(shí)序控制

觸摸

信號(hào)處理

Q0

Q1

Q2

VDD

VSS

上電后4S內(nèi)每隔64mS刷新1次參考值。有觸摸不刷新，無觸摸4S后每隔1S刷新1次參考值。

3.2 自動(dòng)校準(zhǔn)

VK36E4輸出為 CMOS 直接輸出(Q0~Q3），低電平有效，支持多鍵輸出。

長(zhǎng)按16S芯片復(fù)位，輸出恢復(fù)上電狀態(tài)。

3.3 輸出模式

Q

P

N

電源管理

POR/LVR

Q3

TP3

VK36E4

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Touch

TPx

Qx

~128ms ~16ms

觸摸 ~128ms ~16ms

觸摸 離開

約4 秒 ~128ms

Qx 輸出

離開

3.5 靈敏度調(diào)整

VK36E4的靈敏度和觸摸PAD大小，外殼厚度，靈敏度電容大小等都有關(guān)系，要根據(jù)產(chǎn)品的

實(shí)際應(yīng)用來調(diào)整靈敏度?？梢詮囊韵?個(gè)方面來調(diào)整靈敏度：

I. 觸摸PAD的面積

其它條件不變，觸摸面積越大越靈敏，但面積必需在有效面積內(nèi)。

II. 外殼的厚度

其它條件不變，外殼越薄靈敏度越高，外殼越厚靈敏度越低，但厚度不能超過限制最大值。

III.調(diào)整CS腳對(duì)地電容值

CS調(diào)整整體靈敏度，越大越靈敏，常用值1-47nF,一些特殊應(yīng)用也有超過200nF的。

IV.調(diào)整觸摸腳對(duì)地小電容

觸摸腳對(duì)地小電容微調(diào)靈敏度，越大靈敏度越低，不接電容最靈敏，常用值1-50pF,

3.4 工作模式

VK36E4芯片具有兩種工作模式，待機(jī)模式和正常模式。鍵被觸摸，切換到正常模式。無鍵

觸摸4S自動(dòng)進(jìn)入待機(jī)模式以減少功耗。VDD=5V 時(shí)Qx 輸出響應(yīng)在待機(jī)模式約160 毫秒，在工作模

式約 48 毫秒。

外殼厚度 （亞克力或玻璃） CS電值（僅供參考）

小于3mm 6.8nF/25V

3-6mm 10nF/25V

6-10mm 22nF/25V

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4 參考電路

1K

1K

C0

C3

R0

R3

VDD

VDD

10uF

Q0

Touch Key TP0

VSS

Touch Key TP3

Q3

CS

10nF

0.1uF

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特 性 符 號(hào) 極 限 值 單 位

電源電壓 VDD -0.3～6.0 V

輸入電壓 VIN VSS-0.3～VDD+0.3 V

存貯溫度 TSTG -50～+125 ℃

工作溫度 TOTG -40～+85 ℃

5.2 直流參數(shù)

名稱 符號(hào) 最小值 典型值 最大值 單位 測(cè)試條件（25 ℃）

VDD 條件

工作電壓 VDD 2.4 3.0 5.5 V — —

工作電流 IOP

— 20 40

?A

3.0V

CS=10nF

— 30 60 5.0V

IST

— 6 12

?A

3.0V

待機(jī)電流 — 12 24 5.0V

輸出灌電流 IIL

3.0V

VOL=0.5V 5.0V

輸出源電流 IOL

3.0V VOH=2.8V

5.0V VOH=4.5V

VIL — — 0.2 VDD VDD 輸入低電壓

VIH 0.8 — 1 VDD 輸入高電壓

輸出響應(yīng)時(shí)間 TR

— 45 — mS

3.0V 工作模式

— 48 — 5.0V 工作模式

— 150 — mS

3.0V 待機(jī)模式

— 160 — 5.0V 待機(jī)模式

5 電氣特性

5.1 極限參數(shù)

靜電(HBM) ESD ≧4 KV

CS=10nF

—

—

—

—

10

14

-6

-9

mA

mA

輸入低電壓

輸入高電壓 VDD

—

—

—

—

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6 封裝信息

6.1 ESSOP10L(4.9mm x 3.9mm PP=1.00mm)：

MILLIMETER

SYMBOL

MIN NOM MAX

A 1.50 1.60 1.70

A1 0.02 0.08

b 0. 30 0.40 0.45

b1 0.28 0.38 0.42

c

4.80 4.90 5.00

c1

D

E

E1

e 1.00BSC

h

L

L1

0. 18 0.20 0.22

0.13 0.15 0.18

3.80 3.90 4.00

5.80 6.00 6.20

0.10 -- 0.25

0.50 -- 0.80

1.05REF

E E1

b

D

e

A

1 5

10 6

A1

h

--

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No. 版本 日期 修訂內(nèi)容

1 1.0 2018-08-10 原始版本

2 1.1 2020-02-11 更新內(nèi)容

檢查

Yes

Yes

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