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《贏在微點(diǎn)》全解小答 化學(xué)單選版 選擇性必修2

發(fā)布時(shí)間:2023-4-04 | 雜志分類:其他
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《贏在微點(diǎn)》全解小答 化學(xué)單選版 選擇性必修2

微|講|小|本第一章 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第一節(jié) 原子結(jié)構(gòu) ……………………………………………………………………………… 119第1課時(shí) 能層與能級(jí) 基態(tài)與激發(fā)態(tài) 原子光譜 構(gòu)造原理與電子排布式 ………… 119第2課時(shí) 電子云與原子軌道 泡利原理、洪特規(guī)則、能量最低原理 …………………… 120第二節(jié) 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì) ……………………………………………………………… 121第1課時(shí) 原子結(jié)構(gòu)與元素周期表 ………………………………………………………… 121第2課時(shí) 元素周期律 ……………………………………………………………………… 122第二章 分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第一節(jié) 共價(jià)鍵 ………………………………………………………………………………… 123第二節(jié) 分子的空間結(jié)構(gòu) ……………………………………………………………………… 125第1課時(shí) 分子的空間結(jié)構(gòu)和價(jià)層電子對(duì)互斥模型 ……………………………………… 125第2課時(shí) 雜化軌道理論簡(jiǎn)介 ……………………………………………………………… 126第三節(jié) 分子結(jié)構(gòu)與物質(zhì)的性質(zhì) ……………………………………………………………… 127第三章... [收起]
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《贏在微點(diǎn)》全解小答 化學(xué)單選版 選擇性必修2
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第2頁(yè)

微|講|小|本

第一章 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

第一節(jié) 原子結(jié)構(gòu) ……………………………………………………………………………… 119

第1課時(shí) 能層與能級(jí) 基態(tài)與激發(fā)態(tài) 原子光譜 構(gòu)造原理與電子排布式 ………… 119

第2課時(shí) 電子云與原子軌道 泡利原理、洪特規(guī)則、能量最低原理 …………………… 120

第二節(jié) 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì) ……………………………………………………………… 121

第1課時(shí) 原子結(jié)構(gòu)與元素周期表 ………………………………………………………… 121

第2課時(shí) 元素周期律 ……………………………………………………………………… 122

第二章 分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

第一節(jié) 共價(jià)鍵 ………………………………………………………………………………… 123

第二節(jié) 分子的空間結(jié)構(gòu) ……………………………………………………………………… 125

第1課時(shí) 分子的空間結(jié)構(gòu)和價(jià)層電子對(duì)互斥模型 ……………………………………… 125

第2課時(shí) 雜化軌道理論簡(jiǎn)介 ……………………………………………………………… 126

第三節(jié) 分子結(jié)構(gòu)與物質(zhì)的性質(zhì) ……………………………………………………………… 127

第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

第一節(jié) 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與晶體的常識(shí) ……………………………………………………… 129

第二節(jié) 分子晶體與共價(jià)晶體 ………………………………………………………………… 130

第1課時(shí) 分子晶體 ………………………………………………………………………… 130

第2課時(shí) 共價(jià)晶體 ………………………………………………………………………… 131

第三節(jié) 金屬晶體與離子晶體 ………………………………………………………………… 132

第1課時(shí) 金屬晶體 ………………………………………………………………………… 132

第2課時(shí) 離子晶體 過(guò)渡晶體與混合型晶體 …………………………………………… 133

第四節(jié) 配合物與超分子 ……………………………………………………………………… 135

第3頁(yè)

課|堂|小|練

第一章 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

課堂小練(一) 能層與能級(jí) 基態(tài)與激發(fā)態(tài) 原子光譜 構(gòu)造原理與電子排布式 ………… 136

課堂小練(二) 電子云與原子軌道 泡利原理、洪特規(guī)則、能量最低原理 …………………… 137

課堂小練(三) 原子結(jié)構(gòu)與元素周期表 ………………………………………………………… 138

課堂小練(四) 元素周期律 ……………………………………………………………………… 139

第二章 分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

課堂小練(五) 共價(jià)鍵 …………………………………………………………………………… 141

課堂小練(六) 分子的空間結(jié)構(gòu)和價(jià)層電子對(duì)互斥模型 ……………………………………… 142

課堂小練(七) 雜化軌道理論簡(jiǎn)介 ……………………………………………………………… 143

課堂小練(八) 分子結(jié)構(gòu)與物質(zhì)的性質(zhì) ………………………………………………………… 144

第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

課堂小練(九) 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與晶體的常識(shí) ………………………………………………… 145

課堂小練(十) 分子晶體 ………………………………………………………………………… 147

課堂小練(十一) 共價(jià)晶體 ……………………………………………………………………… 148

課堂小練(十二) 金屬晶體 ……………………………………………………………………… 150

課堂小練(十三) 離子晶體 過(guò)渡晶體與混合型晶體 ………………………………………… 151

課堂小練(十四) 配合物與超分子 ……………………………………………………………… 152

知|能|小|卷

章末質(zhì)量檢測(cè)(一)………………………………………………………………………………… 154

章末質(zhì)量檢測(cè)(二)………………………………………………………………………………… 156

章末質(zhì)量檢測(cè)(三)………………………………………………………………………………… 159

模塊綜合測(cè)試 ……………………………………………………………………………………… 162

第4頁(yè)

全解小答·119·

第一章 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

第一節(jié) 原子結(jié)構(gòu)

第1課時(shí) 能層與能級(jí) 基態(tài)與激發(fā)態(tài)

原子光譜 構(gòu)造原理與電子排布式

課前·預(yù)習(xí)新知

知識(shí)點(diǎn)一

1.(1)能量 K L M N 2n

2 (2)高

2.(1)能量 3s s (2)< < < (3)2 2 6 2 6

10 2 6 10 14 2

[微思考]

1.提示:不同能層:E(1s)<E(2s)<E(3s)<E(4s)……;同

一能層:E(ns)<E(np)<E(nd)<E(nf)……。

2.提示:最多容納的電子數(shù)為s能級(jí):2,p能級(jí):6,d能級(jí):

10,f能級(jí):14;3d、4d、5d能級(jí)所容納的最多電子數(shù)相同。

3提示:第五能層最多容納50個(gè)電子;它們分別容納在5個(gè)

能級(jí)中。

[微判斷]

(1)× (2)× (3)× (4)√ (5)√

知識(shí)點(diǎn)二

1.(1)最低能量狀態(tài) (2)吸收 較高 (3)吸收 釋放

2.(1)吸收 發(fā)射 (2)原子光譜

[微思考]

1.提示:基態(tài)原子吸收能量,電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)后,

電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至

基態(tài)時(shí),將能量以光的形式釋放出來(lái)。

2.提示:光(輻射)是電子躍遷釋放能量的重要形式之一,焰

色試驗(yàn)屬于發(fā)射光譜。

[微判斷]

(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×

知識(shí)點(diǎn)三

1.(1)光譜學(xué) 能級(jí) (2)能層 能級(jí)

2.能級(jí) 右上角 能級(jí) 電子數(shù)

5.[Ar]3d

84s

2 3d

84s

2

[微判斷]

(1)√ (2)√ (3)√ (4)×

課堂·互動(dòng)探究

【例1】 A 解析 各能層中的能級(jí)數(shù)等于其所處的能層序

數(shù),即當(dāng)n=1時(shí),它只有一個(gè)s能級(jí),當(dāng)n=2時(shí),有兩個(gè)

能級(jí)分別為s、p能級(jí),所以 B、C兩項(xiàng)都不正確;D 項(xiàng)中每

個(gè)能層最多能填充2n

2 個(gè)電子,但不是 一 定 含 有 2n

2 個(gè)

電子。

【例2】 A 解析 霓虹燈之所以能發(fā)光,是因?yàn)殡娮游?/p>

能量后躍遷到能量較高的能級(jí),能量較高能級(jí)上的電子

會(huì)很快以光的形式輻射能量而躍遷回能量較低的能級(jí)。

【例3】 答案 (1)1s

22s

22p

4、[He]2s

22p

4

(2)1s

22s

22p

63s

23p

2、[Ne]3s

23p

2

(3)1s

22s

22p

63s

23p

6、[Ne]3s

23p

6

(4)1s

22s

22p

63s

23p

64s

1、[Ar]4s

1

(5)1s

22s

22p

63s

23p

63d

14s

2、[Ar]3d

14s

2

(6)1s

22s

22p

63s

23p

63d

64s

2、[Ar]3d

64s

2

【變式訓(xùn)練】

1.D 解析 第三能層有s、p、d三個(gè)能級(jí),A 項(xiàng)錯(cuò)誤;同一

能層中的p能級(jí)電子的能量一定比s能級(jí)電子能量高,但

能層較高的s能級(jí)電子能量則比能層低的 p能級(jí)電子能

量高,B項(xiàng)錯(cuò)誤;每個(gè)能層最多可容納的電子數(shù)是2n

2,第

三能層最多容納18個(gè)電子,C項(xiàng)錯(cuò)誤;s能級(jí)最多容納的

電子數(shù)為2,D項(xiàng)正確。

2.B 解析 處于最低能量狀態(tài)的原子叫做基態(tài)原子。電

子由較低能級(jí)向較高能級(jí)躍遷,叫激發(fā)。激發(fā)態(tài)原子的

能量總是比原來(lái)基態(tài)原子的能量高。如果電子僅在內(nèi)層

激發(fā),電子未獲得足夠的能量,不會(huì)失去電子。

3.D 解析 根據(jù)構(gòu)造原理可知,鋅元素原子的核外電子排

布式為1s

22s

22p

63s

23p

63d

104s

2,除3d

104s

2 外,鋅原子內(nèi)層

電子的排布與稀有氣體原子 Ar的電子排布相同,因此鋅

的核外電子排布式可寫為[Ar]3d

104s

2。

隨堂·達(dá)標(biāo)自測(cè)

1.D 解 析 f能 級(jí) 至 少 在 第 四 層 及 以 上,因 此 不 存 在 3f

能級(jí)。

2.B 解析 M 能層包含的能級(jí)為3s、3p、3d,共3種。

3.B 解析 E(3d)<E(4p),故電子由3d能級(jí)躍遷至4p能

級(jí)時(shí),吸收能量,形成吸收光譜。

4.B 解析 根據(jù)構(gòu)造原理,各能級(jí)能量由低到高的順序?yàn)?/p>

1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、5s……,A、D 兩項(xiàng)正確順序應(yīng)

為E(4f)>E(5s)>E(3d)>E(4s);對(duì)于不同能層的相同

能級(jí),能層序數(shù)越大,能量越高,所以 C項(xiàng)錯(cuò)誤。

5.答案 (1)1s

22s

22p

1 或[He]2s

22p

1 (2)2s

22p

3

(3)34 3s

23p

63d

10 (4)1s

22s

22p

6

(5)1s

22s

22p

63s

23p

63d

104s

24p

1 或[Ar]3d

104s

24p

1

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第5頁(yè)

·120·高中化學(xué) 選擇性必修2

解析 B的核外有5個(gè)電子,其基態(tài)原 子 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

1 或[He]2s

22p

1。N 原子最外層有5個(gè)電子,最

高能層為2,價(jià)層電子排布式為2s

22p

3。Se與 O 同主族,

原子序數(shù)為34,N 能層上有6個(gè)電子,故其 M 層排滿,M

層電子排布式為3s

23p

63d

10。N 原子基態(tài)電子排布式為

1s

22s

22p

3,N 原子得到3個(gè)電子所得 N

3- 的基態(tài)電子排布

式為1s

22s

22p

6。Ga為第四周期第ⅢA 族元素,故其原子

價(jià)層 電 子 排 布 式 為 4s

24p

1,Ga 原 子 電 子 排 布 式 為

[Ar]3d

104s

24p

1 或1s

22s

22p

63s

23p

63d

104s

24p

1。

第2課時(shí) 電子云與原子軌道 泡利原理、

洪特規(guī)則、能量最低原理

課前·預(yù)習(xí)新知

知識(shí)點(diǎn)一

2.(1)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài) (3)球形 一 啞鈴形

3.(1)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài) (2)①球 大 ②啞鈴狀

(3)1 3 5 7

[微思考]

1.提示:軌道形狀、數(shù)目、最多容納電子數(shù)等不同。

2.提示:電子云輪廓相同(s軌道均為球形,p軌道均為啞鈴

形);能量不同(能層序數(shù)越大,能量越高)。

[微判斷]

(1)× (2)× (3)× (4)√

知識(shí)點(diǎn)二

1.(1)上下箭頭(↑和↓) (2)2 相反

2.(1)①相同 ②相反 ↑↓ ③未成對(duì)電子 ④同向

(2)①原子軌道 ③相反

3.(1)平行 (2)全充滿 半充滿 [Ar]3d

54s

1

4.(1)能量最低

[微思考]

1.提示:氦原子核外有2個(gè)電子,根據(jù)能量最低原理和泡利

原理,基態(tài)氦原子的2個(gè)電子以自旋相反的形式填充在能

量最低的1s軌道中,且1s軌道和2s軌道能量相差較大,

所以基態(tài)氦原子不會(huì)出現(xiàn)2個(gè)電子單獨(dú)分占1s、2s軌道

的情況。

2.提示:根據(jù)構(gòu)造原理,3d能級(jí)的能量大于4s能級(jí)的能量,

所以依據(jù)能量最低原理,電子填入能量低的能級(jí)可使整

個(gè)原子的能量最低。

[微判斷]

(1)× (2)× (3)× (4)√

課堂·互動(dòng)探究

【例1】 C 解析 s軌道為球形,p軌道為啞鈴狀,A 項(xiàng)錯(cuò)

誤;每個(gè)p能級(jí)只有3個(gè)原子軌道,B項(xiàng)錯(cuò)誤;能層序數(shù)越

小,s能級(jí)的原子軌道半徑越小,C項(xiàng)正確;鈉原子的電子

在6個(gè)原子軌道上高速運(yùn)動(dòng),D項(xiàng)錯(cuò)誤。

【例2】 A 解析 ↑ ↑↓ ↓

2p

違反了洪特規(guī)則,A 項(xiàng)錯(cuò)誤;

21 號(hào) Sc 元 素 的 基 態(tài) 原 子 電 子 排 布 式 應(yīng) 為

1s

22s

22p

63s

23p

64s

23d

1,1s

22s

22p

63s

23p

63d

3 違反了能量最

低原理,B項(xiàng)正確;鈹原子的核外電子數(shù)為4,根據(jù)能量最

低原理和泡利原理,排布圖為↑↓

1s

↑↓

2s

,C項(xiàng)正確;根據(jù)能

量最低 原 理 和 洪 特 規(guī) 則,某 基 態(tài) 原 子 的 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

0

x2p

1

y2p

1

z,D項(xiàng)正確。

【例3】 C 解析 O

2- 的結(jié)構(gòu)示意圖為 ,A 項(xiàng)錯(cuò)

誤;Si元 素 是 第 14 號(hào) 元 素,基 態(tài) Si原 子 電 子 排 布 式 為

[Ne]3s

23p

2,所以價(jià)層電子排布式:3s

23p

2,B項(xiàng)錯(cuò)誤;Cl元素

是第17號(hào)元素,基態(tài)Cl原子的核外電子排布式[Ne]3s

23p

5,

C項(xiàng)正確;Co元素是第27號(hào)元素,基態(tài) Co原子的價(jià)層電

子軌道表示式↑↓ ↑↓ ↑ ↑ ↑

3d

↑↓

4s

,D項(xiàng)錯(cuò)誤。

【變式訓(xùn)練】

1.B 解析 p軌道呈啞鈴狀,是指電子出現(xiàn)概率高的區(qū)域

的形狀,而不是電子的形狀,A 項(xiàng)錯(cuò)誤;能層數(shù)為3時(shí),有

3s、3p、3d3個(gè)能級(jí),共有9個(gè)軌道,B項(xiàng)正確;氫原子中確

實(shí)只有1個(gè)電子,但氫原子核外有多個(gè)軌道,C項(xiàng)錯(cuò)誤。

2.答案 ①④⑤ ② ③ ⑥

解析 根據(jù)核外電子排布規(guī)律知,② 中錯(cuò)誤在于電子排

滿2s軌道后應(yīng)排2p軌 道,而 不 是 3p軌 道,正 確 的 應(yīng) 為

1s

22s

22p

6;③ 中沒有遵循洪特規(guī)則———電子在同一能 級(jí)

的不同軌道上排布時(shí),應(yīng)盡可能分占不同的軌道并且自

旋平行,正確的應(yīng)為↑↓

1s

↑↓

2s

↑↓ ↑↓ ↑↓

2p

↑↓

3s

↑ ↑ ↑

3p

;

⑥違反泡利原理,正確的應(yīng)為↑↓

1s

↑↓

2s

↑ ↑

2p

3.D 解析 Na的基態(tài)原子簡(jiǎn)化電子排布式為[Ne]3s

1。

即上一周期的稀有氣體(元素符號(hào))+該原子的價(jià)層電子

排布。

隨堂·達(dá)標(biāo)自測(cè)

1.C 解析 電子云表示電子在核外空間某處出現(xiàn)的機(jī)會(huì),

不代表電子的運(yùn)動(dòng)軌跡,A 項(xiàng)錯(cuò)誤;小黑點(diǎn)的疏密表示電

子出現(xiàn)機(jī)會(huì)的多少,密則機(jī)會(huì)大,疏則機(jī)會(huì)小,B項(xiàng)錯(cuò)誤;

ns能級(jí)的電子云呈球形,所以可以用該圖表示該能級(jí)的

原子軌道,C項(xiàng)正確;3d

3 表 示 3d能 級(jí) 有 3 個(gè) 電 子,D 項(xiàng)

錯(cuò)誤。

2.D 解析 2s能級(jí)的能量比2p能量低,電子盡可能占據(jù)

能量最低的軌道,不符合能量最低原理,原子處于能量較

高的激發(fā)態(tài),A 項(xiàng)錯(cuò)誤;B項(xiàng)違反了洪特規(guī)則,基態(tài)原子的

電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)原子軌道,且自旋平行,B項(xiàng)

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第6頁(yè)

·136·高中化學(xué) 選擇性必修2

第一章 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

課堂小練(一) 能層與能級(jí) 基態(tài)與激發(fā)態(tài)

原子光譜 構(gòu)造原理與電子排布式

1.C 解析 能層的能量由低到高的順序?yàn)?K、L、M、N、O、

P、Q。

2.D 解析 多電子的原子中,同一能層的電子可分為不同

的能級(jí),K 層只有s能級(jí),L層有s、p能級(jí),從 M 能層開始

有d能級(jí)。

3.C 解析 相同電子層上不同能 級(jí) 能 量 高 低ns<np<

nd<nf;n不同時(shí)能量高低1s<2s<3s<4s;另外還有能級(jí)

交錯(cuò)現(xiàn)象。A項(xiàng)中1s<2p<4s<3d;B項(xiàng)中1s<2s<2p<

3s;D項(xiàng)中3p<4s<3d<4p。

4.D 解析 每一能層包含的能級(jí)數(shù)目等于該能層的序數(shù),

故第四能層包含s、p、d、f四個(gè)能級(jí);每一能層所容納的最

多電子數(shù)為2n

2,故第四能層最多所容納的電子數(shù)為2×

4

2=32個(gè)。

5.B 解析 原子核外每一個(gè)能層最多可容納的電子數(shù)為

2n

2,故 A 項(xiàng)錯(cuò) 誤;能 層 序 數(shù) 較 大 的 能 級(jí),能 量 不 一 定 較

高,如4s的能量低于3d,故B項(xiàng)正確;不同能層的s能級(jí),

能層序數(shù)越大,其能量越高,即能量:1s<2s<3s,故 C 項(xiàng)

錯(cuò)誤;同一原子中,2p、3p、4p能容納的電子數(shù)一樣多,都

為6個(gè),故 D項(xiàng)錯(cuò)誤。

6.B 解析 根 據(jù) 原 子 中 題 述 能 級(jí) 的 能 量 高 低 順 序:ns<

(n-2)f<(n-1)d<np,所以最后一個(gè)排布的應(yīng)是能量

最高的能級(jí),應(yīng)為np能級(jí)??梢?解此類題,應(yīng)從構(gòu)造原

理入手,判斷出能級(jí)的能量高低。電子在排布時(shí)應(yīng)先進(jìn)

入能量低的能級(jí),填滿后再進(jìn)入能量高的能級(jí)。

7.C 解析 當(dāng)基態(tài)原子的電子吸收能量后,電子會(huì)躍遷到

較高能級(jí),變成激發(fā)態(tài)原子;相反,電子從較高能量的激

發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí),將釋放能量。

光是電子躍遷釋放能量的重要形式之一。我們看到的許

多可見光,如燈光、霓虹燈光、激光、焰火等都與原子核外

電子發(fā)生躍遷釋放能量有關(guān)。激光筆產(chǎn)生的紅色光線是

可見光,與原子核外電子的躍遷有關(guān),故 A 項(xiàng)正確;金屬

元素的焰色試驗(yàn),與原子核外電子的躍遷有關(guān),故 B項(xiàng)正

確;用光束照射膠體時(shí)產(chǎn)生光亮的通路是膠體的性質(zhì),是

丁達(dá)爾效應(yīng),與原子核外電子的躍遷無(wú)關(guān),故 C 項(xiàng)錯(cuò)誤;

燃放的焰火在夜空中呈現(xiàn)五彩繽紛的圖案為金屬元素的

焰色試驗(yàn),與原子核外電子的躍遷有關(guān),故 D項(xiàng)正確。

8.A 解析 2p能級(jí)的能量小于3s能級(jí)的,A 項(xiàng)錯(cuò)誤;不同

元素的特征譜線不同,故可以利用光譜分析法來(lái)鑒定元

素,B項(xiàng)正確;能量低的電子在離核近的區(qū)域運(yùn)動(dòng),能量高

的電子在離核遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng),C 項(xiàng)正確;焰色試驗(yàn)中觀察

到的特殊焰色是金屬原子的電子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)

產(chǎn)生的光的顏色,D項(xiàng)正確。

9.A 解析 硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài),這一過(guò)程吸收能

量,則其處于激發(fā)態(tài)時(shí)的能量高于基態(tài)時(shí)的能量,故 A 項(xiàng)

正確,B、C兩項(xiàng)錯(cuò)誤;轉(zhuǎn)化后硅原子與基態(tài)磷原子的電子

層結(jié)構(gòu) 不 相 同,因 為 基 態(tài) 磷 原 子 的 價(jià) 層 電 子 排 布 式 為

3s

23p

3,化學(xué)性質(zhì)也不相同,D項(xiàng)錯(cuò)誤。

10.D 解析 從 電 子 排 布 式 看,該 原 子 最 高 能 級(jí) 為 4s能

級(jí),故有4個(gè)能層,最外層有2個(gè)電子,B、C兩項(xiàng)正確;各

能級(jí)的電子數(shù)之和為25,A 項(xiàng)正確;M 能層電子排布為

3s

23p

63d

5,故該能層電子數(shù)為13,D項(xiàng)錯(cuò)誤。

11.A 解析 根據(jù)構(gòu)造原理原子核外電子填充順序?yàn)?s、

2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p,A 項(xiàng) 錯(cuò) 誤;1s

22s

2 為 基 態(tài),

1s

22s

12p

1 為激發(fā)態(tài),B項(xiàng)正確;基態(tài)溴原子的核外有35

個(gè)電子,分4層排布,基態(tài)溴原子的簡(jiǎn)化電子排布式為

[Ar]3d

104s

24p

5,C項(xiàng)正確;Mg原子的核外電子數(shù)為12,

電子排布式為1s

22s

22p

63s

2,D項(xiàng)正確。

12.C 解析 由于 AB2 為離子化合物,故 A 為+2價(jià),B為

-1價(jià),A、B均為主族元素,因此 A 為第ⅡA 族元素,其

最外層有兩個(gè)電子,價(jià)層電子排布式為ns

2;B 為第ⅦA

族元 素,原 子 最 外 層 有 7 個(gè) 電 子,價(jià) 層 電 子 排 布 式

為ns

2np

5。

13.答案 (1)①1s

22s

22p

63s

23p

2 或[Ne]3s

23p

2 ②1s

22s

22p

1

或[He]2s

22p

1 ③1s

22s

22p

63s

23p

63d

8 或 [Ar]3d

8

1s

22s

22p

63s

23p

63d

5 或 [Ar]3d

5 1s

22s

22p

63s

23p

6 或

[Ne]3s

23p

6 (2)Br (3)M 3 (4)[Ar]3d

104s

24p

3

四 ⅤA

解析 (1)①L層有8個(gè)電子,則 M 層有4個(gè)電子,故 A

為硅。②當(dāng)次外層為 K 層時(shí),最外層電 子 數(shù) 則 為 3,為

硼;當(dāng)次外層為 L層時(shí),最外層電子數(shù)為1.5×8=12,違

背了排布規(guī)律,故不可能。③Ni的原子序數(shù)為28,根據(jù)

構(gòu) 造 原 理,基 態(tài) Ni 原 子 的 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

63s

23p

63d

84s

2,故 Ni

2+ 的 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

63s

23p

63d

8;基 態(tài) Fe 原 子 的 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

63s

23p

63d

64s

2,故 Fe

3+ 的 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

63s

23p

63d

5;硫的原子序數(shù)為16,基態(tài)硫原子的

電子排布式為1s

22s

22p

63s

23p

4,故 S

2- 的 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

63s

23p

6。(2)根據(jù)價(jià)層電子排布式可知該元素

有4個(gè)電子層,最外層有7個(gè)電子,位于元素周期表的第

四周期第ⅦA 族,為 Br元素。(3)Ti的原子序數(shù)為22,

基態(tài) Ti原子的電子排布式為[Ar]3d

24s

2,故基態(tài) Ti

2+ 的

電子排布式為[Ar]3d

2,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為 M,

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第7頁(yè)

全解小答·137·

該能層有3s、3p、3d3個(gè)能級(jí)。(4)砷的原子序數(shù)為33,

基態(tài) As原子的電子排布式為[Ar]3d

104s

24p

3,位于第四

周期第ⅤA 族。

14.答案 (1)1s

22s

22p

4 [·

· O

··

··

·

· H]- (2)

(3)第二周期第ⅠA 族

解析 由 C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,

推出C為 O 元素;D元素原子的 M 電子層的p能級(jí)中有

3個(gè)電子,推出 D是 P元素;若n=2,則 B的價(jià)層電子排

布式為2s

22p

2,B為碳元素。

15.答案 (1)Ar (2)S

2- (3)K

+ (4)Cl

-

解析 符合上述基態(tài)電子排布式的電中性微粒,很難發(fā)

生化學(xué)反應(yīng)的應(yīng)為稀有氣體 Ar;使溴水褪色,應(yīng)為還原

性較強(qiáng)的S

2- ,發(fā)生如下反應(yīng) S

2- +Br2??S↓+2Br

- ;

氧化性很弱,得到電子后還原性很強(qiáng),應(yīng)為 K

+ ;得一個(gè)

電子即達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故該微粒應(yīng)為 Cl

- 。

16.答案 (1)2 2s和2p

(2)N 2 2p

(3)2N2H4+N2O4

點(diǎn)燃

??3N2+4H2O

解析 (1)氫氣是一種清潔燃料,所以 A 為氫元素;臭氧

對(duì)紫外線 有 吸 收 作 用,是 保 護(hù) 地 球 地 表 環(huán) 境 的 重 要 屏

障,所以 B為氧元素,其基態(tài)原子含有 K 層與 L 層2個(gè)

能層,L 層為第二能層,有s、p兩個(gè)能級(jí)(即2s和2p);

氮、磷、鉀是植物生長(zhǎng)三要素,N2O 俗名“笑氣”,是早期

醫(yī)療中使用的麻醉劑,所以 C 為氮元素;單質(zhì)硫在氧氣

中燃燒,發(fā) 出 明 亮 的 藍(lán) 紫 色 火 焰,所 以 D 為 硫 元 素。

(2)C元素是氮元素,原子結(jié)構(gòu)示意圖為 ,氮原

子有2個(gè)能層,能量最高的能級(jí)是2p。(3)氮和氫形成

的原子個(gè)數(shù)比為1∶2的化合物為 N2H4,氮和氧形成的

原子個(gè) 數(shù) 比 為 1∶2 的 化 合 物 有 NO2 和 N2O4,其 中

N2O4 是 無(wú) 色 氣 體,NO2 是 紅 棕 色 氣 體,N2H4 和 N2O4

反應(yīng)生成無(wú)毒的 N2 和 H2O。

課堂小練(二) 電子云與原子軌道 泡利原理、

洪特規(guī)則、能量最低原理

1.A 解析 電子云輪廓圖為球形的是s能級(jí),Na最高能

級(jí)為3s,N 最高能級(jí)為2p,O 最高能級(jí)為2p,I最高能級(jí)

為5p,故選 A。

2.C 解析 不同能級(jí)的原子軌道形狀可以相同,如1s、2s

能級(jí)的原子軌道都是球形,只是半徑不同,A 項(xiàng)錯(cuò)誤;現(xiàn)

在的技術(shù)無(wú)法測(cè)定電子在原子核外的運(yùn)動(dòng)軌跡,原子軌

道只是體現(xiàn)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),B項(xiàng)錯(cuò)誤;任何電子層的 p

能級(jí)都有3個(gè)p軌道,C項(xiàng)正確;根據(jù) B項(xiàng)分析,氫原子s

軌道呈球形,并不是電子運(yùn)動(dòng)軌跡呈球形,D項(xiàng)錯(cuò)誤。

3D 解析 電子云輪廓圖與電子云圖不是同一個(gè)概念,而

是我們常說(shuō)的原子軌道圖,A 項(xiàng)錯(cuò)誤;3p

2 表示3p能級(jí)中

容納了兩個(gè)電子,B項(xiàng)錯(cuò)誤;s能級(jí)的電子云輪廓圖呈球形

而不是圓形,C項(xiàng)錯(cuò)誤;p能級(jí)的原子軌道圖呈啞鈴形,有

px 、py、pz 三個(gè)伸展方向,并且互相垂直,D項(xiàng)正確。

4.D 解析 A 項(xiàng)只能表示最外層電子數(shù);B項(xiàng)只表示核外

的電子分層排布情況;C項(xiàng)具體到各能層的電子數(shù);而 D

項(xiàng)包含了能層數(shù)、能級(jí)數(shù)以及軌道內(nèi)電子的自旋方向,故

該項(xiàng)正確。

5.A 解析 基態(tài)原子4s軌道上有1個(gè)電子,在s區(qū)域價(jià)層

電子排布式為4s

1,在d區(qū)域價(jià)層電子排布式為3d

54s

1,在

ds區(qū)域價(jià)層電子排布式為3d

104s

1,在p區(qū)域不存在4s軌

道上有1個(gè)電子的元素,A 項(xiàng)符合題意。

6.C 解析 A 項(xiàng),C的基態(tài)電子排布式為1s

22s

22p

2,p能級(jí)

有3個(gè)原子軌道,因此未成對(duì)電子數(shù)為2;B項(xiàng),O 的基態(tài)

電子排布式為1s

22s

22p

4,p能級(jí)有3個(gè)原子軌道,因此未

成對(duì)電子數(shù)為2;C項(xiàng),N 的基態(tài)電子排布式為1s

22s

22p

3,

p能級(jí)有3個(gè)原子軌道,因此未成對(duì)電子數(shù)為3;D 項(xiàng),Cl

的基態(tài)電子排布式為1s

22s

22p

63s

23p

5,p能級(jí)有3個(gè)原子

軌道,因此未成對(duì)電子數(shù)為1。

7.B 解 析 Fe的 電 子 排 布 式 是 1s

22s

22p

63s

23p

63d

64s

2,

Fe

2+ 價(jià)層電 子 排 布 式 為 3d

6,則 Fe

3+ 價(jià) 層 電 子 排 布 式 為

3d

5,Cu的電子排布式是1s

22s

22p

63s

23p

63d

104s

1,Cu

2+ 價(jià)層

電子排布式為3d

9,Cu

+ 價(jià)層電子排布式為3d

10,故選B。

8.D 解析 A 項(xiàng)中的“2p

7”違背了泡利原理,p能級(jí)有3個(gè)

軌道,最 多 填 充 6 個(gè) 電 子,正 確 的 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

63s

1。B項(xiàng)中的“4d

95s

2”違背了洪特規(guī)則特例,正

確 的 基 態(tài) 原 子 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

63s

23p

63d

104s

24p

64d

105s

1。C項(xiàng)中的“3d

2”違背了

能量最低原理,根據(jù)構(gòu)造原理,3d能級(jí)的能量大于4s能

級(jí);3p能級(jí)排滿之后應(yīng)該先排4s能級(jí),故20Ca的基態(tài)原

子電子排布式應(yīng)為1s

22s

22p

63s

23p

64s

2。

9.B 解析 Br是35號(hào)元素,位于第四周期第ⅦA 族,其基

態(tài)原子電子排布式 為 1s

22s

22p

63s

23p

63d

104s

24p

5,其 簡(jiǎn) 化

電子排布式為[Ar]3d

104s

24p

5。

10.A 解析 Br

- 的電子排布式:[Ar]3d

104s

24p

6,正確,評(píng)

價(jià)錯(cuò)誤,故 A 項(xiàng)錯(cuò)誤;電子應(yīng)先充滿同能級(jí)的軌道,題中

O 原子的軌道表示式 違 反 了 洪 特 規(guī) 則,故 B 項(xiàng) 正 確;K

原子的電子排布式:1s

22s

22p

63s

23p

64s

1,題中 K 原子的

電子排布式違反能量最低原理,故 C項(xiàng)正確;泡利原理:

每個(gè)原子軌道上最多只能容納2個(gè)自旋狀態(tài)相反的電

子,D項(xiàng)違反泡利原理,故 D項(xiàng)正確。

11.C 解 析 由 基 態(tài) 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為 [Ar]

3d

104s

24p

4 可知,該元素的原子序數(shù)為34,是位于元素周

期表第四周期第ⅥA 族的硒元素。由泡利原理可知,同

一原子核外不可能有運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子,則硒原

子的原子核外共有34個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子,故 A 項(xiàng)

正確;由電子排布式可知,硒原子的最高能層符號(hào)為 N,

故 B項(xiàng)正確;由電子排布式可知,硒原子的核外電子占

據(jù)1s、2s、2p、3s、3p、3d、4s、4p軌道,核外電子有18種空

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第8頁(yè)

·154·高中化學(xué) 選擇性必修2

章末質(zhì)量檢測(cè)(一)

1.D 解析 最外層電子 數(shù) 不 能 超 過(guò) 8 個(gè),鉀 的 原 子 結(jié) 構(gòu)

示意圖應(yīng)為 ,故 A 項(xiàng)錯(cuò)誤;NH4Cl的 電 子 式

應(yīng)為 [H

·· N

H··

··

H

·· H]+ [··Cl

··

··

·· ]- ,故 B項(xiàng)錯(cuò)誤;N 的軌道表

示式違 背 了 泡 利 原 理,正 確 的 N 的 軌 道 表 示 式 應(yīng) 為

↑↓

1s

↑↓

2s

↑ ↑ ↑

2p

,故 C 項(xiàng) 錯(cuò) 誤;Br

- 的 電 子 排 布 式:

[Ar]3d

104s

24p

6 ,故 D 項(xiàng)正確。

2.B 解析 相同能級(jí),能層越大,能量越大,1s、2s、3s電子

的能量逐漸增大,A 項(xiàng)正確;在電子云示意圖中,通常用

小黑點(diǎn)來(lái)表示電子在該點(diǎn)的出現(xiàn)幾率而不是表示電子繞

核作高速圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡,B項(xiàng)錯(cuò)誤;2px 、2py、2pz 軌道相

互垂直,同一能級(jí)的不同軌道的能量相同,所以2px 、2py、

2pz 軌道的能量相同,C 項(xiàng)正確;不同元素的原子發(fā)生躍

遷時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光,在歷史上,許多元素是通過(guò)

原子光譜發(fā)現(xiàn)的,如銫和銣,在現(xiàn)代化學(xué)中,常利用原子

光譜上的特征譜線來(lái)鑒定元素,稱為光譜分析,D項(xiàng)正確。

3.B 解析 能級(jí)軌道上的電子處于半充滿、全充滿、全空

狀態(tài)時(shí),原子較穩(wěn)定,不易失去電子,p能級(jí)最多容納6個(gè)

電子,s能級(jí)最多容納2個(gè)電子,選項(xiàng)B中3p

3 為半充滿狀

態(tài)穩(wěn)定結(jié)構(gòu),不易失去電子,當(dāng)其失去一個(gè)電子時(shí),吸收

的能量做最多。

4.D 解析 電子云圖中黑點(diǎn)密度表示電子出現(xiàn)的幾率,小

點(diǎn)越密,表明概率密度越大,A 項(xiàng)正確;Cu的原子序數(shù)為

29,基態(tài) Cu原子的價(jià)電子排布式為3d

104s

1,屬于ds區(qū),B

項(xiàng)正確;有3個(gè)價(jià)電子的元素不一定是主族元素,如鈧的

價(jià)電子排布式為:3d

14s

2,有3個(gè)價(jià)電子,位于ⅢB族,C項(xiàng)

正確;每個(gè)軌道中最多可以填充兩個(gè)電子,這兩個(gè)電子自

旋相反,能量完全相同,D項(xiàng)錯(cuò)誤。

5.D 解 析 銅 是 29 號(hào) 元 素,銅 原 子 的 電 子 排 布 式:

1s

22s

22p

63s

23p

63d

104s

1,不 符 合 能 量 最 低 原 理,A 項(xiàng) 不

選;碳 是 6 號(hào) 元 素,碳 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

2 ,符合能量最低原理、泡利原 理 和 洪 特 規(guī) 則,B

項(xiàng)不選;鈧是 21 號(hào) 元 素,鈧 原 子 的 核 外 電 子 排 布 式 為

1s

22s

22p

63s

23p

63d

14s

2,1s

22s

22p

63s

23p

64s

2 是 Ca 原 子 的

核外電子排布式,C項(xiàng)不選;硅是14號(hào)元素,硅原子的核

外電子 排 布 式 應(yīng) 為 1s

22s

22p

63s

23p

2,3s軌 道 最 多 容 納 2

個(gè)電子,1s

22s

22p

63s

33p

1 違反了泡利不相容原理,D項(xiàng)選。

6.C 解析 根據(jù)元素的一種基態(tài)粒子的 M 層 p能級(jí)上有

4個(gè)電子,其價(jià)電子排布式是3s

23p

4,是S元素,則 N 層不

含有電子,L層含有8個(gè)電子,最外層電子數(shù)是6,該原子

3p能級(jí)有2個(gè)未成對(duì)電子,選 C。

7.C 解析 第五能層含有5個(gè)能級(jí),最多能容納的電子數(shù)

為2×5

2=50,A 項(xiàng)正確;同一原子中,由于 K 層只有s能

級(jí),故不同能層均含有的能級(jí)為s能級(jí),B項(xiàng)正確;3d能級(jí)

最多可容納10個(gè)電子,但實(shí)際容納的電子數(shù)不一定為10

個(gè),C項(xiàng)錯(cuò)誤;核外電子分成不同能層和能級(jí),其依據(jù)為電

子的能量高低,D項(xiàng)正確。

8.D 解析 元素2和元素5均位于p區(qū),表中五種元素依

次位于s、p、d、ds和p這4個(gè)不同的區(qū),故 A 項(xiàng)錯(cuò)誤;元素

4為鋅,其基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為3d

104s

2,最外層

電子數(shù)為2,屬于ds區(qū)元素,與它具有相同最外層電子數(shù)

的元素很多,例如 Be、Mg等ⅡA 族最外層電子數(shù)均為2,

屬于s區(qū)元素,也有 Fe之類大多數(shù)位于 d區(qū)的元素最外

層電子數(shù)為2,故 B項(xiàng)錯(cuò)誤;元素1、2、3分別是 H、O、Fe,

它們的基 態(tài) 原 子 的 價(jià) 層 電 子 排 布 式 分 別 為 1s

1、2s

22p

4、

3d

64s

2,未成對(duì)電子數(shù)分別為1、2和4,故未成對(duì)電子數(shù)之

比為1∶2∶4,故 C 項(xiàng)錯(cuò)誤;元素5位于第四周期第ⅣA

族,為32號(hào)元素鍺(Ge),電子排布式為[Ar]3d

104s

24p

2,

屬于金屬元素,故 D項(xiàng)正確。

9.D 解析 基態(tài) Zn原子的價(jià)層電子排布式為3d

104s

2,位

于元素周期表的ds區(qū),A 項(xiàng)錯(cuò)誤;Ge原子核外有32個(gè)電

子,基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d

104s

24p

2,則 價(jià) 層 電

子排布式為4s

24p

2,B項(xiàng)錯(cuò)誤;基態(tài) O 原子軌道表示式為

↑↓

1s

↑↓

2s

↑↓ ↑ ↑

2p

,成對(duì)電子數(shù)為6,未成對(duì)電子數(shù)為2,

則成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的3倍,C 項(xiàng)錯(cuò)誤;非金屬

性越強(qiáng),元素電負(fù)性越大,同周期主族元素從左到右非金

屬性依次增強(qiáng),同主族元素從上到下非金屬性依次減弱,

所以三種元素電負(fù)性由大到小的順序是 O>Ge>Zn,D

項(xiàng)正確。

10.D 解析 有三種短周期的元素分別為 X、Y 和 Z,已知

X元素的原子價(jià)電子排布式為ns

1,X 為 H 或 Li或 Na;

Y 元素原子的 K 層電子是 L層電子數(shù)的一半,K 層電子

數(shù)為2,L層電子數(shù)為4,則 Y 為C元素;Z元素原子 K 電

子層上的電子數(shù)是 L電子層上電子數(shù)的

1

3

,L層電子數(shù)

為2×3=6,則 Z 為 O。若 X 為 H,X2YZ 為 HCHO,

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第9頁(yè)

全解小答·155·

X2YZ2 為 HCOOH,X2YZ3 為 H2CO3 或 Li2CO3 或

Na2CO3,X 為 +1 價(jià),Z 為 -2 價(jià),且 Y 的 最 高 正 價(jià) 為

+4,而 X2YZ4 中 Y為+6價(jià),分子式不可能存在,故選 D。

11.B 解析 W 的化合價(jià)為-2價(jià),沒有最高正化合價(jià)+6

價(jià),故 W 為 O;Z元素的化合價(jià)為+5、+3、-3,Z處于第

ⅤA 族,原子半徑與氧元素相差不大,則Z與氧元素處于

同一周期,故Z為 N;X的化合價(jià)為+2價(jià),則 X應(yīng)為ⅡA

族元素,Y 的化合價(jià)為+3價(jià),Y 處于第ⅢA 族,二者原

子半徑相差較小,可知兩者位于同一周期相鄰主族,由

于 X、Y 的原子半徑與 W、Z原子半徑相差很大,則 X、Y

應(yīng)在第三周期,所以 X為 Mg,Y 為 Al。同周期主族元素

隨原子序數(shù)增大,金屬性減弱,故金屬性:Mg>Al,則堿

性:Mg(OH)2 >Al(OH)3,A 項(xiàng)錯(cuò)誤;非金屬性越強(qiáng),簡(jiǎn)

單氫化物的熱穩(wěn)定性越強(qiáng),非金屬性 O 大于 N,故熱穩(wěn)

定性:H2O>NH3,水常溫下為液態(tài),沸點(diǎn):H2O>NH3,

B項(xiàng) 正 確;常 溫 下,Al在 濃 HNO3 溶 液 中 鈍 化,C 項(xiàng) 錯(cuò)

誤;與 Al同周期且第一電離能小于 Al的元素為 Na,只

有一種,D項(xiàng)錯(cuò)誤。

12.C 解析 由圖可知,X為 O,Y 為 Si,Z為 P,R 為 Se,W

為 Br。第一電離能是基態(tài)的氣態(tài)原子失去最外層的一個(gè)

電子所需能量。Z為 P,R為 Se。P的第一電離能大于 S

的;Se和S同主族,且在S的下方,第一電離能小于S的;

所以第一電離能:P>Se,A 項(xiàng)正確;X 為 O,Y 為 Si,Z為

P,其電負(fù)性:O>P>Si,B項(xiàng)正確;幾種元素基態(tài)原子電

子排布圖為:O 為1s

22s

22p

4,Si為1s

22s

22p

63s

23p

2,P為

1s

22s

22p

63s

23p

3,Se為1s

22s

22p

63S

23P

63d

104s

24p

4,Br為

1s

22s

22p

63S

23P

63d

104s

24p

5,由此 可 知,基 態(tài) 原 子 中 未 成

對(duì)電子數(shù)最多的是 P元素,C項(xiàng)錯(cuò)誤;元素最高價(jià)氧化物

對(duì)應(yīng)的水化物酸性:Z>Y,由分析可知,Y 為 Si,Z為 P,

其對(duì)應(yīng)酸為:H3PO4>H2SiO3,D項(xiàng)正確。

13.D 解析 電負(fù)性是元素的原子在化合物中吸引電子的

能力,隨著核電荷數(shù)的增加呈周期性變化,故圖乙可能

表示元素的電負(fù)性隨原子序數(shù)的變化,故 A 項(xiàng)錯(cuò)誤;同

周期元素中,非金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)較低,與圖像不符,故 B

項(xiàng)錯(cuò)誤;同周期元素從左到右,原子半徑逐漸減小,與圖

像不符,故 C項(xiàng)錯(cuò)誤;同周期元素第一電離能從左到右

逐漸增大,其中第ⅡA、第ⅤA 族元素的第一電離能大于

相鄰主族元素,與圖像基本符合,故 D項(xiàng)正確。

14.A 解析 根據(jù)化合物的結(jié)構(gòu)可知,W 和 X 均連接4根

鍵,Y 連接2根鍵,Z連1根鍵,且滿足 W 的原子序數(shù)等

于 X與 Y 的原子序數(shù)之和,則 W 為Si,Y 為 O,X為C,Z

為 F。F元素?zé)o正價(jià),O 元素?zé)o+6價(jià),A 項(xiàng)錯(cuò)誤;根據(jù)元

素周期律,同周期從左到右電負(fù)性依次增強(qiáng),電負(fù)性:F

>O>C,B項(xiàng)正確;F2 可以與水發(fā)生置換反應(yīng)生成氧氣

和氟化氫,C 項(xiàng)正確;原子序數(shù)為82的元素為 Pb,最外

層電子數(shù)為82-2-8-18-32-18=4,Si為第三周期

第ⅣA 族元素,最外層電子數(shù)為4,所以原子序數(shù)為82

的元素與 W 位于同一主族,D項(xiàng)正確。

15.答案 (1)Fe 1s

22s

22p

63s

23p

63d

64s

2 或[Ar]3d

64s

2

(2)c<e<d<f (3)Mn

2+ 的3d軌道電子排布為半充滿

狀態(tài),比較穩(wěn)定,不容易失電子 (4)C

解析 根據(jù)元素在周期表的位置可知:a是 H,b是 Li,c

是 C,d是 N,e是 O,f是 F,g是 Na,h是 Mg,i是 Al,j是

Si,k是S,l是Cl,m 是 Ar,n是 K,o是 Mn,p是Fe。(1)元

素p是Fe元素,根據(jù)構(gòu)造原理,可知 Fe原子核外電子排

布式是 1s

22s

22p

63s

23p

63d

64s

2 或 [Ar]3d

64s

2。(2)c是

C,d是 N,e是 O,f是 F,它們是同一周期元素,一般情況

下同一周期元素,原子序數(shù)越大,元素的第一電離能越

大,但當(dāng)元素處于第ⅡA、ⅤA 時(shí),原子核外電子處于全

滿、半滿的穩(wěn)定狀態(tài),其第一電離能大于同一周期相鄰

元素,則上述四種元素的第一電離能大小關(guān)系為:c(C)

<e(O)<d(N)<f(F)。(3)元素o是25號(hào) Mn元素,元

素p是26號(hào) Fe,Mn元素的第一電離能與第二電離能比

較低,而且相差不大,其第三電離能比第二電離能大很

多,這是由于 Mn失去最外層的2個(gè)4s電子形成 Mn

2+

的3d軌道電子排布為半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,不容易失

電子;而Fe失去最外層的2個(gè)4s電子形成Fe

2+ 的3d軌

道電子排布為3d

6 排布,不是半充滿狀態(tài),只有當(dāng)其再失

去1個(gè)3d電子才變?yōu)?d軌道電子排布為半充滿狀態(tài)的

穩(wěn)定狀態(tài)。(4)同一原子各個(gè)軌道的能量:3s<3p,所以鎂

原子由 1s

22s

22p

63s

2 →1s

22s

22p

63p

2 時(shí),原子 吸 收 能 量,

Mg原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化成激發(fā)態(tài),A 項(xiàng)錯(cuò)誤;價(jià)電子排布為

5s

25p

1 的元素原子最外層有3個(gè)電子,位于第五周期第

ⅢA 族,是p區(qū)元素,B項(xiàng)錯(cuò)誤;s電子的電子云是球形對(duì)

稱的,但各個(gè)能層的s能級(jí)的能量不同,能層序數(shù)越大,

原子半徑就越大,所以所有原子任一能層的s電子云輪

廓圖都是球形,但球的半徑大小不同,C 項(xiàng)正確;原子核

外電子排布處于全滿、半滿、全空時(shí)是穩(wěn)定狀態(tài),則根據(jù)

構(gòu) 造 原 理 可 知24Cr 原 子 的 電 子 排 布 式 是

1s

22s

22p

63s

23p

63d

54s

1,D項(xiàng)錯(cuò)誤。

16.答案 (1)ad d (2)ds [Ar]3d

104s

1 (3)圖a 同一

周期第一電離能的總體趨勢(shì)是依次升高的,但由于 N 元

緊的2p能級(jí)為半充滿狀態(tài),因此 N元索的第一電離能較

C、O兩種元素高 圖b (4)①小于 ②大于 ③大于

解析 (1)氟是9號(hào)元素,核外有9個(gè)電子,因此bc不符

合題意,而原子激發(fā)態(tài)的電子排布式有ad,3p能級(jí)上電

子的能量高于3s能級(jí)上電子的能量,因此能量較高的是

1s

22s

22p

33p

2,選d。(2)某元素原子的位于周期表的第

四周期,元素原子的最外層只有一個(gè)電子,其次外層內(nèi)

的所以 軌 道 電 子 均 成 對(duì),則 該 原 子 價(jià) 電 子 排 布 式 為

3d

104s

1;該元素位于周期表的 ds區(qū),寫出該基態(tài)原子電

子排布式為[Ar]3d

104s

1。(3)圖a、b、c分別表示 C、N、O

和 F的逐 級(jí) 電 離 能 Ⅰ 變 化 趨 勢(shì)(縱 坐 標(biāo) 的 標(biāo) 度 不 同)。

根據(jù)題意,同周期從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì),但

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